真空荧光显示器件及驱动技术

ＶＦＤ在平板显示中占有重要地位，本文简述了其发光原理和发展现状，讨论了各种ＶＦＤ的结构特点和驱动方法，并介绍了专用的集成电路。     

真空荧光显示器应用的现状及发展

本文综述了真空荧光显示器的应用领域，给出了各类ＶＦＤ的主要技术指标和特点，也介绍了作为打印机光源和象素管的平板荧光器件；并讨论了今后的发展趋势。     

一种用于碳纳米管FED的荧光粉SiO2包膜处理

针对用于 FED 的荧光粉应该是适合 FED 特殊工作机理的专用阴极射线激发发光材料,提出一种以绿色荧光粉ZnS:Cu,Al 为基质,采用溶胶一凝胶法在其表面包覆一层 SiO＜2 薄膜作为 FED 用荧光粉.通过对包膜过程中的工艺条件,主要是 TEOS 浓度、溶液的 pH 值和回流温度的改变,在可拆卸式 FED 中研究生成 SiO2 薄膜包复的荧光粉对FED发光性能的影响,从而得到可获得高发光性能 FED 的包复 SiO2薄膜的最佳工艺条件.     

1keV以下的电子荧光及四极彩色荧光显示器结构探讨

本文分析了开发彩色荧光显示器(VFD)所存在的问题;论述了带螺旋端点阴极、前发光型四极平板VFD的结构;探讨了在新型VFD中使用Y_2O_2S:Eu、ZnS:Cu,Al和ZnS:Ag为三基色发光材料、在阳极电庄≤1keV时实现彩色显示的原理,并给出了一个有十二种发光颜色的频谱显示器件的实例.     

用于液晶背照明的阴极射线发光灯

美国Imaging and Sensing Technology Co.(ISTC)的T.Dunbar和W.Whitson在今年的SID会议应用论文集上发表了一仲带电源的高效、高亮度、无汞阴极射线发光灯(简称CLL),它可用于有源矩阵液晶显示器件(AMLCD)的背照明光源。在-55℃至70℃的范围内,具有极好的隐定性;亮度为1至10000英尺郎伯(fL,IfL=3.426cd/m~2);CLL的有效寿命为10000小时。一只寿命试验的样品经过6000小时的老化,其亮度比其初始值降低了18％。     

高性能真空荧光显示器(VFD)开发和应用

对目前广为应用的真空荧光显示器件（VFD）的发光原理和性能特点进行了较详细的分析;针对国内外VFD的应用和生产的现状,从提高显示质量和便于使用的角度,指出我国VFD发展的几个问题。     

三色矩阵荧光显示屏

日本伊势公司研制成发光点数为320×240的三色矩阵荧光显示屏.该屏的结构与一般荧光显示屏相似,有一直热式阴极、由金属薄片光刻而成的栅极和涂复有发光粉的阳极.在栅极和阳极的作用下,从阴极发出的电子有选择地轰击以矩阵排列的点状发光粉发光,从而形成图案.不同的是,伊势公司研制成的三色荧光显示屏的发光点阵是用三种发光粉在阳极上光刻而成.这三种发光粉是发红光的(ZnCd)S∶Ag+     

特色与创新两翼齐飞——对发展VFD之我见

1967年,日本的中村正用低能电子发光原理、以ZnO:Zn为发光粉发明了第一只真空荧光显示器件(VacuumFluorescent Display,VFD),伊势公司迅速将其商业化,并取得了极大的成功。产品由数码管发展到平板多位数码、文字和符号的复合显示屏、矩阵屏,以及显示图像的视频显示屏;颜色由单一的蓝绿色发展到多色;广泛用于仪器仪表、办公设备和家用电器等,VFD在近几年平板显示市场中占第二位。从发明开始它就有下列优点: 1.工作电压低,20V左右,每个回路的驱动电流几mA。家电中的IC可以直接驱动。     

突破障碍发展真空荧光显示器件

综述了真空荧光显示器件的发展现状；分析了发光材料、器件制作工艺和相关技术中存在的问题，并简析了今后的发展动态。     

1keV以下的电子荧光及四极彩色荧光显示器结构探讨

本文分析了开发彩色荧光显示器(VFD)所存在的问题;论述了带螺旋端点阴极、前发光型四极平板VFD的结构;探讨了在新型VFD中使用Y2O2S:Eu、ZnS:Cu,Al和ZnS:Ag为三基色发光材料、在阳极电庄≤1keV时实现彩色显示的原理,并给出了一个有十二种发光颜色的频谱显示器件的实例.