基于PCB图像预处理的研究及其实现

为改进印刷电路板(PCB,Printed Circuit Board)图像的质量,针对后续对PCB图像的识别率的提高,运用MATLAB语言对原始图像进行了前期处理,主要包括图像空间域的灰度变换以及图像平滑滤波来消除噪声。首先研究了噪声门限,中值滤波以及快速中值滤波方法,并且提出了一种快速加权中值滤波算法,通过MATLAB处理图像,灰度直方图以及频谱图进行对比分析,结果表明快速加权中值滤波算法解决了PCB图像对比度差,噪声大,细节模糊等方面的问题,使图像质量有了很大的改善。     

锁相环电路中压控振荡器的分析与设计

本文设计了一个应用于高频锁相环（PLL）系统的负阻LC压控振荡器,在传统LC压控振荡器基础上,通过采用二次谐波滤波技术降低了振荡器的相位噪声,并完成了电路的仿真。仿真结果表明,该压控振荡器的振荡频率在1．9—2．1GHz,其频率调节范围达到200MHz,并且在距中心频率1MHz处其相位噪声为-148．825dBc／Hz...     

不同表面活性剂对铜互连阻挡层CMP一致性的影响北大核心CSCD

为实现铜互连阻挡层化学机械抛光的高平坦化,研究了阻挡层抛光液中表面活性剂的作用。在抛光液中分别添加非离子型表面活性剂异辛醇聚氧乙烯醚(JFC-E)、本课题组研发的Ⅱ型活性剂以及复合表面活性剂,研究其对阻挡层CMP中铜和正硅酸乙酯(TEOS)去除速率及一致性的影响。实验结果表明,表面活性剂不仅可以改善Cu和TEOS的去除速率一致性和晶圆全局一致性,还可以降低铜表面的粗糙度,通过复配两种不同的表面活性剂,可以提高Cu和TEOS的去除速率,使Cu和TEOS的剩余厚度片内非均匀性(WIWNU)分别降低至1.39%和1.38%,铜表面粗糙度从5.25 nm降至1.51 nm。基于实验结果,研究并提出了表面活性剂影响抛光液润湿性,从而改善片内非均匀性和铜表面质量的机理。     

量子阱DBR微腔激光器中自发发射的控制

应用腔量子电动力学和量子阱物理,计算了量子阱DBR微腔激光器的自发发射谱.发现由于DBR微腔和量子阱分别对光子和载流子的限制,单方向的自发发射可以增进约三个量级,总的自发发射增强一个量级.     

抛光液添加剂协同作用对铜互连阻挡层CMP后碟形坑及蚀坑的影响

为了有效控制铜互连阻挡层化学机械平坦化(CMP)过程中产生的碟形坑和蚀坑等缺陷,研究了在低磨料下柠檬酸钾(CAK)和FA/OⅡ络合剂协同作用对Cu/TEOS去除速率、碟形坑和蚀坑修正的影响.结果表明:加入质量分数为1％CAK后,TEOS去除速率增加了31.6 nm/min,Cu的去除速率无明显变化,说明CAK在不影响C...     

Characteristics of tunable micro-cavity based on one-dimensional photonic crystal doping KTP as defect layer

The tunable micro-cavity based on one-dimensional(1D) photonic crystal doped by KTP is designed.The optical transmission properties in the doped one-dimensional defect photonic crystals are analyzed using transfer matrix method(TMM).According to the electro-optic effect,the refractive index ellipsoid equation is established with the applied alternating current at both coordinate axes,and the characteristics of temperature-optics and modulation are studied.Numerical calculations and experimental results show that the tuning range is ～40 nm.     

单片机温度采集电路的设计与虚拟仿真

提出一种基于单片机并采用数字化单总线技术的温度采集系统设计方案,能够对被检测系统进行实时巡检并对测量结果进行存储和显示。同时针对该电路系统进行了虚拟仿真和性能分析并得到了很好的仿真结果。分析表明该单片机的温度采集系统的设计的具有合理性和有效性。     

注入电流引起质子轰击VCSEL中的模式竞争

为了分析质子轰击垂直腔面发射激光器(VCSEL)中注入电流引起的激光模式竞争过程,在三维空间中对VCSEL激射后光电热进行了研究。给出仿真光电热的方程之后,在室温连续工作条件下,对电流孔半径r为4μm、阈值电流Ith为4.5 m A的VCSEL进行自洽求解。当注入电流Iin分别为5.0,5.5,6.0 m A时,得到了对应的外加电压和输出光功率,并绘制了VCSEL的电势、注入电流、载流子、光场和热场的空间分布,给出了连续工作下输出光功率随注入电流变化的曲线。仿真结果表明:随着注入VCSEL中的电流增加,电流密度增大,激光的横向基模和横向一阶模式同时增强。横向一阶模式增加的强度及扩展的范围大于横向基模,激光输出能量逐渐向横向一阶模式过渡,横向模式竞争的同时产生载流子空间烧孔,因此在电流孔半径r≥4μm的VCSEL中,连续工作激光模式不稳定。     

基于Krawtchouk矩和支持向量机的印鉴真伪识别

提出了一种将Krawtchouk矩特征不变量与高斯核支持向量机相结合的印鉴识别方法。实验中将得出的印鉴图像Krawtchouk矩特征向量作为高斯核支持向量机的输入参量,利用遗传算法优化支持向量机的惩罚因子和核参数,使识别性能得到有效提高;实验显示Krawtchouk矩下的印鉴类间散度与类内散度比值是Zernike矩的2.93倍,与遗传算法优化后的高斯核支持向量机相结合下的识别率明显提高。结果表明:与Zernike矩不变量相比,Krawtchouk矩不变量能更加准确地描述印鉴图像特征,识别性能更好。