短沟道双栅MOSFET二维表面势解析模型

采用分解电势的方法求解二维泊松方程,建立了考虑电子准费米势的短沟道双栅MOSFET的二维表面势模型,并在其基础上导出了阈值电压、短沟道致阈值电压下降效应和漏极感应势垒降低效应的解析模型。研究了不同沟道长度、栅压和漏压情况下的沟道表面势,分析了沟道长度和硅膜厚度对短沟道效应的影响。研究结果表明,电子准费米势对开启后的器件漏端附近表面势有显著影响,新模型可弥补现有模型中漏端附近表面势误差较大的缺点;对于短沟道双栅MOSFET,适当减小硅膜厚度可抑制短沟道效应。     

用主量化学组成研究汝官瓷和钧官瓷的原料来源

将84个清凉寺窑汝官瓷和钧台窑钧官瓷样品进行质子激发X射线荧光分析,得到每个样品胎和釉的7种主量化学组分。将所有样品的7种主量化学组成数据进行散布分析,以确定汝官瓷和钧官瓷原料来源是否相同。从散布分析图可以看出,汝官瓷釉和 钧官瓷釉样品的原料产地和配方明显不同,汝官瓷胎和钧官瓷胎样品的原料产地和成分接近,但有所不同。The seven main chemical components of the body and glaze samples of 84 RuGuan porcelains from Qingliangsi kiln and JunGuan porcelains from Juntai kiln are determined by the proton induced X-ray emission （ PIXE）. Then these data are analyzed by scatter analysis to confirm whether the sources of the raw materials of Ru-Guan porcelain from Qingliangsi kiln and JunGuan porcelain from Juntai kiln are the same or not. The figure of the scatter diagram shows that the sourcing area of the raw material and batch formula of RuGuan porcelain and Jun-Guan porcelain glaze are obviously different and the sources of the raw materials and components of their body samples are close but a bit different.     

J2ME上基于AES的保密通信系统的设计与实现

本文首先对嵌入式终端设备上常用的加密算法在不同嵌入式平台上的功能及性能进行详细测试比较,并在此基础上选择其中性能最好的AES算法在J2ME平台上予以实现.最后提出并实现了一种利用AES算法加密的嵌入式保密通信系统.测试表明该系统的安全性和可用性都比较高.     

含弹道输运模型的纳米尺寸GaAs HEMT电流方程

提出了一个包含改进的准弹道输运模型的砷化镓(GaAs)高电子迁移率晶体管(HEMT)的漏电流方程。弹道输运模型是基于玻耳兹曼输运方程和迁移率的扩展定义,即单位电场中载流子在沟道中以弹道轨迹运动的平均速度。对平均速度的求解没有采用任何近似,并采用一种平滑的拟合方程将弹道迁移率和常规迁移率整合在一起。同时还研究了纳米尺度GaAs HEMT中温度、沟道长度和沟道掺杂浓度对有效迁移率的影响。最后,把有效迁移率模型和电流方程分别与实验数据和数值仿真结果进行比较,误差小于5%。     

双栅掺杂隔离肖特基MOSFET的解析模型

通过考虑肖特基势垒降低效应求解三段连续的二维泊松方程,建立了双栅掺杂隔离肖特基MOSFET亚阈值区全沟道连续的电势模型。在该电势模型的基础上,推导了阈值电压模型和漏致势垒降低效应的表达式;研究了掺杂隔离区域不同掺杂浓度下的沟道电势分布,分析了沟道长度和厚度对短沟道效应的影响。结果表明,掺杂隔离区域能改善肖特基MOSFET的电学特性;对于短沟道双栅掺杂隔离肖特基MOSFET,适当减小沟道宽度能有效抑制短沟道效应。     

短沟道双栅MOSFET的亚阈值特性分析

基于泊松方程和拉普拉斯方程,结合双栅MOSFET的边界条件,采用牛顿-拉夫逊迭代法推导了双栅MOSFET亚阈值区全沟道的电势解析解。在亚阈值区电流密度方程的基础上,提出了双栅MOSFET的一个亚阈值电流模型,并获得了亚阈值摆幅的解析公式。通过对物理模型和数值模拟结果进行比较,发现在不同的器件结构参数下,亚阈值摆幅之间的误差均小于5%。     

阳离子脂质体禽流感病毒HA基因重组质粒复合物的电镜研究

阳离子脂质体禽流感病毒ＨＡ基因重组质粒复合物的电镜研究陈吉祥李广林薛飞群赵青云赵荣材（中国农科院兰州畜牧与兽药研究所，兰州７３００５０）赵家政李树本（中国科学院兰州化学物理研究所，兰州７３００００）阳离子脂质体已被成功地用于重组质粒在体内外的基因转移...     

短沟道无结柱状围栅MOSFET的解析模型

通过在柱坐标系下求解二维泊松方程,建立了短沟道无结柱状围栅金属氧化物半导体场效应管的电势模型,并推导了阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的解析模型。在此基础上,分析了沟道长度、沟道直径和栅氧化层厚度等参数对阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的影响。最后,利用Atlas软件对器件进行了模拟研究。结果表明,根据解析模型得到的计算值与模拟值一致,验证了模型的准确性。这些模型可为设计和应用新型的短沟道无结柱状围栅金属氧化物半导体场效应管提供理论基础。     

网络媒体新闻炒作的影响及预防

目前,信息科技技术的发展趋势越来越快,网络媒体发表的网络新闻早已被越来越多的人们所认可和接受,网络新闻正在快速占领国内主要的媒介市场.因此,网络传播已变为同报纸传播、电视传播齐头并进的一条传播路径.但是,在网络新闻飞速发展的同时,网络炒作的不良风气也影响到了互联网的各个领域.针对特定人群的某些网络新闻炒作也趁机在网上大肆猖獗,不仅使媒介市场混乱不堪,也让社会遭受了难以估量的负面影响.