退火条件对射频磁控溅射法制备YIG薄膜性能的影响

本文采用射频磁控溅射法在硅基片上沉积YIG薄膜,主要研究了退火条件对YIG薄膜性能的影响。研究结果表明在750oC退火4小时制备的薄膜性能最好,其饱和磁化强度可达到185.9emu/cm3,远大于YIG块材的Ms(139emu/cm3)。此外,其磁性与Fe2+相关。     

基于CSRR的带通滤波器小型化设计

介绍了一种新型的互补开环谐振器(Complementary Split Ring Resonators,CSRR),用此新型谐振器和1/4波长传输线变换器制作了波导带通滤波器.在此基础上为了使滤波器更小型化,设计了挡板结构,改进了滤波器的1/4波长传输线变换器.通过对两种结构的仿真比较得出,新型结构的滤波器在满足设计需...     

Co掺杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延及其室温铁磁性

研究了Co掺杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延、结构、光学和磁学性质.利用分子束外延技术,在蓝宝石(0001)衬底上外延得到Co掺杂的Zn1-xCoxO(0≤x≤0.12)单晶薄膜.光透射谱和原位的X光电子能谱显示Co离子代替了ZnO晶格中部分Zn的位置.Zn1-xCoxO单晶薄膜具有内禀的铁磁性,并且居里温度高于室温.样品的铁磁性随着Co掺杂量x(x≤0.12)的增加而单调增大.     

一种高性能硬件加密引擎阵列架构

该文提出一种高性能硬件加密引擎阵列架构,为大数据应用提供了先进的安全解决方案。该模块架构包括一个高速接口、一个中央管理和监视模块(CMMM)、一组多通道驱动加密引擎阵列,其中CMMM将任务分配给加密引擎,经由专用算法处理后再将数据传回主机。由于接口吞吐量和加密引擎阵列规模会限制模块性能,针对PCIe高速接口,采用MMC/eMMC总线连接构建阵列,发现更多加密引擎集成到系统后,模块性能将会得到提升。为验证该架构,使用55 nm制程工艺完成了一个PCIe Gen2×4接口的ASIC加密卡,测试结果显示其平均吞吐量高达419.23 MB。     

氧气压强对Si基片上沉积YIG薄膜微观结构和磁性的影响

本文研究了氧气压强对用脉冲激光沉积技术(PLD)在Si(100)基片上制备的YIG薄膜性能的影响。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、震动样品磁强计(VSM)、铁磁共振仪(FMR)等检测了薄膜微观性能及磁性。研究发现:(1)在0.3Pa和1Pa下制备的YIG薄膜中没有杂相,而在4Pa和16Pa的薄膜中出现了YIP相;(2)薄膜的晶粒尺寸随氧压增大而减小;(3)在1Pa下制备得到的薄膜共振线宽最小,为91Oe;(4)薄膜饱和磁化强度(Ms)随氧压的增加而降低,1Pa下得到的薄膜的Ms为138Oe,最接近理论值。     

Co掺杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延及其室温铁磁性

研究了Co掺杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延、结构、光学和磁学性质.利用分子束外延技术,在蓝宝石(0001)衬底上外延得到Co掺杂的Zn1-xCoxO(0≤x≤0.12)单晶薄膜.光透射谱和原位的X光电子能谱显示Co离子代替了ZnO晶格中部分Zn的位置.Zn1-xCoxO单晶薄膜具有内禀的铁磁性,并且居里温度高于室温.样品的铁磁性随着Co掺杂量x(x≤0.12)的增加而单调增大.     

Magnetic Properties and Antiferromagnetic Coupling in Inhomogeneous Zn1-xFexO Magnetic Semiconductor

Zn1-xFexO inhomogeneous oxide magnetic semiconductor films with high Fe concentration are prepared by sputtering, and fast annealing is carried out at different temperatures. It is found that magnetic properties are greatly modulated by controlling the composition inhomogeneity and subsequently fast annealing. Both ferromagnetic and paramagnetie components are found to coexist in the as-deposited Zn1-xFexO magnetic semiconductor. In particular, the antiferromagnetic coupling between the neighbouring local ferromagnetic regions is found in the as-deposited Zn0.23Fe0.77O film, and the antiferromagnetic coupling strength increases with increasing temperature from 110K to 300 K. We believe that this unusual antiferromagnetic coupling is mediated by thermally activated hopping carriers.