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壳聚糖的表面活性和聚集 总被引:14,自引:0,他引:14
壳聚糖是甲壳素的脱乙基产物 ,作为唯一的阳离子型聚电解质天然多糖 ,具有许多独特的性质 ,在生物、医学、食品、水处理等许多领域有广泛的应用或呈现出诱人的应用前景 [1~ 4].然而 ,从表面化学的角度 ,壳聚糖是否具有表面活性、在水溶液中是否聚集尚是一个有争议的问题 [5、 6].本研究结果表明壳聚糖具有表面活性 ,在水溶液中单个分子就能聚集 ,临界聚集浓度 cac≈ 0,对非极性有机物芘具有明显的增溶作用 .属于结构特殊的阳离子型高分子表面活性 剂 .1实验部分 1.1试剂 壳聚糖:以虾壳为原料 ,用稀碱处理除去蛋白质 ,再用稀酸处理除去… 相似文献
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研究了沟槽栅与平面栅结构1 200V/20A场截止(Field-stop)型(绝缘栅双极型晶体管)(IGBT)的短路耐量特性,从测试电路参数与器件本身的结构与工艺两方面对具有沟槽栅及平面栅结构的场截止型IGBT进行了探究,其中热耗散为引起击穿的主要原因。实际制作了沟槽栅-场截止型IGBT,采用优化的正面沟槽结构结合背面场截止薄片工艺,选择了合适的集电极-发射极间的饱和电流保证器件具有较低的导通压降的同时减少了焦耳热的产生,提升了芯片自身的抗短路能力(tsc>12μs),有利于沟槽栅IGBT应用的可靠性。 相似文献
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文中在图论理论基础上,建立了便利店多元组合制冷系统的热力循环的数值计算模型,并在三种不同压缩机组构建方案以及使用三种不同工质的条件分别对压缩机组的性能以及系统各部件的制冷量进行了对比计算,通过对计算结果的分析选出了最佳方案并对比了各工质的工作性能。 相似文献
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目前低压瞬间电压抑制(TVS)二极管工艺参数的研究还不够深入.从深p型(DP)基区杂质浓度、杂质注入能量及基区尺寸控制三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响.当DP注入剂量小于6.0×1014cm-2时,pn结以雪崩击穿为主,耐压大于6V.DP注入能量在50 keY以下与高浓度n+区复合形成的pn结雪崩击穿耐压大于6V;当控制基区尺寸使n+集电区与DP基区的间距大于1.2 μm时击穿电压保持为7V,但是随着n+与DP基区的间距增加,电流导通路径受到挤压变窄,在相同的反向测试电流下,器件耐压略有提升.通过对单向TVS工艺仿真优化,选择了关键工艺参数,并进行了工程实验,制备了兼具低电容和高抗ESD能力的TVS器件,保证了对主器件实施可靠的保护. 相似文献