VLSI工艺发展现状点滴

随着MOS工艺向超大规模集成电路方向的迅速发展,VLSI的集成度七十年代约每年提高1倍,八十年代预测约2年提高1倍。 在此情况下,原先应用的某些常规工艺或在近来一个时期内出现的某些工艺已渐渐地与超大规模集成电路的发展不相适应了。影响电路集成度、复杂性及电路性能的材料、加工工     

世纪之交我国半导体工业的现状和发展趋势（续一）

叙述了我国半导体工业的现状和发展趋势，并指出了我国半导体工业面临的机遇和任务。     

用SOI技术制作SRAM的设计考虑

引言 随着绝缘体上硅(SOI)材料的最新发展,出现了促进电路发展的良好时机。这些电路有空间应用的抗辐照存贮器、双极SOI电路,同一芯片上的双极-CMOS复合电路以及三维集成电路。随着这些器件的发展SOI在运行系统中的第一个显著应用,看来很可能是为空间应用设计的采用CMOS电路的     

高压功率集成电路

本文首先简要介绍高压功率集成电路的发展状况和应用领域,然后重点介绍高压功率集成电路的有关器件和隔离技术,并给出典型工艺。     

硅集成电路的现状及21世纪的基本趋势

ＩＣ已有３９年发展历史。有人曾预测硅技术已接近发展极限，引起人们关注。在这世纪之交的数年内，ＩＣ如何发展。本文对ＩＣ技术以及ＩＣ水平的现状和基本趋势作出了试析，并对ＩＣ前沿技术的发展提出了看法。     

1997年半导体工业开始回升

据《国际半导体）杂志（英）1996年12月报道，世界半导体工业将会从1997年开始回升，再次走出低谷。我们从1974年开始来回顾一下半导体工业的增长情况：1974年14％1983年25％1992年9％1975年17％1984年47％1993年26％1976年36％1985年12％1994年30％1977年19％1986年21％1995年     

颇具竞争力的SOI硅集成技术

主要讨论了SOI集成技术及其发展前景,介绍了SOI技术在VLSI应用方面 的优越性以及在微电子领域中的广泛应用。     

短沟道MOSFET中的电离辐照效应模型

用一种电荷层方法模拟了离化辐照对短沟道MOSFET的影响。离化辐照的主要效应是引入了氧化层捕获电荷(OTC)和界面捕获电荷(ITC)。应用二维电荷层模型,研究了沟道长度在4.65μm和0.27μm之间的晶体管。用±4.0×10~(11)cm~(-2)的净OTC和ITC值范围,相应于10~6拉德左右的剂量(SiO_2)来研究总的剂量效应。ITC和OTC对每一个工作区都有显著的影响。在亚阈值区内,漏电流对这些电荷的灵敏度为指数关系。更现实的模型必须包括ITC电荷的能量分布以及二维电荷分配效应。在三极管区内,ITC和OTC的影响与二维电荷分配效应不能区别。这就意味着短沟道MOSFET阈值电压偏移的简单分析不能提供二维效应与辐照感应效应的物理区别。在饱和区内,合成的OTC和ITC有助于场电荷成为沟道电荷,这种沟道电荷可以改变沟道夹断区边缘的临场点。对于短沟道晶体管来说,这种临界场效应改变了输出特性“弯曲”区的形状,而且会改变饱和区的输出导电性。     

纳米器件及其在军事电子系统中的应用前景

本首先简要介绍纳米器件的若干产品，然后比较详细地列举这些器件在军事电子系统中的应用前景。     

采用氧化多孔硅埋层的SOI工艺

在n/n~+/n结构的高浓度掺杂层上形成了多孔硅。多孔硅完全氧化以后,在隔离的单晶硅岛上制作CMOS器件。经测量,迁移率与体硅差不多,而且,硅的漏电很小。