OFDM雷达通信一体化的同频干扰抑制技术

雷达通信一体化系统（Integrated Radar and Communication System,IRCS）可提升设备的可用性、可靠性和电磁兼容性,已成为雷达和通信交叉领域的研究热点。正交频分复用（Orthogonal Frequency Division Multiplexing,OFDM）具有高信息传输性能,且其模糊函数具有低旁瓣特性,在IRCS中得到广泛关注。在OFDM-IRCS中,组网时同频干扰严重影响雷达探测性能。针对这一问题,从信干比（Signal to Interference Ratio,SIR）分析了IRCS同频干扰特性,推导了回波信号SIR的表达式。然后,结合OFDM中交织多址（Interleave Division Multiple Access,IDMA）和干扰重构的思想,提出了基于OFDM-IDMA的IRCS同频干扰抑制算法。所提算法通过不同的交织方式区分不同IRCS节点的信号,同时利用基于干扰重构的干扰消除算法实现干扰抑制。仿真结果表明,所提算法有效地抑制了IRCS同频干扰,实现了同频干扰环境下雷达目标探测性能提升。     

蓝牙LPO时钟在低功耗模式下对系统的影响分析

本文针对蓝牙系统中LPO在低功耗模式下对系统的影响进行了分析 ,并以Sniff模式为主 ,阐述了在该方式下的系统定时要求 ,给出了电流分析参考。文中分析对于蓝牙系统的设计尤其是便携式蓝牙设备具有一定的参考意义。     

ZnO/PS异质结的光学和电学性质

用脉冲激光沉积的方法在多孔硅(PS)衬底上沉积ZnO薄膜,在室温下测量了ZnO/PS异质结的结构及光学和电学性质.X射线衍射仪和扫描电子显微镜测量表明,制备的ZnO薄膜具有一定的c轴取向,但薄膜存在较多缺陷.光致发光谱显示,PS的发光与ZnO的发光相叠加,呈现白光发射.对异质结I-V特性曲线的测量表明,异质结呈现出与普通二极管不同的整流特性,其反向电流不饱和,据此提出了能带模型.     

Ad hoc网络中一种基于身份的组密钥协商协议

移动Ad hoc网络是一种资源有限的移动多跳无线网络。在网络中构建组密钥协商协议时应尽可能地减少资源开销。文中在基于身份的网络安全环境下,设计了一种基于环状结构的组密钥协商协议。该协议采用椭圆曲线上的双线性配对,仅通过单轮通信完成组密钥协商。经过分析,该协议具有等献性,已知密钥安全,无密钥控制等安全属性,适用于Ad hoc网络。     

一种低电压低功耗的环形压控振荡器设计

提出了锁相环的核心部件压控振荡器(VCO)的一种设计方案.该压控振荡器采用全差分环形压控振荡器结构,其延迟单元使用交叉耦合晶体管对来进行频率调节.基于SMIC0.18μmCMOS工艺,用Hspice对电路进行了仿真.仿真结果表明,该压控振荡器具有良好的线性度,较宽的线性范围以及高的工作频率,在1.8V的低电源电压下,振荡频率的变化范围为402～873MHz,中心频率在635MHz,功耗仅为6mW,振荡在中心频率635MHz时的均方根抖动为3.91ps.     

盐析辅助液液萃取交联聚维酮净化-靶向单一离子监测/高分辨质谱法测定蜂蜜中新烟碱类农药残留

基于盐析辅助液液萃取(LLE)交联聚维酮(PVPP)净化技术,建立了蜂蜜中7种新烟碱类农药的靶向单一离子监测(TSIM)/高分辨质谱检测方法。样品用乙腈基于盐析辅助LLE-PVPP提取净化,采用BEH C18色谱柱为分析柱,甲醇-水体系(两相均含0.1%甲酸和5 mmol/L甲酸铵)作为流动相,梯度洗脱,采用高分辨质谱TSIM模式检测目标化合物,内标法定量。结果表明,盐析辅助LLE-PVPP净化技术可实现提取净化一步式样品制备,TSIM扫描模式则显示了更宽的线性动态范围和更高的灵敏度与准确度。7种新烟碱类农药在0.01~100μg/L或0.02~100μg/L范围内具有良好的线性关系(r20.999);方法检出限为0.03~0.07μg/kg,定量下限为0.1~0.2μg/kg。在0.2、2、20μg/kg 3种加标水平下,7种新烟碱类农药在蜂蜜中的平均回收率为84.8%~112.7%,日内精密度(RSDr)为0.9%~5.7%,日间精密度(RSDR)为3.7%~9.7%。该方法前处理简单快速、成本较低,灵敏度高、重现性好,可广泛应用于蜂蜜中新烟碱类农药残留的快速检测。     

5G网络演进策略探讨

结合5G网络的数据洪流和万物互联两大业务特点,引出5G网络的关键技术。再结合5G网络的业务特点和关键技术,分析5G网络部署的关键点,主要从5G标准进程、终端成熟度、业务需求成熟度等方面进行分析。最后再分析各个国家、各运营商的5G网络演进规划,得出5G网络演进的基本步骤,并指出演进中可能遇到的困难。     

Effect of Carbonized Conditions on Residual Strain and Crystallinity Quality of Heteroepitaxial Growth 3C-SiC Films

Heteroepitaxial growth of SiC on n-Si（111） substrates is performed by a low pressure chemicaJ vapor deposition process. The effects of different carbonized temperature and carbonized time on the crystalline quality and the residual strain of 3C-SiC films are discussed. The results show that the residual strain is obviously reduced and the crystalline quality is greatly improved at the best carbonized temperature of 1000℃ and the carbonized time of 5 min. Under these optimized carbonization conditions, thick epitaxial films of about 15 μm with good crystalline quality and low residual strain can be obtained.     

手机浏览器技术与发展探讨

1概述 手机浏览器是具有联网功能、按约定协议规范显示网络服务器或本地文件内容、支持图文和多媒体链接以及脚本文件和多媒体插件,并提供用户交互功能的手机软件。手机浏览器不仅是手机用户的基本应用,更是移动互联网的主要入口。     

Two crucial factors influencing quality of GaAs on Ge substrate

High-quality GaAs films with fine surfaces and GaAs/Ge interfaces on Ge have been achieved via molecular beam epitaxy. The influence of low temperature annealing and low temperature epitaxy on the quality of the film when GaAs is grown on a （100） 6 ° offcut towards [111] Ge substrate are investigated by analyzing and comparing the GaAs films that are fabricated via three different processes. A low temperature annealing process after high temperature annealing and a low temperature epitaxy process after the initial GaAs growth play a vital role in improving the quality of GaAs film on a Ge substrate.