高靶材利用率高镀膜均匀性条形溅射靶的设计与实现

针对传统条形磁控溅射靶磁场分布不理想、靶材利用率低、镀膜不均匀等不足,通过优化磁场分布,缩小条形靶端部与中部的磁场差距,增大靶材的刻蚀均匀性,增大有效镀膜区,从而提高靶材利用率和改善镀膜均匀性.本文结合模拟仿真、结构设计与工艺验证的方式,开发出一种镀膜均匀性优于3％、靶材利用率超过30％的条形磁控溅射靶.     

基于MOCVD高/低温调制生长AlN模板材料方法

宽禁带半导体紫外光电器件和功率半导体器件的发展对AlN材料和高Al组分AlGaN材料有着迫切的需求.由于缺乏大尺寸AlN同质衬底,基于异质外延生长的AlN模板材料成为了宽禁带半导体器件制造的最佳选择.但是,由于Al原子表面迁移能力较差,AlN外延材料表面易呈现岛状生长模式,导致AlN模板材料的晶体质量和表面质量较差,严...     

硅基低压MOSFET器件漏电失效分析

硅基低压MOSFET器件广泛应用于小电流驱动、电源控制模块等高科技领域,MOSFET器件失效主要是由生产过程中的工艺异常或缺陷导致。本文介绍了热点分析/聚焦离子束-扫描电镜的高精度检测方法,该方法可快速检查沟槽MOSFET器件电学性能及膜层结构失效。本文结合沟槽MOSFET的制备流程,阐明了由于多晶硅淀积工艺异常及过量刻蚀所导致的管芯边缘区域漏电失效并分析了其中原因,列举了改善及预防措施细则,为进一步优化刻蚀沉积设备提供了工艺依据。