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为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN/GaN HEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN/GaN的MOS—HFET结构。采用等离子增强气相化学沉积(PECVD)的方法生长了50nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN/GaN MOS—HFET器件栅长1μm,栅宽80μm,测得最大饱和输出电流为784mA/mm,最大跨导为44.25ms/mm,最高栅偏压+6V。 相似文献
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频域分析法是线性自动控制系统的一种图形化分析法,用于分析系统的动态性能和稳态性能。利用Matlab/GUI界面设计工具与M文件编程结合,设计了自动控制系统频域分析的演示界面。该界面可进行系统参数设置,显示系统开环传递函数,绘制相应的对数坐标图,便于观察系统的组成或参数变化对系统性能的影响,能够满足课堂教学演示与课外仿真实验。 相似文献
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一种基于神经网络的模拟电路故障诊断方法 总被引:2,自引:1,他引:1
提出了一种基于模拟电路故障诊断的神经网络方法。这种方法利用小波分解、数据标准化、主成分分析对输入数据进行预处理,采用k个神经元输出的前馈神经网络结构进行有效训练。该方法检测和识别故障准确率高,系统的鲁棒性和稳定性强。 相似文献
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文章在超薄势垒AlN/GaN异质结构上采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)原位生长SiNx栅介质,成功制备了高性能的SiNx/AlN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)。深能级瞬态谱(DLTS)技术测试SiNx/AlN的界面信息,显示其缺陷能级深度为0.236 eV,俘获截面为3.06×10-19 cm-2,提取的界面态密度为1010~1012 cm-2eV-1,表明MOCVD原位生长的SiNx可以有效降低界面态。同时器件表现出优越的直流、小信号和噪声性能。栅长为0.15 μm的器件在2 V的栅极电压(Vgs)下具有2.2 A/mm的最大饱和输出电流,峰值跨导为506 mS/mm,最大电流截止频率(fT)和最大功率截止频率(fMAX)分别达到了65 GHz和123 GHz,40 GHz下的最小噪声系数(NFmin)为1.07 dB,增益为 9.93 dB。Vds = 6 V时对器件进行双音测试,器件的三阶交调输出功率(OIP3)为32.6 dBm,OIP3/Pdc达到11.2 dB。得益于高质量的SiNx/AlN界面,SiNx/AlN/GaN MIS-HEMT显示出了卓越的低噪声及高线性度,在毫米波领域具有一定的应用潜力。 相似文献
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通信工程专业是信息科学技术发展迅速的一个领域,为了满足社会对人才知识水平的需求,本科教育必须不断调整教学计划,优化课程结构。本文利用Blooml~标方法对通信工程专业课程进行整合、分类,建立了通信工程专业课程群。实践表明该方法构建了合理、规范的通信工程专业课程群,培养了满足社会需求的高素质人才。 相似文献
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