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用于VLSI的SiO_xN_y薄膜的界面陷阱 总被引:3,自引:1,他引:2
陈蒲生 《固体电子学研究与进展》1992,12(4):336-341
采用雪崩热电子注入技术研究了用于VLSI的快速热氮化的SiO_xN_y薄膜界面陷阱。给出这种薄介质膜禁带中央界面陷阱密度随氮化时间的变化关系,观察到这种薄膜存在着不同类型的密度悬殊很大的电子陷阱。指出雪崩热电子注入过程中在Si/SiO_xN_y界面上产生两类性质不同的快界面态陷阱,并给出这两种陷阱在禁带中能级位置及密度大小关系;同时还给出禁带中央界面陷阱密度随雪崩注入剂量呈现弱“N”形变化关系,并对实验结果进行了讨论。 相似文献
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PEVD法低温制备SiOxNy薄膜微观组分的分析研究 总被引:3,自引:0,他引:3
在PECVD法低温制备优质薄膜技术中,发迹衬底温度,反应室气压,混合气体组合,动用退火致密工艺,制备SiOxNy栅介质膜样品。采用椭偏仪测量该薄膜的折射率和膜厚,结合俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析,研究薄膜的光学特性和微观组分结构。并探讨多种工艺制备条件对薄膜微观结构的影响。 相似文献
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对于快速热氮化(RTN)的SiOxNy薄膜(RTNF),本文不仅采用B-T处理高频C-V测试研究了它的电荷特性,而且还借用椭圆偏振谱技术和俄歇电子能谱分析研究了它的光学性质和微结构组分,同时还讨论了电学特性与光学性质间的相关性.实验结果表明:氮化后再氧化退火是减少RTNF中固定电荷的有效途径,结合B-T处理高频C-V测试技术仍适用于这种薄膜中碱金属可动离子密度的测量.研究结果还给出:类似于禁带中央界面陷阱密度,该薄膜折射率随氮化时间呈现出“回转效应”变化关系.测试分析结果并初步提出一个直接与膜的微结构组分 相似文献
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PECVD法低温形成新型SiO_xN_y薄膜的界面特性研究 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法低温形成新型SIOxNy薄膜的界面特性。研究侧重于PECVDSiOxNy薄膜良好界面特性的控制,探索出界面特性与微观组份、衬底工作温度、反应室气压、退火致密、金属化后退火的相互关系。同时给出了获取界面等特性优良的PECVDSiOxNy薄膜的最优化工艺条件,并对实验结果进行了理论分析与讨论。 相似文献
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采用深能级瞬态谱技术(DLTS),测试了等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)法低温制备的富氮的SiOxNy栅介质膜的电学特性(界面态密度、俘获截面随禁带中能量的变化关系),结果表明,采用合适的PECVD低温工艺淀积SiOxNy膜可以制备性质优良的栅介质膜。 相似文献
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用卤素钨灯作辐射热源快速热氮化(RTN)10 nm SiO2膜,制备了<100>和<111>晶向Si衬底上的Si-SiOxNy-Al电容结构.研究了电子从〈100〉和〈111>不同晶向N型硅积累层到RTN后SiO2膜(或原始SiO2膜)的漏电流和高场F-N隧穿电流.研究结果表明:经RTN SiO2膜比原始SiO2膜从低场到隧穿电场范围都明显地看到电导增强现象.比较RTN后两种不同晶向样品,低场漏电流没有多大的差别而在高场从<100>晶向比从<111>晶向Si隧穿SiOxNy膜的F-N电流却明显增加,借用一种基于横向晶格动量守恒的理论模型解释了这种现象. 相似文献
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