提高集成电路后工序成品率的方法

本文从生产实际出发，剖析了影响集成电路后工序成品率的原因，并针对生产线工序指数能力着手，找到了解决问题的方法，使成品率有了很大的提高。     

高阻真空区熔硅单晶的生长

介绍了高阻真空区熔硅单晶的研制工艺,研制出了导电类型为p型,电阻率(3～5)×103 Ω·cm及(1～2)×104Ω·cm两种规格的真空区熔硅单晶,其中电阻率(3～5)×103Ω·cm规格单晶的研制除需要进行真空区熔提纯外,还要进行微量的p型区熔掺杂.单晶直径30～35 mm,晶向〈111〉.经检测无位错及漩涡缺陷,单晶的少数载流子寿命达到1500μs以上.     

具有恶化效应和凸资源分配关系的单机排序问题

研究工件加工时间具有恶化效应和凸资源关系的单机排序问题,其中工件的实际加工时间是其正常的加工时间,工件开工时间(具有恶化效应)及消耗资源量的函数。目标为在最大完工时间(总完工时间、总等待时间、完工时间总绝对差与等待时间总绝对差)小于或等于给定常数的条件下找到工件的最优排序和最优的资源分配使工件的总资源消耗量最少。在单机状态下,证明了此问题是多项式时间可解的,并给出了求解该问题的算法和数值实例。     

悬浮区熔法生长锗单晶

采用悬浮区熔工艺,生长出了最大直径(等径部分)22 mm的<100>晶向锗单晶,单晶等径长度20 mm,总长度80 mm。为减小锗单晶生长中的重力作用,并提高温度梯度以增强结晶趋动力,特别设计了锗单晶生长用的加热线圈,包括设计线圈的内径为18 mm,线圈的下表面设计为0°的平角,上表面设计成9°的锥形等。改进后的加热线圈有效地减小了熔体的质量,消除了熔体因重力作用而引起的下坠及因下坠而在上界面形成的无法熔化的腰带。实验表明,锗单晶生长对功率变化非常敏感,生长过程中极易引入位错,但在有大量位错的情况下,晶棱能依然保持完好。     

一类具有潜伏期和染病年龄的SEIR传染病模型

研究了一类具有潜伏期和染病年龄的SEIR传染病模型,利用特征线法、积分方程理论和Banach不动点定理证明了该模型局部解的存在唯一性,通过先验估计证明了整体解的存在唯一性,并利用Gronwall不等式证明了解对初值的连续依赖性.最后,讨论了解的正则性.     

具小全变差拟线性双曲组的整体经典解

对一阶拟线性双曲组具慢衰减小全变差初值的Cauchy问题得到了整体经典解的结果，并且给出一个应用举例．这一结果对紧支集的结果给予了推广．     

生长系统对高阻区熔硅单晶径向电阻率变化的影响

分别采用L4375-ZE区熔炉和CFG/1400P区熔炉,生长了N型、(1.5～4.5)×103Ω.cm和P型、(1.0～5.0)×104Ω.cm两种规格的高阻区熔硅单晶,单晶的直径为52～54 mm,晶向为<111>。经对单晶的电阻率及其径向分布进行检测对比后发现,在加热线圈几何结构(包括上下表面角度、内径尺寸及台阶设计)基本相同、单晶生长速率相同且上、下晶轴旋转具有相同配置的情况下,不同的单晶生长系统所生长的单晶,其电阻率径向均匀性有明显差异,用L4575-ZE区熔炉生长的单晶的电阻率径向分布更均匀。     

硅中微量硼元素的区熔掺杂

以高纯B2O3的水溶液为掺杂剂,采用将掺杂剂逐点滴涂在硅棒表面后再进行区熔的方式,实现了硅材料的微量硼掺杂,研制出了导电类型为p型、电阻率为3 000~5 000Ω·cm的区熔用硅多晶。实验表明,区熔掺杂完成后附加的一次真空区熔过程,使杂质在多晶硅中的分布变得更加均匀。在确定的工艺条件下,由于掺杂前及掺杂后多晶硅轴向电阻率的一致性、实验用多晶硅样本的大小、所需掺杂剂剂量的多少等因素均会影响掺杂的准确性,因此需要在相同条件下进行多次实验,通过积累大量的实验数据以实现准确掺杂。     

一种基于红外成像的强反射金属表面缺陷视觉检测方法

根据红外成像特性及金属表面缺陷区域灰度分布变化缓慢的特点,提出了一种基于小波纹理特性统计分析的铜带表面缺陷视觉检测方法.利用CCD视觉传感器获取受检金属表面的红外影像资料,引入一阶Haar小波分解红外图像,抽取4个小波特性,然后分别使用Hotelling T2和X2多变量统计法融合4个小波特性.最后根据统计值判别图像是...