砷化镓晶体在氯化硫溶液中腐蚀速率的研究

本文研究了不同条件下S2Cl2对GaAs晶体的腐蚀行为，特别是溶液浓度、温度以及摇动程度等几个重要因素对腐蚀作用的影响．在此基础上提出了S2Cl2处理的较佳条件：对于S2Cl2钝化，应选择低浓度的钝化液（＜20％）在较低的室温下进行，而S2Cl2作为GaAs外延预处理手段则选用较高浓度的溶液在较短时间内完成可以得到较好的效果；对于以上两种情形，溶液温度一般控制在20℃以下．     

微波放电法生长GaS薄膜的性质

报道了微波放电法在GaAs表面与Al金属片上生长GaS薄膜．用俄歇电子能谱（AES）和卢瑟福背散射能谱（RBS）分析了薄膜的成分，X射线衍射测试了薄膜的结构．结果表明，微波放电法生长的GaS薄膜是属于六方晶系的多晶材料．此外，用椭圆偏振光谱测定了GaS薄膜的折射率以及由金属/绝缘体/金属（MIM）结构的电容值得到GaS薄膜的介电常数 关键词：     

GaS/GaAs界面电学性质研究

报道了微波放电法在GaAs表面生长GaS薄膜．用电容 电压法（C-V）、伏安法（I-V）以及深能级瞬态谱（DLTS）等测试手段对GaS/GaAs界面的电学性质进行了研究．GaS/GaAs界面的CV特性反映此处的界面特性比较好，界面态密度约为10¹²/（cm²·eV）．DLTS的测试得到了与其一致的结果．另外，从I-V曲线中漏电流的大小，估算出GaS的电阻率为10¹¹Ω·cm 关键词：     

中性(NH4)2S溶液钝化GaAs(100)表面的研究

采用同步辐射光电子能谱(SRPES)结合扫描电子显微镜(SEM)和称量法，研究了中性(NH₄)₂S溶液钝化GaAs(100)表面，并与常规(NH₄)₂S碱性溶液钝化方法进行了比较- SRPES结果表明该处理方法可以产生较厚的Ga硫化物层和较强的Ga—S键，Ga的硫化物有好的稳定性-称量法表明该方法有更低的腐蚀速率-SEM结果表明该方法钝化处理的GaAs表面所产生的腐蚀坑数目少，直径小- 关键词：     

GaAs/AlGaAs HBT器件的S_2Cl_2钝化

本文采用了一种新的硫钝化方法处理GaAs／AlGaAs异质结台面型晶体管，大大改善了它的直流特性．并通过对其低温性能的研究和钝化过程的实时观测，证明了S2Cl2溶液能十分有效地改善GaAs的表面性质，从而降低了表面复合对器件性能的影响．这种钝化方法有可能发展成为GaAs器件制造中的一种实用钝化工艺．     

GaAs表面S钝化方法：S气氛辉光放电法

本文报道了一种新的ＧａＡｓ表面Ｓ钝化方法──Ｓ气氛辉光放电法．用光致发光光谱（ＰＬ）结合俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了辉光放电Ｓ钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，与未处理的样品相比，用该方法处理后的表面复合速率大大降低，ＰＬ强度提高了将近两个数量级，而且稳定．ＡＥＳ谱和ＸＰＳ谱测量结果表明用Ｓ气氛辉光放电的方法在ＧａＡｓ（１００）表面上形成了较厚的ＧａＳ薄膜．