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Cherry Electrical 公司宣布制成中低水平信息显示的新型全场点矩阵气体等离子体板。被称为“Plasmadot”的板采用具有氖橙色高亮度无闪烁象素,它适用于显示电文、图形或图文同时显示。这是由于采用全场点矩阵代替了传统固定位置的点矩阵字符块。该器件是为 OEM 的应用而设计的,它的视角范围为130°,50000小时寿命使其适用于 相似文献
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针对绝缘栅双极晶体管(IGBT)在过电流关断测试中被烧毁的问题,设计了三种不同的横向电阻区结构。为了分析器件的失效机理,研究不同结构横向电阻区对过电流关断能力的影响,借助Sentaurus TCAD仿真工具构建了器件模型,模拟了器件的整个过电流关断过程。对三种结构器件在过电流关断过程中的内部关键物理参量的变化情况进行分析,发现不同长度的横向电阻区对空穴的抽取效率不同,进而可以影响到电流密度分布。当电阻区增加到一定长度时,可以有效提升过电流关断能力,避免器件烧毁失效。 相似文献
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The influence of thermally assisted tunneling on the performance of charge trapping memory
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We evaluate the influence of the thermally assisted tunneling (TAT) mechanism on charge trapping memory (CTM) cell performance by numerical simulation, and comprehensively analyse the effects of the temperature, trap depth, distribution of trapped charge, gate voltage and parameters of TAT on erasing/programming speed and retention performance. TAT is an indispensable mechanism in CTM that can increase the detrapping probability of trapped charge. Our results reveal that the TAT effect causes the sensitivity of cell performance to temperature and it could affect the operational speed, especially for the erasing operation. The results show that the retention performance degrades compared with when the TAT mechanism is ignored. 相似文献
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功率半导体器件静电放电(ESD)的可靠性在应用中至关重要,其抗ESD的机理需深入研究。采用一种符合GB/T 17626.2标准的简明分段线性电流源,对功率快恢复二极管(FRD)反偏ESD过程进行仿真计算。基于器件外端电压波形经历过冲、负阻和振荡以及平缓发展三个阶段,分析了器件内部相应的一系列复杂变化。结果表明:器件内部的"过耗尽"、雪崩注入、载流子及电场分布涨落等变化,最终导致电流在pn结拐角处形成局部集中。最后,分析了器件结构参数对抗ESD能力的影响。 相似文献
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三洋电气公司开发的使用高强度金属卤灯的薄膜晶体管(TFT)有源矩阵液晶显示 Hi-Vison 投影机在40英寸屏幕上获得600英尺—朗伯亮度。它采用三块150万象素板。该装置不用传统的线转换系统,而换用逐点转换极性的方式,故减少了屏幕闪烁。250W 灯采用 相似文献
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含36万象素的 MN3717型0.84cmCCD 摄象机具有430行彩色水平分辨率。松下电子公司研制的这种摄象机是首批工业上使用的摄象机的一种,目前已投入批量生产。MN3717型8.4mm 行间传输系统器件采用0.8μm 亚微米工艺,以682水平象素×492垂直象素排列,芯片上的微透镜采用最新开发的有机树脂制成,该产品在光圈 F1.2时,最 相似文献
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超级单枪三束彩色 CRT 是工业上使用的最扁平的屏幕之一,对于消费者来说从任何角度看都无畸变。索尼公司开发的产品,采用了计算机有限元模拟法。34英寸 CRT 屏具有3800mm 曲率半径,通过大直径透镜和长焦距 Superbrix 电子枪提高了图象分辨率。该电子 相似文献
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