线性掺杂缓冲层结构VDMOSFET抗单粒子烧毁的仿真研究

通过引入缓冲层可以提高器件的二次击穿电压,进而提高器件发生单粒子烧毁的阈值电压。本文提出采用线性掺杂缓冲层结构。通过准静态雪崩仿真和重离子入射仿真发现,优化线性缓冲层是必要的,对于固定厚度的缓冲层,具有线性掺杂缓冲层结构的器件发生单粒子烧毁时的内部电场强度明显小于优化后的恒定掺杂缓冲层结构的器件。二次击穿电压与寄生晶体管的开启电流明显比具有优化后的恒定掺杂缓冲层结构的器件高。因此,线性掺杂缓冲层结构的器件在抗单粒子烧毁方面更有优势。     

仿真研究变掺杂缓冲层技术对MOSFET抗SEB能力的改善

内透明集电极(Internal Transparent Collector,简称ITC)绝缘栅双极晶体管(IGBT)是新一类IGBT,其特点是在传统穿通型(PT)IGBT结构基础上,在集电区近集电结附近引入一局域载流子寿命控制(LCLC)区,从物理上屏蔽厚衬底中空穴的注入,使集电区范围变窄、集电区少子有效扩散长度减小,器件集电区由非透明变成内透明。本论文针对600V平面栅ITC IGBT的短路特性进行仿真研究,重点讨论LCLC区的位置及LCLC区内载流子寿命对器件短路的影响。结果显示,对一定的载流子寿命,随着LCLC区距集电结距离减小,器件短路性能增强;而对固定的LCLC区位置,随着LCLC区内载流子寿命降低,器件短路性能进一步改善。所有这些最终都可以归结于背发射极效率的影响。     

高压二极管中局域铂掺杂的寿命控制新技术

提出一种寿命控制新技术--氢离子辐照缺陷汲取铂局域寿命控制技术.所有样管首先进行能量为550keV,剂量为1×1013～5×1017cm-2的氢离子辐照;接着分别进行700～750℃,15～30min的退火,以完成铂在硅中的扩散和氢离子辐照缺陷对铂原子的汲取.随后,所有样管进行了深能级瞬态谱仪测试(DLTS),以得到缺陷汲取后样管中的铂浓度分布.最终,所有样品都得到了与氢离子辐照缺陷具有相似分布的局域铂浓度分布.同时,与现有的整体寿命控制技术和氢、氦离子辐照局域寿命控制技术相比,局域铂掺杂样管具有反向恢复时间小、反向恢复软度因子大和漏电流极小的优点.     

高压功率二极管中局域铂掺杂寿命控制的研究

利用质子辐照形成的集中于射程末端的高密度缺陷在退火时对铂的吸杂作用 ,实现了硅高压功率P i N二极管的局域铂掺杂。经过 70 0°C、半小时低温退火 ,在已进行质子辐照的样品中 ,铂会由铂硅合金阳极向器件内部扩散 ,并形成与质子辐照感生缺陷分布相似的铂的分布。最终 ,质子辐照缺陷峰附近处的铂浓度将会是缺陷拖尾区中铂浓度的 1.5～ 2倍。与传统扩铂技术相比 ,用此新技术制成的P i N功率二极管有可能实现更快的恢复速度、更大的软度恢复因子和更低的反向漏电。     

用局域寿命控制技术改善功率快恢复二极管性能的仿真研究

针对局域低寿命区的参数对快恢复硅功率二极管性能的影响进行了系统的仿真研究,得到了全面系统的研究结果,其中包括局域低寿命区在二极管中的位置不同和局域低寿命区中复合中心能级在禁带中的位置不同对快恢复二极管的反向恢复时间( trr)、反向恢复软度因子( S)、正向压降( VF)、漏电流( IR)等各个单项性能的影响,以及对trr- S、trr- VF 和trr- IR 等各项性能综合折衷的影响.这些结果对高速功率器件寿命工程研究和器件制造工程都有重要的参考价值.     

用局域寿命控制技术改善功率快恢复二极管性能的仿真研究

针对局域低寿命区的参数对快恢复硅功率二极管性能的影响进行了系统的仿真研究,得到了全面系统的研究结果,其中包括局域低寿命区在二极管中的位置不同和局域低寿命区中复合中心能级在禁带中的位置不同对快恢复二极管的反向恢复时间(trr)、反向恢复软度因子(S)、正向压降(VF)、漏电流(IR)等各个单项性能的影响,以及对trr-S、trr-VF和trr-IR等各项性能综合折衷的影响.这些结果对高速功率器件寿命工程研究和器件制造工程都有重要的参考价值.     

浅谈高低压混装连接器中的绝缘防护墙

在普通Ｄ系列连接器中，产品的耐压一般要求为３００Ｖ，而我厂的ＤＢ１３型连接器，要求工作电压为：高压大于等于２０００Ｖ，低压小于等于５００Ｖ，同时要求结构精巧。我们在产品结构中采用了绝缘防护墙，使产品较好地达到了要求，且可靠性很高。本文论述了绝缘防护墙的结构及特点。