用于高速GaAs IC在片检测的电光取样系统

目前直接电光取样技术是在片检测砷化镓高速集成电路内部动态特性的最好方法。我们建立了半导体激光器电光取样系统，测试了梳状信号发生器输出的４３．７ｐｓ的电脉冲信号以及频率５ＧＨｚ的微波信号，并测试了频率３ＧＨｚ的微波信号的位相移动或时间延迟以及铁氧体微波移相器的静态特性曲线，这个系统将被应用于砷化镓高速集成电路内部动态特性在片检测。     

与BOSS融合的广电呼叫中心系统设计

本文根据烟台广电信息网络有限公司自主开发广电呼叫中心系统的实践,介绍了将广电呼叫中心整合进BOSS系统的优势和方法。并详细说明了广电呼叫中心来电分类拦截的工作原理。     

S空位调节扶手型二硫化钼纳米带的电子性质

二硫化钼纳米带按边界结构特征可分为锯齿型和扶手型,在制备过程中,不可避免地会存在一定的缺陷,其中硫空位(VS)最为常见,它将改变纳米结构,进而影响其电子性质。本文采用密度泛函理论来研究S空位对扶手型二硫化钼纳米带性质的影响。计算结果表明：纯扶手型二硫化钼纳米带（AMoS2NRs）为非磁性半导体,但其物性受S空位的位置及浓度所调制。当S空位出现在纳米带内部时,其性质不变。但当S空位在纳米带边缘时,AMoS2NRs被调节成半金属;并随着S空位的浓度的增加,其物性从半金属转变为稀磁半导体。这一有趣的发现将使得低维MoS2纳米材料在自旋电子学上有更宽广的应用。     

汞(Ⅱ)在螯合树脂聚[对乙烯苄基-(2-羟乙基)硫醚]上的吸附机理

研究了Hg2+在自合成的新型含硫螯合树脂-聚[对乙烯苄基-(2-羟乙基)硫醚](PSME)上的吸附机理.静态吸附结果表明吸附属于液膜扩散控制机理;树脂对Hg2+的等温吸附过程可以用Freundlich方程描述;在吸附过程中存在着明显的氧化还原现象.在较低浓度下,Hg2+主要被还原成Hg2+2和Hg0;而在较高浓度下Hg2+则主要被还原成Hg2+2.在两种情况下,-S-均被氧化成-SO2-键.     

喷雾热解法制备的SrWO4膜的阴极射线发光

利用超声喷雾热解法制备了钨酸锶SrWO₄多晶发光膜,并研究了制备条件及掺杂对其阴极射线发光特性的影响.生成的发光膜在300℃以上退火后具有白钨矿结构,其阴极射线发光为一宽带的蓝光,包括一个位于448nm的蓝色发光带和一个位于488.6nm的蓝绿色发光带,是由阴离子络合物WO₄^2-的电荷转移跃迁引起的.发光强度随着退火温度的升高而增强,而退火气氛对其影响不大.在SrWO₄膜中掺入银离子Ag⁺和镧离子La³⁺后,不影响其发光特性,但铕离子Eu³⁺的掺入对发光特性有影响.     

添加纳米固体润滑剂的自润滑陶瓷材料高温摩擦磨损性能研究

采用真空热压烧结工艺制备了一种添加纳米固体润滑剂CaF2的自润滑陶瓷材料,研究其在室温25℃到600℃环境下与40Cr钢销干摩擦时的摩擦磨损性能.结果表明:自润滑陶瓷材料的摩擦系数与磨损率随环境温度的升高而逐渐降低,600℃时摩擦系数降低到0.21,磨损率降低到2.4×10-6 mm3/N·m.常温下自润滑陶瓷材料的磨损机理是磨粒磨损,高温环境同时存在磨粒磨损和粘着磨损.高温环境下摩擦表面纳米CaF2含量的增加和固体润滑膜的形成是摩擦磨损性能改善的主要原因.     

A位具有混合价态的钙钛矿氧化物Eu1-xKxTiO3(x＝0.2,0.32)的高温高压合成

以TiO2 和Eu2 O3为原料 ,利用固相反应法在 4.0GPa和 10 90℃下合成了钙钛矿氧化物Eu1-xKxTiO3(x =0 .2 ,0 .32 )。XRD测量表明样品为立方结构。151EuMo　¨ssbauer谱测试给出同质异能移位分别为～ 0mm/s和～ - 13mm/s的两个吸收峰 ,表明Eu离子为 2和 3混合价。在 480和64 80G的磁场范围内只观察到一个线宽为 314 0G、g因子为 2 .0 0的信号 ,这是由Eu2 产生的。在EPR谱上没有观察到Ti3 和A位缺位的信号 ,说明在样品中的Ti在B位是 4价的。在固态反应中 ,Eu3 离子比Ti4 离子更容易被还原。     

普尔斯马特为什么这火?

普尔斯马特就是“火”。在我不定期到普尔斯马特的几次中,店内定是人头攒动,收费处定是队伍排“长龙”。到普尔斯马特购物的人基本是携妻带子,空车而来,满载而归。 其实普尔斯马特就是一个大型连锁超市,但普尔斯马特把自己称为“会员商店”。到普尔斯马特物购物的人多了一张被普公司称这为“生活绿卡”的“会员证”。普尔斯马特     

论系统科学技术能力

本文研究系统科技能力构成要素及其综合能力的强化。力图引出科技能力的概念,并对系统科技能力构成进行分析。     

稠油油藏边水侵入通道特征参数计算模型

含边水的稠油油藏受边水侵入的影响,在开发过程中会出现边水指进现象致使油井过早水淹,高效稳定生产难以维持.准确的计算出边水侵入通道的体积和孔径大小是完成高效堵水必须解决的关键问题.采用油藏工程和数值模拟方法,分别建立见边水井的优势体积比、优势渗透率比和优势产液比三者之间关系,将两种方法得到的关系曲线进行耦合求解,得到边水侵入通道发育的体积和孔径大小.利用该方法,对BQ67区块主力油层13口见边水井侵入通道体积和孔径大小进行了实例计算,与现场示踪剂测试资料进行对比,符合率大于80%,表明该方法计算稠油油藏边水侵入通道体积和孔径大小的精度较高,且方法简便,易于操作和推广.