GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析

用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格，激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作. 用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构，电子衍射也表明生长的超晶格样品质量较好. 在透射电镜图中看到了Al, Ga原子的聚居点，这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点. 同时观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形，这是外延生长导致的.     

用选择混合InGaAsP-InGaAsP量子阱技术研制的两段波长可调谐分布布拉格反射激光器

采用选择混合InGaAsP InGaAsP量子阱技术,研制出单脊波导结构的两段可调谐分布布拉格反射(DBR)激光器.激光器的阈值电流为51mA ,可调谐范围为4 6nm ,边模抑制比(SMSR)为40dB .     

Improvement of Properties of p-GaN by Mg Delta Doping

The Mg-delta-doped GaN structure has been grown by low-pressure metalorganic chemical vapour deposition.The Hall-effect measurements reveal that the electrical properties are enhanced. The hole concentration is enhanced twice and hole mobility is enhanced three times by Mg-delta doping. Both the etch pit density data and the x-ray diffraction data demonstrate that Mg-delta doping can reduce the threading dislocation density of p-type GaN epilayer.     

卫星通信概况及其发展

当今世界,随着大规模集成电路和光导纤维的应用,各种现代化的通信系统得到了长足的发展,由于卫星通信传播速率较高,而且组网灵活,不仅能对地面网络起到补充和完善的作用,而且可以自成一体,构成天基网络,它在国际通信、国内通信、国防通信、移动通信和广播电视等领域得到了广泛应用.本文首先论述了卫星通信技术的相关概念及其系统组成,在此基础上探讨了通信产业的现状及发展趋势.     

GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析

用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构,电子衍射也表明生长的超晶格样品质量较好.在透射电镜图中看到了Al,Ga原子的聚居点,这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点.同时观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形,这是外延生长导致的.     

使用SiO2介质膜实现InGaAsP量子阱混杂

报道了使用SiO2介质膜导致的无杂质空位扩散实现InGaAsP多量子阱混杂的实验,得到200nm的最大带隙波长蓝移.另外,采用量子阱混杂制作了蓝移的FP腔激光器,其性能与未混杂的激光器相当.     

Effect of Al Doping in the InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light Emitting Diodes Grown by Metalorganic Chemical Vapour Deposition

The effect of Al doping in the GaN layer of InGaN/GaN multiple quantum-well light emitting diodes （LEDs） grown by metalorganic chemical vapour deposition is investigated by using photoluminescence （PL） and highresolution x-ray diffraction. The full width at half maximum of PL of A1 doped LEDs is measured to be about 12nm. The band edge photoluminescence emission intensity is enhanced significantly. In addition, the in-plane compressive strain in the Al-doped LEDs is improved significantly and measured by reciprocal space map. The output power of Al-doped LEDs is 130mW in the case of the induced current of 200mA.     

使用低能离子注入导致的量子阱混杂方法制作可集成的分布式Bragg反射激光器

采用量子阱混杂的方法制作了可集成的分布式Bragg反射激光器.通过同时控制相位区和光栅区的注入电流,该激光器的波长可以准连续地调谐4.6nm.在整个调谐范围内,除了少数几个模式跳变点以外,激光器的单模特性保持良好,边模抑制比均达到了30dB以上.     

BIG结构的可调谐分布布拉格反射激光器

提出并制作出一种可调谐 BIG- RW结构的激光器 ,该激光器包括两个不同耦合系数的 Bragg光栅 .激光器的阈值电流为 38m A,输出功率大于 8m W,可调谐范围是 3.2 nm ,边模抑制比 (SMSR)大于 30 d B,在整个调谐范围内 ,功率变化小于 0 .3d B.     

用选择混合InGaAsP-InGaAsP量子阱技术研制的两段波长可调谐分布布拉格反射激光器

采用选择混合InGaAsP-InGaAsP量子阱技术,研制出单脊波导结构的两段可调谐分布布拉格反射(DBR)激光器.激光器的阈值电流为51mA,可调谐范围为4.6nm,边模抑制比(SMSR)为40dB.