超宽带大功率合成器设计北大核心CSCD

在80 MHz~1 GHz频段,单个功率管输出功率能达到100 W以上,为研制输出功率400 W的功率放大器,文中设计了四路功率合成器。该合成器需要实现功率容量大、工作频带宽、体积小的设计目标。在功率容量方面,文中采用悬置带状线结构,其功率容量远远大于微带线结构;在工作频带方面,采用切比雪夫九节阻抗变换器,将工作带宽拓宽为80 MHz~1 GHz;在体积方面,文中合成器的功率合成部分采用Y型节级联实现四路功率合成,阻抗变换部分采用切比雪夫阻抗变换器进行阻抗变换,该结构相较于磁环巴伦功率合成器,不但具有损耗小、平坦度高的优点,而且通过将阻抗变换器设计成曲折的形状,进一步缩小了合成器体积。仿真与实测结果显示该合成器在80 MHz~1 GHz范围内还具有较高的平坦度,合成效率可达90%以上。     

有限时滞微分系统依照双测度的实际稳定性

本文对具有有限时滞的泛函微分方程建立了关于依照两种测度的实际稳定性的Razumikhin型判定定理，其中未采用通常的辅助函数，且可运用多个含有状态变量x的部分变元的Lyapunov函数，得出部分变远实际稳定性的判定定理，从而改进了已有的结果。     

Ga1-xInxAs/InAsyP1-y/InP异质结的MOCVD生长及表征

Ga1-xInxAs(x>0.53)材料是未来长距离低损耗光纤通信的理想光源材料和探测器材料之一.我们采用水平常压MOCVD系统,在InP衬底上成功地生长了Ga1-xInxAs(x>0.53)/InAsyP1-y/Inp异质结材料.其中InAs1-yPy为组份阶梯变化的多层结构.由样品的(400)面X光衍射结果测定了各层组份.由二次离子质谱(SIMS)得到了样品剖面组份变化结果,证明InAs1-yPy层组份为阶梯状变化的.通过对光致发光结果和X光衍射结果比较,可以看到,InAsyP1-y层通过位错和弹性畸变二种方式来释放或积累Ga1-xInxAs与InP间的失配应力,从而减少了Ga1-xInxAs中的失配位错.有效地改善了Ga1-xInxAs的质量.已获得了x高达0.94表面光亮的Ga1-xInxAs/InAs1-yPy/InP异质结材料.     

试谈思路与技巧

函数是中学数学教材中的重点,同时也是难点。为什么这样提出呢?理由是:函数是高等数学中的基本概念之一,在各个分支里不少地方经常用到它。特别是近代科学技术在蓬勃发展,数学作为一种工具,它和各门学科都有密切的关联,因而函数概念更是必不可少的,所以     

Ce3+-冠醚配合物的紫外有机电致发光

采用5d-4f跃迁的稀土Ce³⁺-冠醚配合物(Ce-二环己基并-18-冠-6,Ce-DC18C6)作为发光掺杂剂,4,4'-二(9-咔唑基)联苯(CBP)为基质,设计制备了紫外发光器件:ITO/CuPc/Ce-DC18C6:CBP/Bu-PBD/LiF/Al,首次观测到峰位于376nm的Ce³⁺离子的紫外电致发光。通过对比器件的EL谱与Ce³⁺-冠醚配合物薄膜的PL谱发现,EL光谱中有部分来自Ce³⁺配合物中的Ce³⁺离子的。这种5d-4f电子跃迁的掺杂质量分数为3%时,该UV-发光器件的最大辐射功率为13μW/cm²。     

慢性氟中毒大鼠肝细胞线粒体的体视学研究

慢性氟中毒大鼠肝细胞线粒体的体视学研究郑淑芳，张瑞祥，郑纪宁，刘胜张乃鑫，章鸣放，王晓燕（承德医学院，承德０６７０００）（天津医学院，天津３０００７０）慢性氟中毒不仅损伤牙齿，骨骼等硬组织，而且还损伤许多软组织和器官￣［１］，其中，肝脏的损伤已日益受...     

STABILITY OF SOLUTIONS OF GENERALIZED LOGISTIC DIFFERENCE EQUATIONS

ＳＴＡＢＩＬＩＴＹＯＦＳＯＬＵＴＩＯＮＳＯＦＧＥＮＥＲＡＬＩＺＥＤＬＯＧＩＳＴＩＣＤＩＦＦＥＲＥＮＣＥＥＱＵＡＴＩＯＮＳ￥ＷｉｌｌｉａｍＢｒｉｄｅｎａｎｄＺｈａｎｇＳｈｕｎｉａｎ（张书年）（ＵｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＲｈｏｄｅＩｓｌａｎｄ．Ｋｉｎｇｓ...