SOS膜横断面的电子显微镜研究

本文叙述用高温氢退火处理提高SoS膜的结晶质量的实验结.SOS膜的光吸收因子F_A值在氢退火温度920～1020℃,4.5小时下可下降20～30%,达到126×10~6cm~(-2).SOS膜横断面电镜观察证明,SOS膜结晶质量的改善是与界面附近微孪晶、层错等缺陷的减少有关.     

SOZ膜结晶质量的研究

研究了预处理工艺对SOZ膜结晶质量的影响。用SEM、AES,SIMS及TEM技术分析其原因。结果表明,预处理工艺以1200～1250℃、60～120分为好。     

克服铝自掺杂工艺的新进展

克服铝自掺杂的高温处理新工艺与背封工艺一样,能起到抑制铝自掺杂的作用。该工艺已在实践中取得应用。     

新型传感器讲座 第二讲 新颖半导体力敏传感器

力敏器件,主要是指用来测量力、压力、速度、加速度、位移、振动等物理量的敏感器件.因这些测量都与机械应力相关,所以通称为力敏器件,并把封装成为一个整体的称为力敏传感器. 人们对力敏器件的研究已有悠久的历史,经过几十年的发展,已奠定了雄厚的技术和工业基础.但随着近几年现代信息科学的迅猛发展,特别是大规模和超大规模集成电路的发展以及微处理机的问世,原有     

兰宝石上外延硅工艺及其应用

本文着重于SOS材料制备及提高其性能的工艺.并用它研制成硅-兰宝石半导体压力传感器及LC4023和LC4027辐射加固的CMOS/SOS集成电路.其主要性能为国内领先,达到八十年代的国际同类产品的水平,并已用于工业部门.     

Si~+注入SOS中退火固相外延再生长改善结晶质量

本文研究Si~+室温深注入(150～160keV,1～3×10~15/cm~2)SOS中600+1050℃两步退火固相外延再生长改善SOS膜界面附近结晶质量和Si~+室温浅注入(85keV,3×10~(15)/cm~2)SOS中600+1050℃两步退火固相外延再生长改善SOS膜表面结晶质量的工艺.180keVH~+沟道效应—背散射测量表明,两步Si~+注入和两步退火团相外延再生长工艺能够有效地改善SOS膜结晶质量°表面归一化最小产额x_o、界面最小产额x_i 和退道率dx/dz分别减小到0.06、0.12和0.19/μm.     

用于硅烷掺杂薄层外延的不锈钢装置及其应用

设计制造了硅烷掺杂薄层外延的不锈钢装置.它具有氢气纯度高、密封性好、流量调节范围大等优点,并能进行N型掺杂或P型掺杂的外延膜生长.实验表明,既适用于同质薄层外延,也适合于异质薄层外延.     

SOS膜的铝自掺杂剖面

用SIMS技术对表面覆盖金的SOS片进行了铝自掺杂剖面研究.结果表明,不同工艺对SOS膜的铝自掺杂剖面曲线影响很大.背面封闭的SOS片的铝自掺杂剖面曲线十分陡削,过渡层厚度为450-750A;背面不封闭的SOS片的铝自掺杂剖面曲线不陡削,过渡层厚度为1200-1800A.同时,在过渡层以外背面不封闭的 SOS片中的铝杂质含量比背面封闭的 SOS片高很多.讨论了自掺杂形成的原因并对上述实验结果提出了解释.     

高可靠SOS固态压力传感器

本文报导了高可靠SOS压力传感器研制的实验结果,特别是可靠性试验方法和应用效果。所得传感器的主要性能为:量程0～20MPa,工作温度-55°～300℃,精度0.2～0.5％,满度输出100±20mV,平均寿命(MTTF)≥1×10~6次。