光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术

介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术，包括：(1）光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术；(2）投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术；(3）接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术；(4）大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术；(5）电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术. 该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作，实现了20nm线条曝光，研制成功了27nm CMOS器件；进行了50nm单电子器件的演试；并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.     

CIF到PG3600格式转换的算法研究

提出了微光刻图形CIF数据格式到PG3600数据格式转换软件新的图形切割算法,该算法将L-EDIT输出的CIF格式中的四种图形当作任意多边形处理,然后把多边形切割成矩形。与其他算法相比较,该算法简单、切割理想、切割后的矩形数据量比其他算法少很多。并以此算法为基础,编制能够运行于Windows操作系统且又能够挂靠在L-EDIT上的数据格式转换软件。     

HSQ用于电子束曝光的性能分析

作为一种非化学放大的无机负性电子束光刺抗蚀剂,HSQ(hydrogen silsesquioxane)具有极高的分辨率(约5 nm),由于灵敏度较低,限制了其在微纳米加工方面的应用.从化学结构变化的角度分析了HSQ在电子束曝光中的性能,通过实验验证了其灵敏度及对比度受前烘温度及显影液浓度的影响较大,并且其在电子束曝光中的邻近效应也可以通过改变这两个条件而得到一定的抑制.根据所得优化工艺条件,在450 nm胶层上,制作出100 nm等间距光栅结构胶层图形,且其侧壁陡直性良好.     

电子散射参数提取的新方法

准确提取电子散射参数是确保纳米级电子束光刻邻近效应校正精度的关键。采用了一种不基于线宽测量和非线性曲线拟合的电子散射参数提取的方法。邻近效应校正的近似函数采用双高斯分布,其中η的提取是基于设计线宽变化与相应曝光剂量之间的线性关系进行拟合而得;α和β的提取则是分别根据前散射和背散射的范围设计特定的提取版图,并根据电子束邻近效应产生的特殊现象进行参数值的确定。根据此方法提取了150nm厚负性HSQ抗蚀剂层在50kV入射电压下的散射参数,并将其应用于邻近效应校正曝光实验中,很好地克服了电子束邻近效应的影响,验证了此方法提取电子束曝光邻近效应校正参数的实用性及准确性。     

CIF格式转换为PG3600格式中任意多边形切割成矩形的算法研究

为了编制能够运行于Windows操作系统且又能够挂靠在L-EDIT数据格式转换软件,文章提出了微光刻图形CIF数据格式转换为PG3600数据格式的新的图形切割算法--沿边切割法,重点讨论任意多边形切割成矩形的具体算法,并与其它几种常见的切割算法进行比较,说明该算法对于不规则图形的切割具有明显的优越性,最后给出所编软件运行的实验结果.     

光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术

介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,包括:(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(2)投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术;(3)接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术;(4)大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术;(5)电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术.该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作,实现了20nm线条曝光,研制成功了27n m CMOS器件;进行了50nm单电子器件的演试;并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.     

光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术

介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,包括:(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(2)投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术;(3)接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术;(4)大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术;(5)电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术.该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作,实现了20nm线条曝光,研制成功了27n m CMOS器件;进行了50nm单电子器件的演试;并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.     

电子束抗蚀剂图形结构的倒塌与粘连

首先从实验现象出发,阐述了纳米级高密度、高深宽比电子抗蚀剂图形结构发生倒塌与粘连的主要几何因素及其关系。除了结构的几何因素外,结合"Beam Sway"模型分析了抗蚀剂微细结构在制作过程中的受力情况。在上述工作的基础上,提出了克服纳米级高密度、高深宽比电子抗蚀剂图形结构倒塌与粘连的相应措施。其中,通过实验验证了超临界CO2干燥技术对于电子束抗蚀剂ZEP520A用于制作周期200nm及150nm、深宽比超过4的光栅图形结构具有良好的效果。     

二芳基乙烯薄膜双稳态全光开关的实验研究

采用二芳基乙烯(DA,diarylethene)材料顺-1,2-二氰基-1,2-双(2,4,5-三甲基-3-噻吩基) 乙烯cis-1,2-Dicyano-1,2-bis(2,4,5-trimethyl-3-thie nyl)ethene掺杂到聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA)制成有机掺杂薄膜样品(掺杂质量百分比为10%),基于薄膜 光致吸收特性的变化 构建了有机掺杂薄膜双稳态全光开关,分别以波长为375nm的紫外激 光(CW,40mW)和 波长为532nm的可见激光(CW,5mW)作为激发光,以波长为632.8nm的He-Ne激光(CW,3μW)为探 测光,实验研究并获得了薄膜样品的双稳态全光开关实验结果,开关信号的调制深 度为8.2%,开关上升时间约为36s,下降时间 约为47s。根据光致变色系统二能级 理论,对全光开关的实验结果和机理作了较深入分析。本文的双稳态全光开关具有简单 容易实现的特点,作为一种低速的双稳态全光开关有潜在应用价值。     

用于非球面测试的位相型计算全息图制作

本文对计算全息图元件的设计和制作成算法和软件,研究了采用高速电子束直写系统制作大面积、非周期性复杂光刻图形技术,在此工作的基础上,采用湿法腐蚀铬、感应耦合等离子体刻蚀石英玻璃两步图形转移的方案,制作出了图形区直径为64 mm、最外环线条宽度为2.0μm、刻蚀深度为690 nm的位相型计算全息图元件,并对加工结果进行了测量.结果表明,本方案所制作的计算全息图元件具有良好的加工质量,符合应用的需求.