ZnO∶Al/p-Si的接触特性

利用射频磁控溅射制备了ZnO∶A l/p-S i接触,并对其进行C-V和I-V特性的77~350 K变温测量。并对未热退火和800℃热退火两种样品的测量结果进行了对比分析。结果发现,未经热退火和经过热退火处理的样品在C-V和I-V特性上有很大差别。解释了两种样品的C-V和I-V测量结果的不同。对于未退火的样品,由于界面处的大量界面态的屏蔽作用,使得ZnO∶A l/p-S i异质结的C-V曲线发生畸变。经800℃热退火,ZnO∶A l/p-S i异质结的C-V特性恢复正常,说明热退火已经消除了异质结中的界面态和缺陷态。研究表明ZnO∶A l/p-S i异质结经适当热退火处理有更好的整流特性同时对光致发光也更有利。     

分布式雷达相参发射原理与性能分析

通过调整空间距离较远的雷达发射天线的发射时间和初始相位可控制电磁波能量在空间的分布来增强感兴趣空间区域的信号能量。该文分析分布式雷达相参发射的原理,给出形成干涉峰点的条件,定义空间干涉能量分布函数来反映发射信号能量较平均能量的增益,其最大值为发射天线个数。在远场和近场条件下分析信号空间能量分布的特点,表明它在远场近天线距离呈条纹状,在近场远天线距离呈类晶体结构或独峰结构。为了让目标在干涉峰点内部,分布式相参发射在低频率、小目标的跟踪状态更有效。     

ZnO:Al/p-Si的接触特性

利用射频磁控溅射制备了ZnO：Al／p—Si接触,并对其进行C-V和I-V特性的77～350K变温测量。并对未热退火和800℃热退火两种样品的测量结果进行了对比分析。结果发现,未经热退火和经过热退火处理的样品在C—V和I-V特性上有很大差别。解释了两种样品的C—V和I-V测量结果的不同。对于未退火的样品,由于界面处的大量界面态的屏蔽作用,使得ZnO：Al／p—Si异质结的C—V曲线发生畸变。经800℃热退火,ZnO：Al／p—Si异质结的C—V特性恢复正常,说明热退火已经消除了异质结中的界面态和缺陷态。研究表明ZnO：Al／p—Si异质结经适当热退火处理有更好的整流特性同时对光致发光也更有利。     

基于PSO的人脸姿态估计

提出了一种人脸姿态估计的新方法。根据三维扫描预先生成一个通用的模型,基于三维形态模型采用粒子群优化算法对人脸姿态进行初步估计,由特征点检测确定姿态大致范围,再在初步估计的结果上进行修正迭代,从而对人脸姿态进行精确估计。实验表明,该方法在简化数学运算的基础上,具有较好的估计效果,平衡了计算复杂度与结果精确度。     

Influence of Interface Charge on Electrical Properties of ZnO／Si Heterojunction

The capacitance-voltage and current-voltage properties of the samples before and after annealing are investigated at 300 K and 195K. It is found that the interface charge plays an important role for the heterojunction properties. After annealing, the samples exhibit typical junction properties. The heterojunction shows a built-in potential 0.62eV consistent with the theoretical result 0.67eV. However, the sample exhibits more complex behaviour before annealing. The experimental results can be explained by heterojunction theory when, introducing interface charge, which suggests that the annealing can reduce interface charge and can improve the junction properties of the samples.