PDP选址驱动芯片的HV-COMS器件设计

设计出一种能与 0 .6μm的标准低压 CMOS工艺完全兼容的 HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构 ,并提出了具体的工艺实现方法——单阱非外延工艺 ,该工艺能降低生产难度和成本。同时采用 TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟 ,并用 MEDICI对该结构的电流 -电压和击穿等特性进行模拟。该结构的 HV-CMOS应用于 PDP(Plasma Display Panel)选址驱动芯片 ,能在 80 V、40 m A的工作要求下安全工作     

新型吡啶联吡唑双酰肼类化合物的合成及除草活性

以乙酰丙酮和溴乙酸乙酯等为起始原料,经取代、肼基化、环合、水解、酸化和缩合等反应合成了12个新型的吡啶联吡唑双酰肼类化合物(1a~1l),其结构经¹H NMR, ¹³C NMR和MS(ESI)表征。并研究了化合物的除草活性。培养皿法测试结果表明：用药量为200 mg·L^-1时,1j, 1k和1l对油菜的抑制率均为100%。盆栽法测试结果表明：苗后茎叶喷雾处理用药量为150 g·hm^-2时,1l对靶标杂草芥菜、繁缕的抑制率分别为80%和70%。     

PDP选址驱动芯片HV-CMOS器件的研究

文章提出了一种适合PDP选址驱动芯片的HV-NDMOS（High Voltage N-channel Lateral Double-diffused MOSFET）工艺结构，并通过二维MEDIC^[1]软件对该结构进行模拟，论证了其独特的优越性-防穿通。同时提出了HV-PMOS（High Voltage P-channel MOSFET）的厚栅氧刻蚀方法-多晶硅栅自对准刻蚀。     

多晶硅栅离子注入杂质对MOS器件亚阈特性的影响

通过工艺模拟和实验，在引入多晶硅栅等效电容概念的基础上，建立了MOS器件亚阈特性的修正模型，并讨论了多晶硅杨高于往入杂质类型对器件亚阈特性的影响。采用常规1μmNMOS工艺制备的晶体管使用了两种源漏、多晶硅栅掺杂方案──P、As用于比较，每一硅片上均包含四种几何尺寸不同的NMOS管。测量所得的亚阈特性参数与模拟及修正模型推导结果相一致，进一步证明了模型与实际器件的统一。     

集成电路布局规划技术

介绍了集成电路布局规划的重要性及其实现方法，提出了诸如外观比率调整的新新方法、电源及信号线设计和工艺兼容设计原则等观点，并逐一说明了布局规划中各个步骤所应遵循的法则及考虑要点。