Cu2O/TiO2-Bi2WO6三元复合催化剂的制备及光催化性能研究

采用水热法制备花状Bi2 WO6,并利用超声分散法制备了Cu2 O/TiO2-Bi2 WO6复合光催化剂,通过FESEM、XRD、XPS、FI-IR、UV-vis DRS和PL对光催化剂进行了分析和表征.表征结果证明:花状Bi2 WO6表面负载着碎片状的TiO2和立方体Cu2 O形成Cu2 O/TiO2-Bi2 WO6复合光催化剂;以短链脂肪酸(SCFAs)为牺牲剂,考察复合光催化剂的光催化产生氢气和烷烃的性能.实验结果表明:Cu2 O/TiO2-Bi2 WO6复合光催化剂以乙酸为牺牲剂,主要产氢气和甲烷,降解率高达91.82;;以丙酸为牺牲剂,产物主要是乙烷和丁烷,降解率高达90.70;;以丁酸为牺牲剂,除了氢气,甲烷,乙烷,丙烷,丁烷外,气体产物还含有一定量的戊烷,其降解率高达91.50;.结合反应液中间产物的成分进行检测,由此推断出光催化反应的可能机理.     

二极管侧面抽运薄片激光器耦合系统研究

设计了二极管侧面抽运Nd:YAG薄片激光器,耦合系统由消像差透镜组和空心光波导组成,对二极管快轴和慢轴方向的抽运光进行压缩和均匀化.采用光线追迹法,同时考虑二极管在快轴和慢轴方向的发散特性及薄片侧面的散射特性,模拟并分析了光线在耦合系统内的传输和薄片内抽运光分布的规律.模拟结果表明耦合系统具有98.1%的耦合效率,同时薄片内具有理想的抽运光分布.     

用DSP实现多目标实时跟踪

介绍了在 TMS3 2 0 C62 0 3上实现 4个目标的快速跟踪技术。为了提高实时性和精确度 ,采用线性汇编优化实现。1个 3 2 0× 160主窗口的 DSP平均处理时间为 2 m s,3个 60× 60副窗口的 DSP平均处理时间各为 0 .4ms,实现了复杂背景下低对比度目标的快速跟踪。实验结果证明跟踪效果良好 ,解决了以前窗口开不大、跟踪速度慢的问题     

一种用于三电平逆变器的SVPWM调制方法研究

本文从二极管箝位型三电平逆变器的基本结构出发，分析其输出状态，推导出六角形空间电压矢量图。然后从一种改进的，可以减小开关损耗，避免高的dv／dt三电平空间矢量PWM调制策略出发，建立了基于Matlab的详细仿真方案，验证了方案的可行性。文章给出了扇区判断的算法流程图，脉冲生成模块的内部结构图，其中的扇区判断的算法和脉冲生成方法对于用DSP实现三电平SVPWM具有重要的参考价值。     

Characterization of ZnO:AI films deposited by r.f.magnetron-sputtering at low temperature

Transparent conducting ZnO:AI thin films with good adhesion and Iow resistivity have been prepared on organic substrates and Coming 7059 glass substrates by r.f. magnetron-sputtering technique at Iow substrate temperature (25-210℃). Structural and photoelectric properties of the deposited films are investigated. The deposited films are polycrystalline with hexagonal structure and a preferred orientation with the c-axis perpendicular to the substrate. Only the (002) peak is observed.High quality films with resistivity as Iow as 1.0 x 10- 3Ω@ cm and 8.4 x 10- 4Ω@ cm, the average transmittance over 74% and 85% in the wavelength range of the visible spectrum have been obtained on different substrates.     

Synopsys针对中国市场推特别版IP及新商业模式

随着设计复杂度的不断提升,IP的重要性日渐突显。在中国,许多IC设计公司都迫切需要高质量、简单易用和经济有效的IP,以缩短其SoC产品的上市时间。Semico     

用激光吹气注入高Z杂质使HL-1M装置放电有效地安全终止的研究

现在国际上大装置纷纷发现破裂放电而导致电流突然中止造成装置遭受重大的危害，因为能量熄灭阶段存在强烈的热通量，而且在电流熄灭阶段中产生强烈的逃逸电子，使得第一壁材料可运行的时间大大缩减；同时在真空器壁上产生很强的电磁力。所以，必须在大装置上建立一种避免和软化能量衰竭与电流衰竭，并且控制预计的放电破裂或突然终止放电的措施。