三思而后行乱弹Google手机绑定广告

2007年8月3日，美国《华尔街日报》报道，Google已经开发了一款原型手机，有望于一年内进入市场，并同时透露，Google准备运用一种免费的市场策略，计划通过在其搜索引擎，电子邮件和网络浏览器软件应用中绑定广告，为消费者提供免费无线服务.[编者按]     

14～18千兆赫晶体管放大器

据讯,美国IBM研究实验室研制了一种在目前来说频率最高的高频晶体管化放大器和振荡器。为了获得14～18千兆赫下的性能,该实验装置应用了砷化镓肖特基势垒场效应晶体管。这些晶体管IBM公司称之为金属-半导体-场效应晶体管(MESFET),它们在15千兆赫下具有8分贝的增益。用这类晶体管制成的三级放大器在16.9千兆赫下的功率增益为6     

约瑟夫森效应

在物理学中,提出新的理论必须经过实验的验证才被公认,同时,科学理论对科学实验又有能动的指导作用。实验和理论研究的这种相互依赖的辩证关系,在约瑟夫森效应的予言和实验证实中表现得极为鲜明。下面简略介绍约瑟夫森效应发现的历史情况。一、约瑟夫森和他予言的效应约瑟夫森效应是在两块超导体之间存在弱耦合时发生超导电流的现象,又称作超导隧道效应。这个效应是1962年由英国剑桥大学的研究生B.D.Josephson(约瑟夫森)所予言,并在以后几年里,由实验证实了这种效应。因此,约瑟夫森与贾埃弗(I.Giaever)、江琦     

不一样的笔记本

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三次掩蔽自对准金属-氧化物-半导体工艺

引言近来,出现了一种制造自对准金属—氧化物—半导体(MOS)集成电路的新工艺,该工艺只需要三次掩蔽,应用离子注入工艺来获得自对准栅结构。采用氮化硅膜来消除接触掩蔽以及降低场氧化物顶部至接触区和栅区的高度。这种工艺能制造N沟或P沟MOS集成电路。在N沟MOS集成电路中,应用低阻率P型衬底材料或用离子注入提高场表面浓度能避免场反型的问题。为简单起见,本文叙述制造工艺步骤和P沟MOS集成电路的器件特性。     

MOS和双极集成电路的发展

1972年美国半导体工业产值达到16.5亿美元,比1971年增长13％;其中MOS集成电路发展最快,只是数字双极集成电路稍有下降,线性电路也提高25％,光电器件增加40％,分立元件也有所增加。一、MOS MOS现已成为TTL新的竞争者(70年产值为2百万美元),MOS已很快成为标准产品工业的竞争者。今年将是从常规产品转为标准产品的一年。这一方面意味着MOS工艺日臻完善,另一方面表明将大幅度降价,约在1975年标准产品可占MOS总     

硅栅工艺及其应用

一、引言在MOS集成电路领域里,为了提高集成度、电特性及稳定性,人们进行了大量的研究工作,使MOS器件获得了迅速的发展,新工艺、新技术和新结构层出不穷。特别是在存储器方面的发展更快,例如,加拿大贝尔北方研究公司的8192位移位寄存器,美国通用仪器公司的2048位动态随机存储器。还出现了18000位单块随机存储器,12000位单块只读存储器,16384位只读存储器。MOS动态存储器中,主要是1千位随机存储器。另外,性能更高的N沟4千位随机存储器已试制成功,正在投入批量生产。     

低噪声Ka波段平衡混频器

美国斯佩康公司制造了一种新的平衡混频器,在直流至6千兆赫范围内提供了1分贝中频通带,Ka和K波段的最大噪声系数只有5分贝。CK-10型平衡混频器在28～33千兆赫内有射频输入,60兆赫下噪声系数为5分贝,2.5千兆赫中频下为4.8分贝。本机振荡器-射频隔离度最小为27分贝。而CK-9型混频器的噪声系数在18～26千兆赫范围内略微     

电子束和离子束技术在微电子学中的应用

据讯,最近,IEEE电子器件会议上有人发表文章认为电子束技术在制备高分辨率、高密度和高速大规模集成电路方面比光刻技术优越。离子束掺杂工艺的控制比扩散工艺容易得多。电子束可以聚焦成非常小的点,大约5～100埃。在光刻工艺中,点的大小一直排回在5000埃的数量级内。因此,电子束能制作更复杂更致密的图案,制作的条宽小于0.2微米,以期形成高速电路。此外,电子束的开启或关断比较方便,还可根据需要予以取     

新的砷化镓体效应二极管振荡器

据讯,美国通用电气公司微波器件生产部门最近生产了一种新的砷化镓体效应二极管及其配用的X波段振荡器微波电路。它们适用于小型雷达和运测研究。Y-2109电子渡越效应二极管及其C-2070微波电路模拟具有低边带噪声和低压运用的特点。它们的工作频率为10.5千兆赫。二极管和振荡器典型的输出功率分别为100毫瓦和50毫瓦。