LPCVD氮化硅薄膜的室温可见光发射

在4.66eV的激光激发下,在室温下LPCVD氮化硅薄膜可发射高强度可见光,其峰位位置分别为2.97,2.77,2.55,2. 32,2.10和1.90eV的6个PL峰,建立了可见光发射的能隙态模型,讨论了发光机制.     

LPCVD氮化硅薄膜的室温可见光发射

在4.66eV的激光激发下,在室温下LPCVD氮化硅薄膜可发射高强度可见光,其峰位位置分别为2.97,2.77,2.55,2.32,2.10和1.90eV的6个PL峰,建立了可见光发射的能隙态模型,讨论了发光机制     

低压化学汽相淀积含氢氮化硼薄膜

本实验采用二硼烷(B_1H_6)和氨气(NH_(?)),在388～700℃下进行低压化学汽相淀积生成含有硼、氮、氢的膜(B_(1～3)NH),用于X光曝光掩模的基底.已测得膜的各种特性如淀积速率、电阻率、元素成份比、晶型、折射率、红外吸收光谱、应力变化、对光的透射率、化学不活泼性及等离子腐蚀速率等.     

同步辐射X线光刻

X线光刻是未来亚微米应用的重要微光刻技术、近年来,同步辐射X线光源的应用是技术上一个重要发展,本文叙述了同步辐射X线光刻在微电子技术未来发展中的作用、现状及其基本技术问题。并介绍了我国同步辐射X线光刻的发展情况。     

微光刻技术的发展

 时代的列车飞速地向文明社会驶去.20年前,我们不可思议的彩电、冰箱、录相机等家用电器现在已进入了家家户户,微型计算机已被广泛应用于工业、农业、科研和管理.随着半导体技术的出现,庞大得象楼房似的计算机被缩小到可放在办公桌上,笨重的电子管收音机变形为掌上之物……,这一切都要归功于微电子器件,而微电子器件的生产则与微光刻技术密切相关.让我们一起来看看微光刻技术吧！一、器件和电路发展对科学技术发展的要求微电子技术发展的显著特点是器件几何尺寸日趋微细化,达到亚微米或毫微米量级.     

二氧化硅的表面改性

本文提出一种改变SiO_2表面特性的新方法.当用一定能量的电子轰击二氧化硅表面时,二氧化硅的腐蚀特性发生了很大变化.在同一工艺条件下,未经电子轰击的二氧化硅腐蚀速率为700—1000A/分,经电子轰击的二氧化硅腐蚀速率近于零.     

同步辐射X线光刻

X线光刻是未来亚微米应用的重要微光刻技术、近年来,同步辐射X线光源的应用是技术上一个重要发展,本文叙述了同步辐射X线光刻在微电子技术未来发展中的作用、现状及其基本技术问题。并介绍了我国同步辐射X线光刻的发展情况。