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1.
文章采用一种新颖方法对商用IP进行可靠性提升、完善,同时进行容错结构设计,建立了拥有自主知识产权的专用加固型标准单元库,构建了面向空间应用的SoC设计方法与流程,形成了面向空间电子系统的系统集成设计平台,用该技术实现了面向卫星等空间应用的32位嵌入式RISC处理器SoC芯片,获得了一次投片成功。  相似文献   
2.
感谢广大客户和合作伙伴对OKI产品的肯定和支持。在此,我谨代表常州冲电气国光通信机器有限公司向大家恭贺新年,祝大家事业生机勃勃,生活激情万丈!冲电气作为全球著名的跨国企业,始终秉承“提供网络解决方案”的企业理念,以遍布全球的网络为基础,将先进的通信技术应用于不同国家和地区,为客户提供“安全”、“满意”的信息通信e社会。近期,冲电气又在全球推出新型IP电话业务设备“OKI IPstage MX”,在向用户提供最新产品及高品质服务的  相似文献   
3.
不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性   总被引:1,自引:1,他引:0  
在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.  相似文献   
4.
在设计数字信号处理器时我们经常要设计高性能的乘累加运算器,文章详细分析了乘累加运算器的结构,提出了其高性能设计方案并采用标准单元进行了实现,同时提出了DCT运算单元的高性能解决方案。  相似文献   
5.
日产汽车公司项目总监野边继男表示:“我们无法对已售出的汽车进行功能更新,但是OSGi(开放服务网关联盟)平台却可以改变这种现状。”诺基亚公司高级总监、首席Java架构师、OSGi联盟董事会成员Jon C.Bostrom也表示认同:“采用OSGi平台后,手机开发将会发生很大变化。到目前为止,无论  相似文献   
6.
伟大的电能无线传输技术   总被引:1,自引:0,他引:1  
无线电能传输技术近在眼前可能在不远的将来,用户就有可能摆脱使用充电器充电、更换电池以及接插家电设备电源线等麻烦。利用无线方式将电能传输到所  相似文献   
7.
A sample of La0.833K0.167MnO3-SrTiO3 (LKMO/STO) is fabricated by the sol-gel method. The microstructure,magnetic and transportation properties have been studied. X-ray diffraction patterns indicate that the structure of LKMO/STO is a homogeneous solid solution phase. The resistivity of LKMO/STO shows the insulator behaviour, which is different from La0.833K0.167MnO3 (LKMO) whose resistivity shows metal-insulator transition with decreasing temperature. The low-field (moH = 0.02 T) magnetoresistance decreases from 11% to 0.2% with the increasing temperature from 4 K‘to 220K for the LKMO/STO sample. The magnitude of magnetoresistance in a strong field (μoH = 5.5 T) almost increases linearly with decreasing temperature and reaches the maximum of 65% at the low temperature of 4.2K, which is much higher than that oE LKMO (40%). The enhanced low-field magnetoresistance effects are quantitatively explained by the spin-polarized tunnelling at grain boundaries.  相似文献   
8.
叙述了P波段脉冲功率组件的设计方法和测试结果,它的主要技术指标为,频率540 ̄600MHz连续可调,脉冲宽度10 ̄1000μs,占空比1% ̄40%均可调,脉冲功率输出大于3W。  相似文献   
9.
研究了γ辐照感生Si/SiO2慢界面态的特性及其对高频C-V测试的影响.结果表明,辐照产生的慢界面态为界面态的0.3—0.8,分布在Si禁带中央以上的能级或呈现受主型.分析认为慢界面态对应的的微观缺陷很可能是Si—O断键或弱键.慢界面态的产生还引起C-V曲线同测试速率、方向和扫描前保持时间有关.文中提出了如何通过高频C-V测量比较准确地计算辐照感生氧化物正电荷、界面态和慢界面态密度的方法.  相似文献   
10.
固相配位化学反应研究(LⅪ)   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   
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