两个安全第一思想模型的比较分析

针对投资者可能的投资需求确立了基于安全第一思想下两个相近的投资目标:1、极大化投资末期总收益率超过给定水平α的概率;2、极小化投资末期总收益率与给定水平α的距离.并分别就这两个目标建立了优化决策模型,得到了模型解析解,最后对两个模型结果进行了比较分析和经济解释.     

一种低耐压器件实现的压电陶瓷驱动电源

介绍采用普通低耐压器件三端可调集成稳压块实现的３００Ｖ输出的压电陶瓷驱动电源的设计思想，电路原理，设计计算及安装调试等内容，该设计的特点是电路简单，可靠性好，经济实用。     

形成前处理对提高铝箔比容的影响

阳极氧化膜是电解电容器的工作介质，其质量的优劣直接影响着铝电解电容器的性能。若在形成前将腐蚀箔在７５℃左右的Ａ溶液（〔Ａ〕≈０．２ｍｏｌ／Ｌ）中浸泡约１０ｍｉｎ，然后在５７０℃左右热处理３ｈ，阳极氧化膜的结构与性能将得到改善，铝箔比容可提高２５％～５０％，而形成电能降低３０％～５０％，从而可有效提高形成效率。     

Quantum State Transfer between Two Distant Atoms by Connecting Two Cavities via Optical Fibres

A scheme is proposed to unconditionally implement state transfer between two distant atoms by sending the atoms across two distant cavities connected via an optical fibre, respectively. The field state, which preserves the information about the first atom, is transmitted from one cavity to the other along the fibre. A Faraday rotator integrated in the fibre can be designed to completely stop the fields reflected from the second cavity, thus after the field interacts with the second atom for a defined time, the state transfer can be accomplished with unit efficiency.     

基于上海激光电子γ源的天体核合成关键反应12C(α,γ)16O的反应率研究

正在研制的上海激光电子γ源是MeV量级的高品质γ光束线站，基于该装置可以开展一系列核天体物理实验, 从而更准确的确定各天体核合成反应的反应率. 本文研究了天体核合成中的关键反应¹²C(α,γ)¹⁶O的反应率. 根据多组实验和理论截面数据分别计算了反应率, 并给出了这些反应率计算结果的平均值和统计误差. 根据该结果拟合了理论反应率的解析形式, 确定了新的参数. 进而给出俘获反应¹²C(α,γ)¹⁶O在He燃烧环境下的反应率和误差, 并讨论了电子屏蔽效应对天体反应率的修正.     

透红外大尺寸氧氟化物玻璃研究

锗酸盐和氟铝酸盐透红外玻璃材料作为窗口或头罩材料具有广泛的应用前景。结合锗酸盐玻璃含有少量水的问题，在成分中引入氟化物，实验表明：随氟化物含量增加．玻璃中羟基含量逐渐降低。同时通过对熔制温度的调整，获得了不合羟基的红外玻璃。针对氟铝酸盐玻璃在冷却过程中易析晶的问题，在氟化物组分中加入少量重金属氧化物TeO2，得到析晶性能好的氧氟铝酸盐玻璃。同时给出了两类红外材料的一些物理、化学性质。     

光参量啁啾脉冲放大增益特性研究

 通过对非线性三波耦合方程组进行数值求解，研究了光参量放大的增益特性及饱和放大特性。给出了泵浦光、信号光参数对参量增益的影响及其与晶体饱和长度的关系。且OPA具有传统CPA系统所不具有的优点，将有可能取代传统的CPA系统而作为超短超强激光系统的新型前端。     

硅的等离子体深腐蚀

湿法化学腐蚀已被广泛地应用于敏感器件传感结构的微细加工中.近年来,在VLSI中等离子体干法腐蚀已成为获得细线条图形的可行技术.然而,干法腐蚀工艺无论是等离子体腐蚀或反应离子腐蚀,相对于湿法腐蚀来说都是比较慢的.在需要深腐蚀的应用中(如电子束光刻的对准符号刻蚀,电路隔离槽或敏感器件的微细结构腐蚀)当前都着力提高腐蚀速率.在传感器的开发中,主要问题之一是封装,为简化到处于测量环境的传感器的外部连接,希望通过传感器背面进行连接.在化学传感器中,背面连接最为有利.因为假如所有的引线都     

关于电场叠加问题的讨论

高斯定理本身没有非要孤立带电体不可的限制．将电场叠加原理应用于金属带电体系统时，必须注意到金属带电体在电场中的电荷重新分布．本文从理论上阐明用静电平衡时任一带电导体的分布电荷代入高斯定理计算的电场强度实际上已经是合电场，无须考虑其它带电体的电场的遗缺．