钽掺杂对二氧化钒多晶薄膜相变特性的影响

将Ta_2O_5与V_2O_5均匀混合,压制成溅射靶,用离子束增强沉积方法在二氧化硅衬底上沉积掺Ta氧化钒薄膜.在氮气中适当退火,形成掺杂二氧化钒多晶薄膜.X射线衍射结果显示,薄膜具有单一的(002)取向.XPS测试表明,膜中V为+4价,Ta以替位方式存在.温度-电阻率测试表明,薄膜具有明显的相变行为,原子比为3%的Ta掺杂后,二氧化钒多晶薄膜相变温度降低到约48℃.Ta原子的半径大于V原子的半径,Ta的掺入在薄膜中引入了张应力;5价Ta 替代4价V,在d轨道中引入多余电子,产生施主能级,这些是掺钽二氧化钒多晶薄膜相变温度降低的原因.     

分光计测定光栅常数

针对分光计测定光栅常数实验中入射光线偏离光栅法线的情形,提出了计算光栅常数的一个近似表达式。在不增加额外测量的前提下,使实验结果更接近于实际值。     

移动互联网中TD-LTE技术的应用探讨

近年来,随着我国移动通信技术的迅速发展,出现了一种新型的通信技术TD-LTE。其技术具有网速快、运用灵活、应用范围广、发展前景大等扰势。因此更适合现代社会的发展需求,从而成为现代社会的主要通信方式。文章主要介绍了TD-LTE的概念,从而针对TD-LTE技术在移动互联网中的应用情况进行了分析,并提出了TD-LTE技术的发展前景,以供大家参考。     

试论LTE承载网的需求及解决措施

文章主要结合笔者的工作经历,阐述了LTE自身结构和接口等方面的变化,分析了LTE承载的需求及特点,从而针对解决LTE承载需求的措施进行了详细地论述与研究,提出自己的看法。     

关于广义Taylor中值定理中ξ的渐近性

本讨论了当区间两端点都趋向于一定点时,广义Taylor中值定理中ξ的渐近性。     

二氧化钒多晶薄膜的掺杂改性

掺杂能明显改变二氧化钒薄膜的相变温度,影响其电学和光学性质。研究表明：W、Mo等大尺寸原子掺杂可以有效降低相变温度,而Al、P等小尺寸原子掺杂则使相变温度升高。综述、比较了不同掺杂方法和掺杂元素对相变、相变滞豫、电阻和透射性能的影响,介绍了用离子束增强沉积方法对二氧化钒薄膜掺杂改性的优点。综合分析表明,通过对二氧化钒多晶薄膜的掺杂改性,将相变温度降至室温附近,可以大大提高薄膜的室温电阻温度系数。     

Li–N dual-doped ZnO thin films prepared by an ion beam enhanced deposition method

Li–N dual-doped ZnO films [ZnO:(Li,N)] with Li doping concentrations of 3 at.%–5 at.% were grown on a glass substrate using an ion beam enhanced deposition(IBED) method. An optimal p-type ZnO:(Li,N) film with the resistivity of 11.4 Ω·cm was obtained by doping 4 at.% of Li and 5 sccm flow ratio of N2. The ZnO:(Li,N) films exhibited a wurtzite structure and good transmittance in the visible region. The p-type conductive mechanism of ZnO:(Li,N) films are attributed to the Li substitute Zn site(LiZn) acceptor. N doping in ZnO can forms the Lii–NOcomplex, which depresses the compensation of Li occupy interstitial site(Lii) donors for LiZnacceptor and helps to achieve p-type ZnO:(Li,N) films. Room temperature photoluminescence measurements indicate that the UV peak(381 nm) is due to the shallow acceptors LiZnin the p-type ZnO:(Li,N) films. The band gap of the ZnO:(Li,N) films has a red-shift after p-type doping.     

试论LTE承载网的需求及解决措施

文章主要结合笔者的工作经历，阐述了LTE自身结构和接口等方面的变化，分析了LTE承载的需求及特点，从而针对解决LTE承载需求的措施进行了详细地论述与研究，提出自己的看法。     

离子束增强沉积制备p型氧化锌薄膜及其机理研究

采用离子束增强沉积方法在Si和SiO₂/Si衬底上制备In-N共掺杂ZnO薄膜(INZO)，溅射靶是用ZnO和2 atm% In₂O₃粉体均匀混合并压制而成，在氩离子溅射ZnO靶的同时，氮、氩混合离子束垂直注入沉积的薄膜.实验结果显示INZO薄膜具有(002)的择优取向，并且为p型导电，电阻率最低为0.9Ωcm.薄膜在氮气、氧气气氛下退火，对薄膜的结构和电学特性与成膜和退火条件的关系进行了分析. 关键词： 氧化锌薄膜 p型掺杂 离子束增强沉积     

儿童低水平铅暴露对GH/IGF1轴的影响

为探讨儿童低水平铅暴露对其GH/IGF1轴的影响,用原子吸收光谱法检测了121例0.5～16岁儿童全血铅水平(BPL),化学发光法测定了生长激素(GH)水平,酶联免疫吸附法测定了胰岛素样生长因子-1(IGF-1)和胰岛素样生长因子结合蛋白-3(IGFBP-3);按血铅水平分成两组:A组69例,B组52例,年龄最小0.5岁,最大16岁,中位数4岁。ρ(BPL)50μg/L为A组,ρ(BPL)≥50μg/L为B组,应用独立样本t检验比较了两组IGF-1、IGFBP3和GH水平的差异。结果表明,总体血铅水平为8～146μg/L,总体中位数47μg/L;A组血IGFBP3水平明显高于B组,其差异有极显著意义;A组IGF-1水平高于B组,但无统计学意义。提示低水平铅暴露可能对GH/IGF1轴产生影响,从而影响儿童体格发育。