红外晶体Hg_(1-x)Cd_xTe的斑缺陷

前言近代红外探测器件的重要材料Hg_(1-x)Cd_xTe晶体是一种HgTe-CdTe组成的连续固溶体。从HgTe-CdTe膺二元系相图看,由于液线与固线分离比较宽,CdTe有很大的分凝。由于分凝效应,Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的化学组份无论轴向或径向分布都存在着不均匀性。因此,有时在晶体的局部存在着难以消除的缺陷。其中最常见的是斑缺陷。这种斑缺陷在金相显微镜下观察时,往往呈现发亮的斑痕形貌。所以,国内的研究通常称之为“亮斑”。而在国外研究     

用X射线研究碲镉汞晶体的缺陷

用x射线劳埃大斑点,以及x射线形貌术法,观察晶体表面结构,近年来已成为检查晶体的完整性和作为晶体选片的一种有效的方法之一。它的特点是照相速度快而且直观,其表面的相衬度与被分析晶片的表面结构,有非常好的对应关系。本文报导,用x射线研究碲镉汞晶体表面在热处理前后,其组织结构的状态变化,碲镉汞晶体生长方向的纵向偏离,小角度晶界的大小,以及碲溶剂法与再结晶法生长的碲镉汞晶体缺陷形态的比较。实验用(111)原子面做为参考面,(440)原子面为衍射面。x射线源为Cuka_1。在Lang相机上摄取形貌像。摄取劳埃大斑点像系用Co的连续谱为x射线源。其样品表面在拍照前,     

富碲碲镉汞液线温度的测量——富碲碲镉汞相图研究之一

由于碲镉汞单晶在熔体生长中比较难于获得符合化学计量比的晶体,常常由于晶体的组份不均匀性和晶体结构的不完整性造成器件研制工艺的困难。碲镉汞晶体组份的不均匀性及结构不完整性主要是由于在晶体生长中的高汞压以及赝二元系固液相线的距离宽所致。为了克服上述困难,近年来国外连续发表了有关液相外延生长碲镉汞的方法,同时发表了有关富碲三元系碲镉汞液相外延研究工作,并报导了有关富碲角碲镉汞相图的资料。在富碲角相图的研究中最先应该解决的是富碲碲镉汞合金的凝固点的测量问题。正如我们在发表赝二元系碲镉汞相图前曾对碲镉汞合金材料的熔点进行测定一样,这个问题的解决对富碲碲镉汞相图研究同样是个     

富Te碲镉汞母液的动态液相温度测量

掌握富Te碲镉汞母液的动态液相温度,对提高外延生长成膜率具有重要意义。本文报道在碲镉汞液相外延生长动态环境中,应用差热分析法测定母液的液相温度。动态测量会遇到许多问题:1)母液的熔化和降温生长时,汞压的变化而引起母液组分的变化2)附加汞的存在,氢气流不易控制而造成压力的变化,导致测量不易获得良好的重     

用MOCVD法生长HgCdTe薄膜晶体

1.引言1958年Rcuhrwein提出了用金属烷基化合物制成薄膜的技术称为MOCVD法(金属有机化学汽相沉积),或称MOVPE(有机金属汽相外延)。1968年英国Hansevit开始对化合物半导体单晶的生长进行了多次试验,证实这种方法是一种高精度的薄膜生长技术。1971年Manasevit和Simpson最先报导了采用MOCVD法生长Ⅱ-Ⅵ化合物晶体     

碲熔剂法生长Hg_(1-x)Cd_xTe熔点测量

红外器件材料Hg_(1-x)Cd_xTe是CdTe,HgTe两种化合物以化学计量比配制的连续固溶体。这种三元合金半导体在生长中存在一系列问题。为获得一定波长的红外器件,必须把生长的晶体控制在响应波长所对应的组份均匀、结构完整而且具有一定电学性能的化学配比范围内。但是,目前所依据的Hg_(1-x)Cd_xTe膺二元系相图并不完全一致。为研究膺二元系碲镉汞晶体的相图,使用了热分析法对我所生长的加入过量碲作熔剂的碲镉汞晶体的熔点进行了测量。应用差热分析方法测量物质的熔点,这是热分析方法常用的手段。但对于碲镉汞材料来说,确实存在着相当的困难。首先,由于碲镉汞材料在熔化过程中汞的挥发,造成熔点测量操作上的困难。其次,由于汞的挥发带来x值的相应改变,使得测量不能获得良好的再现性。第三,由于碲镉汞晶体熔点     

富碲碲镉汞区域相图及有关薄膜生长参数——富碲碲镉汞相图研究之二

一、前言资料[1]介绍了富碲碲镉汞液相温度的测量方法。本文在此基础上为液相外延膜生长工艺的研究提供了富碲(Hg_(1-x)Cd_x)_(1-y)Te_y区域相图。为获得消除富碲存在时的过冷效应,本文采用动力学方法进行计算。所以本工作相图数据是在大量的热分析试验的基础上取得的。所得到的液相温度曲线复盖了(Hg_(1-x)Cd_x)_(1-y)Te_y组份中x=0.05～0.10;y=0.72～0.85区域,为液相外延膜正在进行的研究提供了根据。本文为确保数据的可靠性,对相图中的三     

富碲组份对碲镉汞器件性能的影响

本文研究了光谱响应范围在3～5μm的蹄镉汞光导探测器材料中镉碲组份及晶体结构对器件性能的影响。认为材料中蹄镉组份的同时测定对于晶体材料品质的评价是很重要的。实验证明,在一定x值的条件下,蹄组份值一般偏向富蹄范围。当富蹄组份含量不超过或低于50.0～51.0 ％(原子)范围,蹄的含量越接近于化学计量比50.0％ (原子)时,晶体结构越趋完整。相应于晶体的电学性能也较好。反之亦然。本研究可提供筛选晶片时的依据。