硅中铜与电子辐照缺陷的相互作用

本文研究了FZ与CZ硅中铜与电子辐照缺陷的相互作用.实验表明,这种作用使扩铜并经电子辐照的n型FZ硅出现两个未经报道的新的深中心,E(0.043)和E(0.396).前者只存在于FZ硅而不存在于CZ硅.后者在扩铜并经电子辐照的n型FZ和CZ硅中都存在.电子辐照再加适当温度的热处理还可电激活硅中的铜,另外,铜的存在还使硅中双空位的退火温度显著地降低.种种实验表明,在硅中与铜有关的六个主要能级分别对应于六种不同结构的深中心,在这些深中心之中既包含铜又包含点缺陷.其中E(0.043)很可能是铜与间隙硅原子的络合物,而E(0.167)及H(0.411)则很可能是铜与空位的不同形态的络合物.     

硅中E_c-O.18eV铜能级的单轴应力深能级瞬态谱研究

首次用单轴应力下的深能级瞬态谱法研究了N型直拉硅中与铜有关的主要深能级E_c-0.18eV.由实验结果推断,这个能级对应于硅中两个不同的铜中心,其深能级的激活能十分接近,单轴应力使偶然简并解除从而将它们分开.     

固体C_(60)/n型GaAs接触电学性质

本文研究了固体C60和n型GaAs构成的异质结的电学特性，电流-电压测量结果表明这种接触具有相当理想的整流特性，其理想因子接近于1．电流-温度测量表明，在固定正向偏压下，其电流是温度的指数函数，从中可以确定接触的有效势垒高度为1．02eV高频C-V和深能级瞬态谱（DLTS）测量结果表明，在GaAs导带以下0．35eV附近存在着密度为1011／cm2的界面态，这些界面态可能起源于C60和GaAs的相互作用．     

少子陷阱特性和铍硅共注半绝缘GaAs空穴陷阱

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术测量了高温退火的Ｂｅ和Ｓｉ共注入的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ（无掺杂）。在多子脉冲作用下的Ａｌ／Ｂｅ－Ｓｉ共注ＬＥＣＳＩＧａＡｓ肖特基势垒中，观测到Ｅ₀₁（０．２９８），Ｅ₀₂（０．３４１），Ｅ₀₃（０．５５５）和Ｅ₀₄（０．８２１）等四个电子陷阱以及两个主要的少子（空穴）陷阱Ｈ＇₀₃（０．５４）和Ｈ″₀₃（０．５７）。两少子陷阱的ＤＬＴＳ信号具有若干特点，比如它们的ＤＬＴＳ·峰难于通过增宽脉冲达到最大高度；以及峰的高度强烈地依赖于温度等。这些现象可以用少子陷阱的少子俘获和热发射理论进行合理地解释。鉴于用ＤＬＴＳ技术测量这种陷阱的困难，我们用恒温电容瞬态技术测定它们的空穴表观激活能分别为０．５４和０．５７ｅＶ。它们是新观测到的和Ｂｅ－Ｓｉ共注ＳＩＧａＡｓ有关缺陷。 关键词：     

固体C_（70）／P型Si接触的电学性质

我们制成固体Ｃ７０／ｐ型Ｓｉ单晶半导体异质结电流电压（Ｊ－Ｖ）测量表明该结具有强整流作用，当偏压为±２Ｖ时，其整流比大于１０４倍电流温度（Ｊ－Ｔ－１）测量表明结的正向电流与温度的倒数呈指数关系，从中可得接触势垒的有效高度为０．２７ｅＶ．     

DEEP LEVELS RELATED TO COPPER IN SILICON

Energy positions and carrier capture cross sections of the deep levels related to copper insilicon are measured by the DLTS.The annealing behaviour and spatial distributions of some of these levelsare also studied.The results show that there are no triple aceeptor or quadruple states corresponding to thesubstitutional copper in silicon,which have been reported in literature.Most of the deep levels related tocopper in silicon correspond to complexes of copper and defects in silicon.     

固体C_(60)/n-GaN接触的电学性质

本文通过在ＧａＮ衬底上生长固体Ｃ６０膜制成了Ｃ６０／ｎ－ＧａＮ接触,并对其电学性质作了测量．我们发现该接触是理想因子接近于１的强整流接触异质结．在偏压为±１Ｖ时,其整流比高达１０６．在固定正向偏压条件下,异质结电流是温度倒数的指数函数,通过求激活能得出异质结的有效势垒高度为０．５３５ｅＶ．本文还发现,固体Ｃ６０／ｎ－ＧａＮ样品中Ｃ６０的电导随着正向偏压的增加而迅速变大．这种现象被认为起因于ｎ－ＧａＮ对Ｃ６０的电子注入．     

判别两个或两个以上深能级是否属于同一中心的方法

本文分别研究了两个或两个以上深能级之间的耦合和非耦合两种情况所对应的光电容瞬态,根据这两种瞬态的本质差别,提出一个判别两个或两个以上深能级是否属于同一深中心的方法。它具有适用于两个以上的多个深能级的样品以及方法简单和测量时间短等优点。作为例子,将它应用于判别硅中和金有关的施主和受主两能级,结果证实它们确实是属于和金有关的同一中心,而不是分属于两个中心。 关键词：     

在MOS结构Si-SiO2界面上的一个主界面缺陷

本文用DLTS测量了P型硅MOS结构Si-SiO₂界面的缺陷,发现了一个主界面缺陷H_it(0.503),其特点是:在测量温度范围内,它的平均空穴离化吉布斯自由能ΔG_P≥0.503eV;当栅压使Si-SiO₂界面处Fermi能级与硅价带顶的距离明显小于ΔG_P时,它仍然具有很高的DLTS峰;随着半导体表面电位势的缩小,它的空穴表现激活能明显增大;它对空穴的俘获过程造成合脉冲宽度的多指数电容瞬态,难于用有限宽度的脉冲电压引进的空穴对其作饱和填充。上述实验结果表明:热氧化生长形成的Si-SiO₂系统的能带是从共价键硅的能带连续过渡到SiO₂的能带;H_it(0.503)分布在其中的过渡区中,它的能级与价带的距离随着离开硅表面越远而越大。     

固体C_(60)/p-GaAs异质结的整流特性和界面电子态

我们将Ｃ６０膜淀积在ｐ－ＧａＡｓ〈１００〉衬底上，做成了固体Ｃ６０／ｐ－ＧａＡｓ异质结并对其电学性质做了研究．异质结的理想因子接近于１，在偏压为±１Ｖ时，其整流比大于１０６倍．在正向偏压固定的情况下，结电流的对数与温度倒数成线性函数关系，从关系中求出异质结有效势垒高度为０．６３ｅＶ．用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术在Ｃ６０／ｐ－ＧａＡｓ界面上观测到一个空穴陷阱，其能级为ＧａＡｓ价带之上０．４５ｅＶ，密度为２．４×１０１１／ｃｍ２．这样少的界面态存在于Ｃ６０／ｐ－ＧａＡｓ界面上可能意味着Ｃ６０膜对ＧａＡｓ表面