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利用~(13)C-NMR方法研究了弱碱K_2CO_3存在下酚酞成盐反应及其与活性双卤砜亲核缩聚反应过程中的结构特征。对一系列碱性条件下酚酞(PP)与4,4'-二氯二苯砜(DCDPS)的缩聚反应的研究表明任何影响内酯结构酚酞盐生成的因素都会严重阻碍聚合反应的进行。对模型化合物存在下K_2CO_3在极性非质子溶剂中的溶解/解离行为的研究结果表明酚酞类Card。双酚与固体K_2CO_3之间可能存在着一种特殊的络合作用。基于我们系列研究结果,本文中总结提出了弱碱K_2CO_3存在下酚酞的反应机理。 相似文献
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文中主要针对综合导航系统对于缓变故障检测困难,以及故障难以定位等问题,提出一种基于状态χ^2。检验和ARTMAP神经网络技术的故障检测与诊断系统。用基于BP神经网络的状态χ^2检验法检测出故障数据后,以故障时刻的SCST值作为两个ARTMAP网络的输入模式,判断故障源、故障幅值和故障发生时间。并以SINS/GPS综合导航系统实际跑车数据为基础进行缓变故障仿真,验证该方法的有效性和检测精度。 相似文献
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敏化LiF(Mg, Ti)热释光剂量片(LiF(Mg, Ti)-M TLD)是用于强脉冲辐射场剂量测量的主要探测器。对国内4个厂家生产的敏化LiF(Mg, Ti)热释光剂量片进行了射线响应的一致性、重复性和线性的比较研究, 测量了射线辐照后4种敏化LiF(Mg, Ti)热释光剂量片试验样品的吸收剂量读数平均值及标准偏差, 比较了4种样品在不同吸收剂量下的灵敏度及其变异系数, 并获得了超出线性上限的大剂量辐照对剂量片线性响应特性的影响规律。研究结果表明, 北京防化研究院生产的剂量片性能最优, 试验样品在吸收剂量为6 Gy(Si)时读数变异系数为3.11%, 重复性指标在5%以内, 线性响应上限在50~100 Gy(Si)之间。吸收剂量为150 Gy(Si)并退火后再次使用时的灵敏度漂移幅度约为11%。 相似文献
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回顾了中子单粒子研究的国内外发展情况,介绍了近几年西北核技术研究所在西安脉冲堆开展的低能中子单粒子效应研究进展。比较了稳态与脉冲工况下中子单粒子效应的异同性;分析了含有SRAM结构器件随着特征尺寸的减小,中子单粒子效应敏感性加剧的物理机制。分析认为目前中子单粒子效应已成为小尺寸大规模互补金属氧化物半导体器件的主要中子效应表现;中子辐射效应研究中,除了位移损伤效应以外还必需重视由中子电离造成的中子单粒子效应。 相似文献
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利用13C-NMR方法研究了弱碱K2CO3存在下酚酞成盐反应及其与活性双卤砜亲核缩聚反应过程中的结构特征。对一系列碱性条件下酚酞(PP)与4,4'-二氯二苯砜(DCDPS)的缩聚反应的研究表明任何影响内酯结构酚酞盐生成的因素都会严重阻碍聚合反应的进行。对模型化合物存在下K2CO3在极性非质子溶剂中的溶解/解离行为的研究结果表明酚酞类Card。双酚与固体K2CO3之间可能存在着一种特殊的络合作用。基于我们系列研究结果,本文中总结提出了弱碱K2CO3存在下酚酞的反应机理。 相似文献
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对一种256 kb EEPROM电路AT28C256和一种256 kb SRAM电路HM62256开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验,测量了存储器的闩锁效应、翻转效应等。HM62256的翻转阈值为9.0×106 Gy(Si)/s,闩锁阈值高于5.4×107 Gy(Si)/s。AT28C256的闩锁阈值为2×107 Gy(Si)/s,存储单元翻转阈值高于3.0×108 Gy(Si)/s。对于SRAM,其翻转阈值远低于闩锁阈值;而对于EEPROM,在瞬时辐照下,闩锁阈值远低于存储单元的翻转阈值。基于两种存储器的数据存储原理,分析了SRAM和EEPROM瞬时剂量率效应差异的原因。 相似文献