片式高压多层陶瓷电容器击穿问题的研究

根据实验数据分析了引起片式高压多层陶瓷电容器击穿的机理,结果表明:在静电场中节瘤的凸点电场强度,是电极平面节点电场强度的3倍;端头尖端电荷密度远大于周围电荷密度;空洞和分层中的空气在高压下电离,造成的介质变薄,是MLCC被击穿的重要原因。据此提出改进措施。通过提高膜和印叠质量控制电极厚度、排粘时间和升温速率、调整端浆比例等措施,控制相关因素,使高压产品的耐压性能提高1.5倍左右。     

片式ZnO压敏电阻器印叠工艺对通流容量的影响

通过印叠工序中,内电极烘干温度与烘干时间的试验,研究了它们对片式ZnO压敏电阻器通流容量的影响。结果表明:烘干温度与烘干时间分别为70℃与2~4h时,产品的通流容量最大。     

ZnO压敏/BaTiO3电容双功能多层器件

研究了ZnO压敏/BaTiO3电容双功能多层器件,在共烧过程中瓷体分层和收缩的问题。通过调节BaTiO3瓷料和粘合剂的质量比为1:0.8,压敏陶瓷/粘合剂质量比为1:0.6,烧结温度1100℃和瓷体/瓷体的交界层,使BaTiO3体系电容器和ZnO压敏陶瓷电阻器的共烧器件,在宏观上匹配很好。这为其它相似元件的共烧提供了参考。