光盘出版物的版权保护技术

简要介绍了光盘出版物的几种主要版权保护技术的新近进展，着重介绍了它们的特点，作用，工作原理和发展趋势。     

用X射线双晶衍射及低温光致发光研究MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的均匀性

本文叙述了用X射线双晶衍射仪非平行(十、一)设置法,测量用分子束外延(MBE)法在GaAs(001)面上生长的量子阱(QW)材料表面各点的回摆曲线。结果表明,松弛状态下晶体表面不同位置上各点的晶格失配、应力以及外延层铝含量分布是不均匀的,这与用低温光致发光(PL)光谱测量的组分均匀性的结果有较好的一致性。实验表明,在工艺相同的条件下,采用MBE生长有超晶格过渡层的GaAs/AlGaAs量子阱材料,提高了外延层的均匀性。     

外事往来

10月8日—11日,美国 RCA 公司终身研究员,76岁高龄的 Albevt Rose 教授及其夫人应邀到物理所访问。Rose 教授在 RCA 服务多年,并曾在普林斯顿、康纳尔大学等任教,在电子成象,电视摄象符等电真空器件、无定形半导体材料等领域作出过极大的贡献。美国电子图象会议从86年11月的第3届年会开始,设立了以 Albert Rose 教授命名的年奖。这次访问,Rose 教授为物理所作了题为“无定形材料的电子学行为”和“太阳能及太阳能     

新型稀土掺杂Ⅲ—Ⅴ族半导体发光与激光器件研究进展

一、引言固体中稀土离子的内壳层4f跃迁产生出尖锐的窄带发光,其光子能量几乎不受基质材料和温度的影响,这些特点使稀土离子在激光和发光材料、器件中得到了广泛应用。     

激光荧光在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料及器件中的应用

利用激光作激发光源,研究Ⅱ—V族GaAs晶体,GaAs—GaAlAs外延晶体及半导体发光,激光器件的光致发光(PL)特性,可以获得有关材料、器件的缺陷、杂质的分布以及它们对发光复合过程的影响的知识,了解器件的退化过程和寻找制备长寿命器件的方法,选择器件制备的合理参数和条件以及研究有关复合的动力学过程。     

GaAs/AlGaAs分子束外延材料的X射线双晶形貌观察

本文介绍了用非平行非对称(+、-)双晶X射线形貌术研究Ⅲ—Ⅴ族化合物外延晶体的设置和原理。分析了外延后形成的弯曲样品造成的衍射效应。对分子束外延(MBE)法生长的GaAs/AlGaAs衬底和外延层分别进行了X射线形貌术观察。讨论了外延层中存在的失配位错、生长小丘、沾污和局部微差取向等缺陷。对位错的组态和来源进行了初步分析。本实验结果也表明,有应变超晶格过渡层的MBE法对生长优质的GaAs/AlGaAs外延片是有利的。     

GaAlAs/GaAs外延层多层膜X射线干涉条纹的研究

作者在MBE法和LPE法生长的GaAlAs/GaAs外延片中观察到了多层膜的X射线干涉条纹.用X射线双晶测角仪记录了这种干涉条纹,并从条纹振荡的周期计算出外延片中相应外延层的厚度.在实验样品具有一定曲率半径(在本实验条件下10—30米)的情况下,用X射线双晶形貌法摄取了这种干涉条纹相,并对弯曲外延片的成相几何进行了分析;通过测量貌相图上干涉条纹的振荡周期,计算出了外延片的曲率半径.