LaFeO3栅膜FET气体传感器的研究

本文采用溶胶－凝胶技术制备ＬａＦｅＯ３纳米晶薄膜，并摸索出该薄膜的光刻方法，将这一成膜技术与集成电路平面工艺相结构，首次研制出了纳米晶薄膜作为栅极的场效应晶体管气体传感器，它对乙醇具有较高的灵敏度和良好的选择性。     

LaFeO_3 栅膜 FET 气体传感器的研究

本文采用溶胶－凝胶技术制备ＬａＰｅＯ３纳米晶薄膜，并摸索出该薄膜的光刻方法，将这一成膜技术与集成电路平面工艺相结合，首次研制出了纳米晶薄膜作为栅极的场效应晶体管气体传感器，它对乙醇具有较高的灵敏度和良好的选择性．     

一种新颖的低温漂高电源抑制比带隙基准源

介绍了一种基于0.6 μm BiCMOS工艺的高阶曲率补偿、高电源抑制比的带隙基准源。利用三极管电流增益的温度特性来实现低温度系数,并且不需要额外的电路。采用一种新颖的电压预调整器来实现高电源抑制比。结果表明,该带隙基准源在-40 ℃~120 ℃内的温度系数为2.83×10-6/℃,在低频、100 kHz、1 MHz处的电源抑制比分别为-127 、-98、-67 dB。最低工作电压为1.8 V,在1.8~3 V电源电压范围内的线性调整率为4×10-5/V,功耗为57 μW。     

基于双MCU通信的改进型燃烧控制器

针对当前国内设计的燃烧器安全性不高的缺点,本文设计了一种基于双MCU通信的改进型强制通风燃气燃烧控制器,以优化燃烧器的电控系统,增强燃烧器安全性。本设计以两片PIC16F886单片机作为主控芯片,通过串行共享EEPROM进行双机通信以增强安全性,并采用了其他保障系统安全稳定运行的设计,其中使用电容降压电路为整个程控器供电,通过倍压整流电路控制继电器的工作电源,多级三极管驱动继电器来控制外部设备,实现了燃烧器的点火、燃烧、熄火保护、诊断和报警等功能。本设计经过实际测试、验证,实现预期功能。     

LaFeO3纳米晶薄膜及其气敏特性的研究

本文采用溶胶-凝胶方法,经过550℃、1小时的固相反应,得到粒径为40～45nm,均匀性良好的LaFeO₃纳米晶薄膜。将这一成膜技术与集成电路平面工艺相结合,首次研制出了NCF-OSFET气敏元件,它对乙醇具有较高的灵敏度和良好的选择性。     

高速CMOS折叠式模数转换器的研究与设计

CMOS折叠式模数转换器是一种可用在数字图像处理方面的高速模数转换器。本文描述了其折叠原理,详细分析了电路结构并提出了设计中要解决的问题,进而给出解决方法。     

简单实用并有记忆功能的外同步系统

本文介绍了一种简单实用并具有记忆功能的外同步系统。该系统主要应用于电源管理中,并且能够提供三个功能:一是在未加同步信号时提供自身的内部振荡频率;二是当存在外同步信号时,系统利用数字技术能够对外部信号进行准确的同步频率输出;三是在同步过程中,系统将会记住这一外加信号频率值,并且在外部信号突然断开之后使电路继续工作在与原本所加的外同步信号几乎相等的频率值上。其中的误差为5%以下,并且这一误差是可以不断改进缩小的。系统能锁定的外同步频率范围为350KHZ到770KHZ。利用CSMS 0.6um CMOS工艺库对所设计的电路进行仿真,能够得到较好的预想效果。     

一种高电源抑制比和高精度带隙电压源设计

介绍了一种BiCMOS工艺制作的高电源抑制比和高精确度的带隙基准电压源,其输出电压为1.2 V,在-40℃~80℃范围内有较好的温度特性,温度漂移系数为9.8×10-6℃-1。采用电压负反馈原理和减少耦合电容的方法,使电路具有高的电源抑制比,并且电路结构简单,匹配性好。采用Hspice工具对电路进行了仿真,验证了设计的正确性。该电路能广泛用于在电源环境恶劣的场合下工作的集成电路中。     

一种与PIC单片机兼容的RISC IP核的设计与FPGA实现

本文介绍了一种与PIC16C57单片机兼容的RISC核的生成以及FPGA的实现, 所得到的用Verilog HDL语言编写的软核能够用于SOC(系统芯片)。