高介电常数TiO2纳米晶的表面态研究

将钛酸四丁酯和硬脂酸在熔融状态下混合均匀后置于冷水浴中,使其凝固成凝胶,通过控制烧结过程中氧气的含量,成功地制备出粒度均匀、介电性能好的纳米晶TiO2.通过采用X射线光电子能谱和表面光电压谱对纳米晶TiO2表面状态的分析发现,材料表面存在大量的氧空位缺陷,暴露在粒子表面上的主要是一些金属Ti4+.纳米材料的这种表面状态对其极化性质具有重要的影响,使其在接近静态条件下的低频介电常数远大于常规材料的介电常数.     

纳米晶La_（1－_x）Sr_xFeO_3的合成及气敏特性的研究

用柠檬酸盐法合成出Ｌａ_（１－_ｘ）Ｓｒ_ｘＦｅＯ_３（ｘ＝０．１，０．２，０．３，０．４）原粉，再经固相反应得到纳米晶粉末，用ＴＧ、ＤＴＡ、ＸＲＤ、ＩＲ进行了表征，确证复合氧化物Ｌａ_（１－_ｘ）Ｓｒ_ｘＦｅＯ_３为钙钛矿型结构，粒径在１０～２５ｎｍ之间。实验结果表明，随着固相反应条件不同，产物粒径呈规律性变化．气敏特性研究表明，该纳米晶材料对乙醇有较高的选择性和灵敏度，其选择性顺序为Ｌａ_（０．９）Ｓｒ_（０．１）ＦｅＯ_３＞ＬａＦｅＯ_３＞ＬａＦｅＯ_３（大晶粒）。     

P-T-X_i多元相图中边界维数与相边界维数的关系

文献[1]已经提出了压力(P)-温度(T)-组成(X_i)多元相图中紧邻相区及其边界关系的系统理论。但其中一组基本关系式——边界维数R′_1与相边界维数R_1的关系式是通过类比方式得到的,没有证明。现本文给出了它的理论证明。     

In-Ga合金源汽相外延生长In_xGa_(1-x)As体系的热力学分析

本文采用独立组元法对In-Ga合金源汽相外延生长In_xGa_(1-x)As体系的平衡状态作了热力学计算和分析,所得结果对认识该体系外延生长的规律性及改进工艺条件有一定参考价值.     

恒压相图中边界维数与相边界维数的关系

本文从理论上论证了恒压相图中边界维数与相边界维数的关系。     

复杂化学平衡计算中的自由能最小化方法

一、引言在二十世纪40年代以前,复杂化学平衡的计算工作很少,计算方法也很有限。二次世界大战中,由于火箭工艺的需要,促进了化学平衡     

在盐的水溶液中非电解质的活度系数的研究Ⅶ.无机盐对甲苯在水中溶度的影响

作者用分光光度计测定25℃下甲苯在十五种盐水溶液中的盐析常数k。所用的盐为:LiCl,NaCl,KCl,CsCl,NH₄Cl,NaF,NaBr,NaClO₃,NH₄Br,(CH₃)₄NBr,(C₂H₅)₄NBr,MgCl₂,CaCl₂,SrCl₂,BaCl₂₀在十五种盐中,只有两个溴化季铵盐对甲苯起盐溶作用,其余均起盐析作用。对于1-1价盐,k值的次序是NaF>NaCl>KCI>NaBr>NaClO₃>LiCl>NH₄Cl>CsCl>NH₄Br>(CH₃)₄NBr>(C₂H₅)₄NBr。这次序和一般非极性非电解质的盐析效应次序相同。定性地符合vanderWaals力理论,Dcbye-McAulay的静电理论以及McDevit和Long的内压力理论。对于2-1价盐,k值的次序是BaCl₂>SrCl₂>CaCl₂>MgCl₂₀即盐析效应随离子晶体半径的增加而上升。这次序和色散力理论的次序恰相反。但是,如果假设二价离子对水的静电作用能伸展到原水化层以外的水分子,并考虑水化离子和水的静电作用,以及它和甲苯的色散作用,以上四种盐的反常次序就得到解释。     

LaFeO_3 栅膜 FET 气体传感器的研究

本文采用溶胶－凝胶技术制备ＬａＰｅＯ３纳米晶薄膜，并摸索出该薄膜的光刻方法，将这一成膜技术与集成电路平面工艺相结合，首次研制出了纳米晶薄膜作为栅极的场效应晶体管气体传感器，它对乙醇具有较高的灵敏度和良好的选择性．     

SiCl_4外延生长硅晶体中碳沾污的热力学分析

本文采用热力学计算方法对引起SiCl_4外延生长硅晶体中碳沾污的三个来源作了较详细的分析.所得结果对外延硅中SiC沾污问题的认识,外延工艺和H_1、SiCl_4原材料制备及提纯工艺的改进将有一定的参考意义.