4H-SiC基超结器件各向异性的TCAD建模分析

基于文献报道的4H-SiC材料的各向异性物理特性,首次提出4H-SiC基超结器件的各向异性物理模型,并对不同晶向的碰撞电离分别进行考虑。基于该模型,我们对 和 两种晶向晶圆的4H-SiC超结器件的电学特性进行了研究。与 晶圆相比, 晶圆的碰撞电离系数较小,可以实现更高的击穿电压。由于碰撞电离各向异性,与传统4H-SiC基器件相比,超结器件的二维电场分布可以将 晶圆器件的击穿电压从 晶圆器件的60%提高到72%。