Tuning the thermal conductivity of strontium titanate through annealing treatments

Strontium titanate(SrTiO_3) is a promising n-type material for thermoelectric applications. However, its relatively high thermal conductivity limits its performance in efficiently converting heat into electrical power through thermoelectric effect.This work shows that the thermal conductivity of SrTiO_3 can be effectively reduced by annealing treatments, through an integrated study of laser flash measurement, scanning electron microscopy, Fourier transform infrared spectroscopy, x-ray absorption fine structure, and first-principles calculations. A phonon scattering model is proposed to explain the reduction of thermal conductivity after annealing. This work suggests a promising means to characterize and optimize the material for thermoelectric applications.     

应用信噪比理论分析复相角神经网络的存储容量

本文应用信噪比理论分析降临复相角神经网络存储容量。分析和研究结果表明，当神经志动态的数目很小时，模型的存储容量与Ｈｏｐｆｉｅｌ神经网络模型的存储容量相同；当神经转动态的数目很大时，存储容量与神经转动态数目的平方成反比。     

Influence of nitrogen and magnesium doping on the properties of ZnO films

Undoped ZnO and doped ZnO films were deposited on the MgO(111) substrates using oxygen plasma-assisted molecular beam expitaxy. The orientations of the grown ZnO thin film were investigated by in situ reflection high-energy electron diffraction and ex situ x-ray diffraction(XRD). The film roughness was measured by atomic force microscopy, which was correlated with the grain sizes determined by XRD. Synchrotron-based x-ray absorption spectroscopy was performed to study the doping effect on the electronic properties of the ZnO films, compared with density functional theory calculations.It is found that, nitrogen doping would hinder the growth of thin film, and generate the NOdefect, while magnesium doping promotes the quality of nitrogen-doped ZnO films, inhibiting(N_2)Oproduction and increasing nitrogen content.     

三组三元合金异质结的价带带阶

采用基于LMTO－ASA的平均键能计算方法和原子集团展开方法，研究了三组典型的晶格匹配三元合金异质结（GaAs）x（Ge2）1-x／GaAs，（AlAs）x（Ge2）1-x／GaAs和AlxGa1-xAs／GaAs的价带带阶△Ev（x）值。研究表明：AlxGa1-xAs／GaAs异质结的Mv（x）值随合金组分x的变化接近于线性；（GaAs）x（Ge2）1-x／GaAs和（AlAs）x（Ge2）1-x／GaAs的△Ev（x）值随合金组分x的变化是非线性的。△Ev（x）的理论计算值与实验结果相当符合。     

一种用来精确测定材料价电子分布和界面点阵位移的电子衍射技术

作者开发了一种新的电子衍射技术来测量大单胞复杂晶体的电荷密度.该技术是在透射电子显微镜中把电子束聚焦在样品的上方从而在很多Bragg衍射盘中得到阴影像(简称为PARODI).对于楔型晶体,该技术提供了可同时记录许多衍射的厚度条纹的方法,它确保了所有衍射盘中的厚度变化和入射方向等实验条件是相同的.PARODI技术还被进一步扩展到使用相干光源这一新领域并用来精确测定晶体中缺陷的位移矢量.本文用该技术研究了Bi-2212高温超导体中的层错和扭转晶界并观察到了由面缺陷引起的相干条纹.通过使用相干PARODI技术,测量的Bi-2212中面缺陷的位移矢量的精度达到了1皮米(10-12 m),这是目前在测量缺陷位移方面达到的最高精度,比以前的技术提高了将近一个数量级.     

Hopfield神经网络的存贮容量

我们把理论推导与数值模拟相结合得出一个较好的误差函数近似解析式。应用该解析式分析了Ｈｏｐｆｉｅｌｄ神经网络绝对存同容量，得到了一更严格的结果。     

应变层异质结ZnS/ZnSe、ZnS/ZnS_xSe_(1-x)和ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)价带带阶的研究

采用基于原子球近似下线性Ｍｕｆｉｎ－Ｔｉｎ轨道（ＬＭＴＯ－ＡＳＡ）的平均键能计算方法，研究了以ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ为衬底，沿（００１）方向外延生长的应变层异质结ＺｎＳ／ＺｎＳｅ、ＺｎＳ／ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ和ＺｎＳｅ／ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ的价带带阶值ΔＥｖ（ｘ）．研究表明，ΔＥｖ（ｘ）值随衬底合金组分ｘ单调变化．且两者的关系是非线性的．在此计算结果与其它理论计算和实验结果符合较好．     

应变层异质结ZnS／ZnSe的价带带阶

采用基于ＬＭＴＯ－ＡＳＡ的平均结合能计算方法，研究了在ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ衬底上沿（００１）方向外延生长的应变层异质结ＺｎＳ／ＺｎＳｅ的价带带阶值。研究表明，应变的结果使价带带阶随衬底组分（ｘ）的变化呈非线性且单调的关系；与其他理论计算和实验结果比较，本文的计算结果比较理想。     

谐振势阱中有弱相互作用的玻色爱因斯坦凝聚

应用数值计算的方法计算了谐振势阱中有弱相互作用的玻色气体凝聚的临界温度和基态占据库，计算结果表明，二者都随着散射长度的增大而减小；但与理想玻色气体相比仅差约０．４％。