一种基于电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路

基于相变存储器的擦操作(SET)特性,设计了一种能够产生电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路,采用130 nm标准CMOS工艺将其与128 kb的相变存储器实验芯片集成.相比传统的单一电流脉冲擦驱动电路,这种改进后的擦驱动电路能将相变存储单元的电阻均值从15 kΩ左右降至7 kΩ左右,并且存储阵列的阻值分布一致性也得到提升...     

一种1kb相变存储芯片的设计

以中科院上海微系统与信息技术研究所自主研发的相变存储器工艺为基础,开发了一款容量为1 kb、可应用于射频标签(RFID)的嵌入式相变存储芯片.该芯片以1T1R为基本单元结构,采用箝位读出方式以及电流镜式写驱动电路,成功实现了相变存储器的读写功能.测试结果显示,该芯片可重复擦写次数达到107次,在80℃条件下数据保持力达...     

基于0.13μm工艺的8Mb相变存储器

采用0.13 μm工艺,4层金属布线,在标准CMOS技术的基础上增加3张掩膜制备了一款8 Mb相变存储器.1.2V的低压NMOS管作为单元选通器,单元大小为50 F2.外围电路采用3.3V工作电压的CMOS电路.Set和Reset操作电流分别为0.4 mA和2 mA.读出操作的电流为10 μA,芯片疲劳特性次数超过了1...     

大功率射频板条CO_2激光器电极波导介质膜研究

针对高功率射频板条CO2激光器铜电极表面放电氧化、受射频放电的电子溅射,致使电极表面不光滑,辉光放电不均匀,光波导损耗严重等问题。利用Al2O3波导介质膜具有的反常色散效应、耐高温能力强的特点,采用磁控溅射镀膜技术对激光器电极表面先镀Al,而后阳极氧化获得Al2O3波导介质膜。分析了磁控溅射工艺对膜层结构的影响,测量了镀膜电极对CO2激光的反射率,并进行了放电实验检测。结果表明,溅射功率为250 W时可得到致密的镀膜层结构;厚度6μm的Al2O3薄膜,对波长10.6μm的CO2激光波导反射率最高达75%;电极镀膜后激光器输出功率在占空比为30%时为700 W,占空比为60%时达到了1300 W。     

基于相变存储器的SD卡系统设计

基于中科院上海微系统研究所自主研发的相变存储器芯片,设计并实现了国内首个以相变存储器为存储介质的SD卡系统.本系统由多接口SoC芯片、6.375 Mbits相变存储器芯片以及外围控制电路等构成.系统通过SD/MMC接口与上位机进行数据通信,并使用FAT文件系统进行管理.该SD卡系统容量为256 kb,读取速度为2Mb/s,写入速度为0.5Mb/s.     

机载激光冒达风切变探测研究

介绍了用于风切变测量的激光雷达外差探测系统,阐述了其工作原理,根据CO2雷达系统与Ho:YAG雷达系统相关参数进行信噪比模拟和风速误差对比,模拟结果表明:波长2.1 μm的Ho:YAG雷达和10.6 lμm CO2都适合机载低空风切变探测.通过对比,无论系统效率还是衰减率,Ho:YAG的性能都更为优良、误差更小、探测距离更远.     

机载激光雷达风切变探测性能分析

介绍了用于风切变测量的激光雷达外差探测系统，阐述了其工作原理，根据CO2雷达系统与Ho：YAG雷达系统相关参数进行信噪比模拟和风速误差对比，模拟结果表明波长为2．1μm的Ho：YAG雷达和波长为10．6μm CO2雷达都适合机载低空风切变探测。通过对比表明Ho：YAG雷达的性能更为优良，误差更小，探测距离更远。     

Enhanced Performance of Phase Change Memory Cell Element by Initial Operation and Non-Cumulative Programming

A phase change memory （PCM） device, based on the Ge2Sb2Te5 （GST） material, is fabricated using the standard 0.18-μm CMOS technology. After serials of detailed experiments on the phase transition behaviors, we find that the RESET process is strongly dependent on the state of the inactive area and the active area affects the SET process dramatically. By applying a 5-mA current-voltage （I — V） sweep as initial operation, we can reduce the voltage drop beyond the active area during the RESET process and the overall RESET voltage decreases from 3 V plus to 2.5 V. For the SET operation, a non-cumulative programming method is introduced to eliminate the impact of randomly formed amorphous active area, which is strongly related to the threshold switching process and SET voltage. Combining the two methods, the endurance performance of the PCM device has been remarkably improved beyond 1 × 106 cycles.     

基于相变存储器器件单元的电流脉冲测试系统

相变存储器单元的测试主要包括set、reset和read操作,目前国内外多采用施加电压脉冲的方法对相变存储单元进行reset操作,这不仅容易造成器件的损坏,而且使得相变过程中瞬态电流的准确计算非常困难。与常规测试方法不同,文章提出一种专门针对相变存储器的电流脉冲测试系统,该系统可以提供准确可控的电流脉冲来对相变存储器器件单元进行操作。