柔性透明导电氧化物薄膜的制备及其应用

柔性透明导电氧化物薄膜以其重量轻、不易碎、成本低等独特的优点而备受青睐,在塑料液晶显示、可折叠太阳能电池等领域得到广泛的应用.文章介绍了目前制备柔性透明导电氧化物薄膜的主要技术及其优缺点,总结了近年来对柔性衬底的处理方法,最后对柔性透明导电氧化物薄膜在各个领域的开发应用和未来的重点研究方向进行了展望.     

新型光刻技术研究进展

集成电路光刻作为传统光刻技术的典型代表，支撑着集成电路芯片的快速发展。新一代光刻技术具有工艺多样化、光刻精度高、光刻效率高的优点，在研发新型光电子器件、实现3维微纳结构、构建有序纳米孔通道等方面有很大的潜力。回顾了近些年来涌现的多种新型光刻技术，分析了各自的特征及在新型纳米电子、光子器件、能源、传感等领域中的应用。对未来光刻技术的发展方向进行了展望。     

准分子激光在液芯光纤中传输特性的实验研究?

液芯光纤作为一种新型的光能量传输媒介,有诸多显著的优点,着重介绍了液芯光纤相对于传统固体传光光纤束的优势。为了液芯光纤在紫外波段激光传输上的应用,对波长为308nm和248nm两种准分子紫外激光在液芯光纤中传输的能量透过率进行了实验研究,分析了单脉冲能量（1-5mJ）、光波长(248nm/308nm)、平均功率(2-20mW)等激光参数变化对准分子激光在液芯光纤中传输特性的影响,为液芯光纤应用于准分子激光传输提供了实验依据。     

两种形貌FeS2的合成及其在染料敏化太阳能电池上的应用

通过对比FeS2颗粒两种形貌的催化活性及在染料敏化太阳能电池(DSSCs)上的表现,选择出性能更高的FeS2颗粒.通过水热法和热注入法合成了立方体和球状高纯度FeS2,将FeS2制备成对电极(CEs)并组装在DSSCs上.通过测试电池的光电转化效率及对电极的催化活性,发现球状FeS2颗粒有更高的催化活性,基于球状FeS2 CEs的电池也获得了更高的光电转化效率.在100 mW/cm2 (AM 1.5)强度的模拟光源下,基于立方体和球状高纯度FeS2 CEs的DSSCs分别获得了高达4.55％和5.69％的光电转化效率.     

铜铁矿CuCrO2空穴传输材料增强反式钙钛矿太阳能电池的光电压(英文)

聚3,4-亚乙基二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸具有良好的透光性和柔韧性以及较好的热稳定性,是反式钙钛矿太阳能电池常用的空穴传输材料,但聚3,4-亚乙基二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸的酸性和吸湿性不可避免地会影响钙钛矿太阳能电池的长期稳定性,其能级与钙钛矿材料能级的不完全匹配会造成钙钛矿太阳能电池的开路电压较低.本文应用水热法合成的p型铜铁矿CuCrO₂纳米颗粒作为反式结构[(FA PbI₃)_0.87(MAPbBr₃)_0.13]_0.92(CsPbI₃)_0.08基底钙钛矿太阳能电池的空穴传输材料.结果表明,反式结构钙钛矿太阳能电池的开路电压以聚3,4-亚乙基二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸为空穴传输材料时的908 mV提升至以CuCrO₂为空穴传输材料时的1020 mV.紫外光电子能谱测试表明CuCrO₂与钙钛矿材料之间的能级匹配优于聚3,4-亚乙基二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸与钙钛矿之间的能级匹配,电化...     

非晶硅薄膜的准分子激光晶化研究

利用Kr准分子激光器晶化非晶硅薄膜, 研究了不同的激光能量密度和脉冲次数对非晶硅薄膜晶化效果的影响.利用X 射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对晶化前后的样品的物相结构和表面形貌进行了表征和分析.实验结果表明, 在激光频率为1 Hz 的条件下, 能量密度约为180 mJ/cm2时,准分子激光退火处理实现了薄膜由非晶结构向多晶结构的转变;当大于晶化阈值180 mJ/cm2小于能量密度230 mJ/cm2时, 随着激光能量密度增大, 薄膜晶化效果越来越好;激光能量密度为230 mJ/cm2时, 晶化效果最好、晶粒尺寸最大, 约60 nm, 并且此时薄膜沿Si(111)面择优生长;脉冲次数50 次以后对晶化的影响不大.     

p-CuAlO2/(n-, p-)Si异质结的制备与电学性质

采用化学溶液法在n型和p型Si衬底上成功制备了单相CuAlO2薄膜。薄膜的电导率-温度曲线显示,薄膜在200K-300K温度范围内呈热激活导电模式,激活能约为0.3eV。电流-电压特性测试显示,p-CuAlO2/n-Si异质结具有明显的整流特性,开启电压约为1.6V,在±3V处的整流率约为35,而p-CuAlO2/p-Si同型异质结表现出类似肖特基结的电学性质,由于p-CuAlO2导电性远低于p-Si衬底,正向电流受空间电荷限制。     

溶胶凝胶法制备钼掺杂氧化锌薄膜及性质研究

利用溶胶凝胶法在Al₂O ₃衬底上制备出了c轴择优取向的钼掺杂氧化锌（MZO）透明导电薄膜,研究了钼的掺杂量(0~1 at%)对钼掺杂氧化锌薄膜光电性能的影响。研究结果表明：所制备的薄膜为六方纤锌矿型结构且表面平整、致密,通过高温真空退火,MZO薄膜的电阻率明显降低,且随着钼含量的增加,MZO薄膜的电阻率呈现出先减小后增大的趋势,当钼含量为0.4at.%时,获得最小电阻率为0.13 Ωcm。薄膜在近红外区域(800~2000 nm)的平均透过率大于85%,这可以有效地拓宽光电器件的光谱范围。     

Laser-induced damage and periodic stripe structures of a CaF_2 single crystal by an ArF excimer laser

The laser-induced damage threshold of a calcium fluoride(CaF2)single crystal was obtained by a 193 nm ArF excimer laser.The damage morphology of the crystal was analyzed.The results showed that the surface of CaF2 single crystal broke along the natural cleavage plane under ArF excimer laser irradiation,some fragments fell off,and Newton’s rings were observed on the curved fragments.Laser-induced periodic stripe structures(LIPSS)appeared on the surface layer beneath the fragments that peeled off.The spacing of LIPSS was measured,and the formation mechanism of LIPSS was analyzed based on the interference model.     

大功率半导体激光器的高精度脉冲电源设计

为了满足大功率半导体激光器脉冲应用的实际需求, 针对单脉冲内电流平顶下降问题和重复性情况下电流稳定性降低的问题, 设计了一种多参数宽范围可调的高精度高稳定脉冲驱动电源。该电源以大功率场效应晶体管为核心, 通过现场可编程门阵列产生的高精度时序波形来完成单脉冲内的上升沿调控和栅极控制电压补偿, 通过微控制器结合电流采样的闭环控制方案实现重频运行下的电流高稳定输出。结果表明, 在输出电流100 A、脉冲宽度400 μs、重复频率1 kHz的最大功率输出驱动二极管负载时, 驱动电流上升沿过冲幅度小于0.5%、单脉冲内电流衰减小于0.2%、重复率脉冲不稳定度小于0.1%;在同样输出条件下驱动半导体激光器, 其在单脉冲内光功率过冲小于2%, 重复光脉冲不稳定度小于0.2%。该研究有助于提高脉冲电源脉冲电流稳定性, 对现有脉冲电源结构的改进具有一定的参考意义。