硅色敏器件对复色光色差辨识能力的数值分析

对复色光的光谱功率分布和色敏器件光谱响应的实验曲线进行了函数拟合，采用Mathematica 4．2计算了具有不同峰值波长和半高宽的高斯分布的复色光在色敏器件中产生的电流比．计算结果表明，待测复色光的峰值波长和半高宽变化对两种典型的色敏器件的输出信号影响的权重比分别为100：1和10：1。权重比说明色敏器件的输出电流比随峰值波长和半高宽的变化非常灵敏，但两者权重不同，其中峰值波长的变化影响更为显著，是影响复色光颜色变化的主要因素．数值分析的结果表明，硅双结色敏器件对复色光色差有良好的辨识能力．两种器件权重比的差异说明了器件制作工艺与其辨识能力的关系，为器件合理设计提供了理论依据．     

硅基稀土热扩散法初探

稀土元素在我国有丰富的贮量．近年来,稀土元素在各种新科技领域中得到不断的开发和利用．各类稀土功能材料在发光和光通信领域中正展现巨大的应用潜力［１］．稀土磁光薄膜材料是优良的记录介质;稀土Ｅｒ由于其特殊的电子结构,已用来制造掺铒光纤激光器和光纤放大器［２］;掺铒硅还可制造发光谱线单一的发光器件［３］,这为实现人们所期待的硅基光电集成提供了有益途径．此外,基于对掺铒硅荧光发射衰减时间的分析,可用于制造温度传感器［４］．因此,稀土在共价半导体材料如Ｓｉ、ＧａＡｓ中的行为研究日益受到重视．但这些工作主要…     

间接耦合硅光敏器件提出的前后

在研制硅光敏器件的十多年中,我们注意到两点:一是硅光敏器件的成品率不够高;二是无法用它们探测微弱的光,即它们的信噪比较小.这两点是由同一原因引起的,那就是它们的暗电流偏大. 结型光敏器件的原理是基于描述p-n结光电特性的位移近似公式[1]:式中IL 为输出的信号电流,I.c为p-n结的短路电流,Ic是p-n结的反向饱和电流,V为加在p-n结上的电压(光生电压或外加的电压),q为电量,k为玻耳兹曼常数,T为温度.光敏二极管(用于光伏效应器件时除外)、光敏三极管和达林顿光敏管都是使接受入射光的p-n结(以下简称为受光p-n结)处于反向偏压下工作,即V《…     

p型含氮CZ—Si单晶的退火性质

本文报道了在不同热处理条件下P型含氮CZ-Si单晶材料的退火性质。实验表明:400℃及1100℃温度的退火处理都会在含氮CZ-Si单晶中产生新的施主态。400℃退火时产生的施主态会在高温(T>600℃)退火时迅速消灭,它与单晶中N-O复合体的生成和生长机制有关;1100℃退火时产生的施主态则与材料中的氮沉淀有关。     

用硅双结型色敏器件测量色温

提出了一种用硅双结型色敏器件测量色温的方法．在合理的测控电路下，硅双结型色敏器件的电流对数比与实验灯泡的色温值呈良好的单值对应，经单片机处理后可以得到分段线性关系．通过对电流对数比与波长随线的数据拟合，结果表明，用硅双结型色敏器件测量色温，其测量温度可以到10^4K以上，精度可以达到10K．本文的方法与传统方法相比减少了工作量，降低了费用，具有通用性和实用价值．     

间接耦合光电探测器

本文提出了间接耦合光电探测的新概念,找到并分析了两种工作模式的结型间接耦合光电探测器,实验结果表明,这是一类性能优异的光电探测器件,最后讨论了结型间接耦合光电探测器的实际意义和研究前景。     

发射结磷扩散方法的改进

分析了高温高浓度磷扩散工艺生产中的种种弊病，提出了类似于硼扩散的磷扩散方法，详细分析了新方法的可行性及优点，实验结果和理论分析一致。     

GaN蓝光LED电极接触电阻的优化

通过分析LED的工作电压和晶圆上两相邻N电极间电阻来讨论快速退火(RTA)和表面处理对GaN基蓝光LED接触电极的影响.研究了p-GaN表面处理对Ni/Au与p-GaN接触电阻的影响.结果表明,用KOH清洗p-GaN表面比用HCl清洗更能有效地改善Ni/Au与p-GaN的接触电阻.讨论了在氧和氮混合气氛下两种退火温度对P电极接触电阻的影响,当退火温度从570 ℃升到620 ℃时接触电阻升高.研究了氮气氛下不同退火温度和时间对LED电极接触的影响,发现在480 ℃下连续退火对N接触有利,但却使P接触变差,而450 ℃、10 min的氮气氛退火能同时得到较好P接触和N接触.     

颜色探测的研究与进展

介绍了基于光吸收系数强烈依赖于波长的硅色敏器件的结构、颜色探测的信号处理电路以及颜色探测应用的研究与进展。利用双结色敏器件和合适的信号处理电路,已使单色光的分辨能力达到了纳米量级．     

PIN光电二极管在PET中应用的可行性

研究了正电子发射层析照相（PET）探测器系统所存在的空间分辨率和时间分辨率低的问题,通过采用双面入射和侧面读出技术,提高了PIN光电二极管的量子效率和能量分辨率,增加了可用光的收集,分析结果表明,经过优化设计的PIN光电二极管及外围配置,与现行PET探测器系统中的光电倍增管相比,具有更高的分辨率和更好的性能价格比。