用于3D集成的精细节距Cu/Sn微凸点倒装芯片互连工艺研究

芯片异构集成的节距不断缩小至10 μm及以下,焊料外扩、桥联成为焊料微凸点互连工艺的主要技术问题.通过对微凸点节距为8 μm的Cu/Sn固液扩散键合的工艺研究,探索精细节距焊料微凸点互连工艺存在的问题,分析Cu/Sn微凸点键合界面金属间的化合物,实现了精细节距和高质量的Cu/Sn微凸点互连,获得了节距为8 μm、微凸点...     

用ispLSI1032实现数字钟设计

一、前言 本文试图用一个简单的设计,来表现如何使用pDS软件根据ispLSI 1032芯片的特性进行设计。我们之所以选择数字钟作为实例,是因为大多数设计者了解它的工作原理。在本例中我们更注重的是设计过程而不是设计本身。另外,该设计很适合于用ispLSI 1032测试工具包对其进行调试及验证。图一为一个数     

基于Bi-LSTM神经网络的室内可见光定位方法

双向长短时记忆（Bi-LSTM）神经网络由于超参数众多,难以获得最优系统模型。同时,考虑到灰狼优化（GWO）算法可能过早收敛的情况,提出了一种采用GWO结合粒子群（GWO-PSO）算法优化Bi-LSTM神经网络的单灯定位方法。通过优化网络中的学习率、隐藏神经元个数等超参数,提高系统的稳定性和定位精度。最后,采用加权K邻近（WKNN）算法对误差较大的点进行优化,以获得更精确的定位位置。仿真结果表明,在3 m×3.6 m×3 m的室内环境中,所提定位方法的平均定位误差为3.57 cm,其中90%的定位误差在6 cm内。     

An Al_(0.25)Ga_(0.75)N/GaN Lateral Field Emission Device with a Nano Void Channel

We report an Al_(0.25)Ga_(0.75)N/Ga N based lateral field emission device with a nanometer scale void channel. A～45 nm void channel is obtained by etching out the SiO_2 sacrificial dielectric layer between the semiconductor emitter and the metal collector. Under an atmospheric environment instead of vacuum conditions, the Ga Nbased field emission device shows a low turn-on voltage of 2.3 V, a high emission current of ～40 μA(line current density 2.3 m A/cm) at a collector bias VC = 3 V, and a low reverse leakage of 3 nA at VC =-3 V. These characteristics are attributed to the nanometer scale void channel as well as the high density of two-dimensional electron gas in the Al Ga N/Ga N heterojunction. This type of device may have potential applications in high frequency microelectronics or nanoelectronics.     

CATV系统应注意规范接地

CATV系统的严格接地,一方面是防止雷电的击毁,另一方面是防止由于电力系统各项电压不平衡造成瞬间大的中相电流(下文简称地电流),将CATV器件烧坏,甚至将电缆烧焦的故障发生。 因此,CATV系统必须严格地按技术规范接地,否则将会造成不堪设想的后果。 下面仅就笔者在网络维护中所遇到的较为典型的CATV系统不接地或接地不良所发生的故障和及时采取的措施介绍于下,提供给网络维护工作者借鉴。 一、地电流是如何进入CATV系统的 首先分析一下,动力系统的地电流(亦称电力线浪涌)是如何进入CATV系统的。其实这并不是一个很直观的问题。为了简捷说明,我们给出电力系统接地线等效电路图1如下     

阻断铜离子介导神经毒性的小分子抑制剂研究

过量的铜离子介导淀粉样蛋白异常聚集被认为是导致淀粉样蛋白变性病的主要因素之一. 基于淀粉样蛋白聚集机理及金属铜离子的氧化还原机理, 我们选用β-淀粉样蛋白Aβ1-40作为蛋白模型, 设计并合成出由硫代黄素 T衍生出来的小分子抑制剂. 该小分子抑制剂可以螯合淀粉样蛋白周围过量的一价铜离子, 阻止有害的氧化还原循环过程, 抑制活性氧物质的产生, 从而达到保护细胞的目的. 这为治疗铜离子介导的淀粉样蛋白错误折叠所造成的疾病提供了新的策略.     

Effects of Ag on Electrical Properties of Ag/Ni/p-GaN Ohmic Contact

Properties of the Ag/Ni/p-GaN structure at different temperatures are studied by Auger electron spectroscopy, scanning electron microscopy and high resolution x-ray diffraction. The effect of Ag in ohmic contact on the crystalline quality is investigated and the optimized value of annealing temperature is reported. The lowest specific contact resistance of 2.5 × 10^-4 Ωcm^2 is obtained at annealing temperature of 550^o C.     

表面处理对p-GaN欧姆接触特性的影响

研究了王水溶液对p-GaN欧姆接触特性的作用.在蒸镀欧姆电极之前采用王水溶液对表面进行处理,使p-GaN的比接触电阻从8×10-3降低到2.9×10-4Ω·cm2.利用X射线光电子谱(XPS)对p-GaN表面氧含量进行分析,结果表明王水可以有效地去除p-GaN表面的氧化物,从而改善p-GaN的欧姆接触特性.