一种双模式 6-9 GHz 正交频分复用超宽带发射机

本文设计了一个全集成双模式 6-9 GHz 多带正交频分复用超宽带发射机,兼容 WiMedia 和中国标准。所设计的发射机主要包括：双模式的低通滤波器,上混频器,两级功率放大器以及一个用于产生本振信号的高频宽带频率除法器。 测试结果表明,此发射机在 6-8.7 GHz范围内的增益平坦度小于 1.5,而在 6-9 GHz范围内增加到 2.8 dB; 输出三阶交调量约为 13.2 dBm;输出 1dB 压缩点约为 2.8 dBm; 载波泄漏和边带抑制比分别为 -35dBc 和 -38 dBc。 本芯片采用 TSMC 0.13 μm 射频 CMOS 工艺制造,面积为 1.6 mm1.3 mm。在 1.2 V 电源电压下核心电路消耗电流为 46 mA。     

椭偏仪数据处理及误差修正

提出了一套对椭偏仪的测量误差进行有效修正的方案,设计了一个Windows版的椭偏仪测厚数据处理软件,并在该软件中嵌入了对测量数据的误差进行修正的方法,使椭偏仪的最终测量结果更加精确。制作了30片厚度梯度分布的标准样片（厚度20nm～1μm）,用于从“软”、“硬”件两个方面对椭偏仪进行误差修正,使最终的误差小于1％。本文所提出的修正方案具有一定的普适性、实用性。     

A dual-mode 6-9 GHz transmitter for OFDM-UWB

This paper presents a fully integrated dual-mode 6 to 9 GHz transmitter for both WiMedia and China MB-OFDM UWB applications.The proposed transmitter consists of a dual-mode I/Q LPF,an up-conversion mixer, a two-stage power driver amplifier and a broadband high-speed frequency divider with LO buffers for I/Q LO carrier generation.The measurement results show that the gain ripple of the transmitter is within±1.5/±2.8 dB from 6 to 8.7/9 GHz.The output IP3 is about+13.2 dBm,the output 1dBCP is around +2.8 dBm,and the LO leakage/sideband rejection ratio is about-35/-38 dBc.The ESD protected chip is fabricated with a TSMC 0.13μm RFCMOS process with a die size of 1.6×1.3 mm~2 and the core circuit consumes only 46 mA under a 1.2 V supply.     

一种应用于双载波正交频分复用的超宽带单片射频收发机

本文给出了一种用于双载波正交频分复用的超宽带单片射频收发机芯片。该芯片采用直接变频结构,片内共集成了两路接收机,两路发射机,一个双载波频率综合器并提供控制收发机工作状态的三线串行接口。此芯片使用台积电 0.13 微米射频CMOS工艺制造,尺寸为 4.5mmx3.6mm。测试结果表明：该收发机的接收机链路噪声系数为 5~6.2dB,最大增益为 78~84dB,可变增益为 64dB,带内和带外三阶交调点分别为-6dBm和 4dBm,在所有频带上都获得良好的输入匹配（S11<-10）;该收发机的发射机最大可输出-5dBm 功率,带内主要杂散均小于 -33dBc（镜像抑制<-33dBc,载波泄露<-34dBc）,典型的输出三阶交调点为 6dBm;该收发机的双载波频率综合器可以同时输出两路频率可独立配置的载波信号,其跳频时间小于1.2ns。在1.2V单电源供电下,整个射频芯片消耗最大电流为420mA。