中间电平对CMOS数字电路的影响

很多情况都可以导致CMOS数字集成电路产生大的电源电流,但以CMOS的输入处于Vilmax与Vihmin之间的转折区而产生的大电流最为常见;而且其影响很重要,甚至会导致闩锁效应而对电路造成损坏。转折区的危险电平由管脚浮空、误操作、输入脉冲的上下沿和双向I／O这几种状态所产生。对每一种状态的影响及其原因进行了详细的分析,给出了解决的方法。对电路设计、试验、测试和分析具有一定的参考价值。     

集成电路开短路失效原因探讨

对过电应力引起的CMOS集成电路的开短路失效模式,从电路结构、导电通路、误操作等方面进行了失效原因探讨。列举了一些过电应力的来源,说明了电压或电流幅度很小也可导致过电应力烧毁,从而说明了根据失效模式来寻找过电应力来源的困难性。对失效分析、故障归零将有很好的参考价值。     

一种硅微波功率三极管的失效分析

描述了硅微波功率三极管的失效模式,给出了器件输出功率与器件耗损功率的关系,得出了微波脉冲电流与有效值的关系,证明了器件在规定的参数范围内能可靠工作,推论了器件失效发生时的状态。指出器件的失效是热电正反馈熔融烧毁所致,是使用问题而不是器件的本质失效;其分析过程对其它器件的失效分析有指导作用。     

CMOS数字IC管脚电容的估算与测量

针对CMOS数字IC管脚电容的测试问题,从标准规定、规范规定的角度进行了分析;利用最小阻抗通路法对管脚电容在各种偏置情况下的量值进行了估算;并结合LCR测量仪的测试原理,解释了与CMOS数字IC端电容测试相关的疑问,得出了电容只需简单测试即可的结论.     

PMCM器件的失效根因分析

从塑封多芯片组装(PMCM)器件的电性能测试数据出发,根据器件的环境试验过程和MCM的材料结构、芯片性能,得出了某PMCM器件的失效性质与塑封封装材料、工艺相关的结论;同时讨论了一些PMCM失效分析问题。