LIN总线技术在汽车中央集控门锁上的应用

介绍了LIN总线的基本特点，设计了基于LIN总线技术的汽车中央集控门锁控制系统。该系统综合考虑汽车在特殊环境下的工作性能，根据LIN协议建立了通信网络。采用以P87LPC769单片机与TJAl020LIN收发器为硬件核心，开发设计了智能化主节点和从节点，完成了主从节点的电路设计。     

4H-SiC MESFET大信号非线性特性分析

采用Voherra级数法对4H-SiC射频MESFET的大信号非线性特性进行了分析,并研究了器件尺寸与线性度的关系.模型考虑了陷阱效应对非线性特性的影响,模拟结果能够较好地反映实验结果.进一步分析表明,在1GHz和1.01GHz频率下,当栅长从0.8μm增大到1.6μm,器件的输入(输出)三阶截取点从33.55dBm(36.26dBm)减小到18.1dBm(13.4dBm),1dB压缩点从24dBm下降到7.43dBm.为实际器件的线性化设计提供理论依据.     

4H-SiC MESFET肖特基栅接触的界面参数提取

研究了界面态对4H-SiC MESFET的肖特基栅接触的影响.栅接触工艺主要采用Ti/Pt/Au蒸发,经过剥离后形成.基于热电子理论提出了一种参数提取方法,得到界面态密度和界面电容分别为4.386×1013cm-2·eV-1和8.394×10-6F/cm2,这与测量得到的器件端特性一致.     

陷阱效应对4H-SiC MESFET温度特性的影响

针对4H-SiC射频MESFET中的自热效应,建立了基于解析模型的材料参数温度模型和器件直流模型.研究了由陷阱造成的背栅效应,并结合材料的温度特性分析了温度升高对器件特性的影响.分析了陷阱对器件特性的影响,并进一步阐明了陷落-发射机制.计算得到陷阱能级为1.07eV,俘获截面为1×10-8cm2,器件的自升温达到100K以上,能够较好地反映实验结果.分析结果表明,背栅电势随陷阱浓度的增大而增大,并随着漏极电压的增大而减小,在室温下达到～3V.另外,由于器件中存在自热效应,背栅电势随漏压的变化加剧.这些模拟分析对实际器件的设计及工艺制造提供了理论上的依据.     

通信机房UPS带载能力及负荷率控制

本文通过对通信机房UPS设备的带载能力分析,根据现通信机房UPS的实际使用情况,在保证安全运行的基础,对UPS负荷率的控制提出相关建议.     

节能型机房加湿系统研究

通信机房的主设备常年发热,对环境要求较高。为保持机房恒湿,一般是由机房专用精密空调通过电极加热方式来完成,而该方式存在受水质影响大、维护量重、能耗高等缺点。节能型加湿系统采用湿膜加湿装置,直接利用机房空调的下送风口,将湿润空气送入机房,在满足环境要求的同时,极大地降低了能耗。试验期间,节能率达到98.7%。     

改善机房电能质量 节约企业成本

济南移动通信公司共青团路某配电室装有额定容量为1250kV·A变压器两台,后端主要电源设备为4台200kV·AUPS和机房空调.2005年,在维护过程中发现变压器输出端电缆表面温度高达67℃,初步判断为变压器安装时输出电缆截面积不足导致.     

4H-SiC 射频MESFET中陷阱参数的提取方法

针对4H-SiC 射频MESFET中的陷阱效应,采用解析的方法建立陷阱模型,分析了陷阱效应对器件带来的影响,阐述了陷阱的陷落-发射机理,提取了时间常数、陷阱浓度等相关参数.得到的模拟结果能够较好的反映实验结果. 关键词： 碳化硅 深能级陷阱 频率偏移     

充分发挥新媒体作用推广科技网络服务应用

前言随着互联网和通讯技术的发展,我国已步入新媒体时代。我国近两年新媒体发展迅速,以互联网及移动无线网络为传播平台,以电脑、手机及其他无线设备为终端的新媒体发展迅速。新媒体正在被大众普遍认可并日益影响着人们的生活,人们的信息传播方式和学习交流习惯已经发生了深刻的变化。新媒体时代的到来,对科技服务工作提出了更高的要求,在信息技术手段发生重大变革中,在超高速宽带网络、新一代移动通信技术、云计算、物联网等新技术、新产业、新应用基础上,     

Electrothermal simulation of the self-heating effects in 4H-SiC MESFETs

A thermal model of 4H-SiC MESFET is developed based on the temperature dependences of material parameters and three-region $I-V$ model. The static current characteristics of 4H-SiC MESFET have been obtained with the consideration of the self-heating effect on related parameters including electron mobility, saturation velocity and thermal conductivity. High voltage performances are analysed using equivalent thermal conductivity model. Using the physical-based simulations, we studied the dependence of self-heating temperature on the thickness and doping of substrate. The obtained results can be used for optimization of the thermal design of the SiC-based high-power field effect transistors.