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1.
Pb(Zr,Ti)O_3铁电场效应晶体管的制备及性能研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用PLD(PulsedLaserDeposition)工艺制备Au/Pb(Zr,Ti)O3/SiO2/Si异质结构.这种结构的铁电场效应晶体管(FFET)的电性能由I-V和C-V特性表征.Au/Pb(Zr,Ti)O3/SiO2/Si异质结构的C-V曲线表现为极化开关,对应500nmPZT,记忆窗口约3V.实验表明Au/PZT/SiO2/Si栅结构实现了铁电体场效应存储性能.  相似文献   
2.
溶胶-凝胶法制备高取向Bi4Ti3O12/SrTiO3(100)薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
Bi4Ti3O12具有良好的铁电、电光等性能山、特别是Bi4Ti3O12薄膜很适合作永久性存储材料,也可用于电光器件问.在微电子学、光电子学、集成光学、集成铁电学等领域均有广泛开发和应用前景,国外已用溅射法、激光沉积法制备出c轴取向Bi。Ti3Ol。薄膜【’,\山东大学用MOCVD法制  相似文献   
3.
应用烯基铜锂试剂合成消旋日本丽金龟性信息素徐章煌,黄锦霞,李焰,潘贻罕,蒋济隆,赵建洪(湖北大学化学系武汉430062)(华中理工大学固态电子学系武汉)关键词日本丽金龟,性信息素,烯基铜日本丽金龟成虫对多种树木、观赏植物及农作物危害极大,1976年,...  相似文献   
4.
采用脉冲激光沉积方法(PLD)制备了Au/PZT/BIT/p-Si多层结构铁电存储二极管.对铁电存储二极管的P-E电滞回线、I-V特性曲线分别进行了测试与分析,并对其导电行为及基于I-V特性回滞现象的存储机理进行了讨论.实验表明,所制备的多层铁电薄膜具有较高的剩余极化(27μC/cm2)和较低的矫顽场(48kV/cm),BIT铁电层有助于缓解PZT与Si衬底之间的界面反应和互扩散,减少界面态,与Au/PZT/p-Si结构相比,漏电流密度降低近两个数量级,I-V特性曲线回滞窗口明显增大.  相似文献   
5.
采用正辛基铜锂试剂与乙炔反应生成高顺式癸烯基铜锂试剂,再与由γ-丁内酯为原料制备的4-羰基丁酸乙酯进行亲电加成、关环、内酯化,合成了dl-日本丽金龟性信息素。  相似文献   
6.
采用脉冲激光沉积方法 (PL D)制备了 Au/ PZT/ BIT/ p- Si多层结构铁电存储二极管 .对铁电存储二极管的P- E电滞回线、I- V特性曲线分别进行了测试与分析 ,并对其导电行为及基于 I- V特性回滞现象的存储机理进行了讨论 .实验表明 ,所制备的多层铁电薄膜具有较高的剩余极化 (2 7μC/ cm2 )和较低的矫顽场 (4 8k V/ cm ) ,BIT铁电层有助于缓解 PZT与 Si衬底之间的界面反应和互扩散 ,减少界面态 ,与 Au/ PZT/ p- Si结构相比 ,漏电流密度降低近两个数量级 ,I- V特性曲线回滞窗口明显增大  相似文献   
7.
准分子激光扫描淀积PZT/YBCO结构铁电薄膜   总被引:2,自引:1,他引:1  
利用脉冲准分子激光(工作气体XeCl,波长308nm,脉宽28ns)在外延YBCO/LaAlO3(100)单晶基片上淀积了Pb(Zr0.55Ti0.45)O3铁电薄膜,YBCO薄膜既为生长高取向PZT薄膜提供了晶体匹配条件,同时也为PZT铁电薄膜提供了下电极。讨论了工艺参数对晶相结构和表面形貌的影响。用X射线衍射表征了该多层膜的晶相结构,扫描电镜观察其表面形貌。PZT铁电薄膜的剩余极化为21μC/cm2,矫顽场为65kV/cm。  相似文献   
8.
Au/PZT/BIT/p-Si异质结的制备与性能研究   总被引:2,自引:2,他引:0       下载免费PDF全文
采用脉冲激光沉积(PLD)工艺,制备了以Bi4Ti3O12(BIT)为过渡阻挡层的Au/PZT/BIT/p-Si异质结.研究了BIT铁电层对Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜晶相结构、铁电及介电性能的影响,对Au/PZT/BIT/p-Si异质结的导电机制进行了讨论.氧气氛530℃淀积的PZT为多晶铁电薄膜,与直接淀积在Si基片上相比,加入BIT铁电层后PZT铁 关键词: 铁电薄膜 异质结构 脉冲激光沉积(PLD)  相似文献   
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