用于锑化铟电荷注入探测列阵的金属薄膜的制备和厚度控制

本文简单叙述了锑化铟(InSb)电荷注入(CID)探测列阵的基本原理和工艺条件,并给出了实验结果。介绍了一种新颖的、与常规不同的铬膜淀积工艺,使用了控制厚度的监控探针和改善薄膜厚度均匀性的双源。厚度可控制在60～100,这个技术可提供满足器件制作要求的金属膜,达到了预期的目的。     

有机电致发光数码显示器件的初步研究

用改进的电子束蒸发系统制作了结构为ＩＴＯ／ＣｕＰｃ／ＴＰＤ／Ａ１ｑ３／ＭｇＡｇ的有机ＥＬ数码显示器件,并对器件进行了实用化封装,测量了器件的Ｂ－Ｖ曲线和电致发光光谱。研究了使用直汉方式和交流方式驱动下器件的性能,证明了使用交流方式驱动的有机电致发光器件较直流昔使用寿命得以大大提高。     

4×4掺铟硅CID阵列的研制

本文介绍了非本征硅红外探测器工作机理,叙述了4×4面阵探测器的设计和研制中的要点,给出了4×4掺铟硅CID阵列的部分性能参数。在79K温度下,探测元的D值为(1～4)×108cm~(1/2)W~(-1)。