基于快慢光技术的高光谱灵敏度干涉仪的理论研究北大核心CSCD

分析了光学材料的正常色散与反常色散特性,证明了基于光学材料色散特性的干涉仪可以实现慢光与快光的结合。理论分析了基于快慢光技术的Mach-Zehnder(M-Z)干涉仪的光谱灵敏度,与具有相同结构的传统M-Z干涉仪和仅依赖于慢光技术的M-Z干涉仪相比,基于快慢光技术的M-Z干涉仪的光谱灵敏度大幅提升。     

高灵敏度色散型慢光干涉仪的仿真研究

设计了一种基于慢光介质色散特性的新型干涉装置,研究其物理过程,证明利用慢光介质可以有效提高干涉仪的光谱灵敏度,并且光谱灵敏度与慢光介质的群折射率成正比。同时,进一步具体分析慢光介质GaAs的色散特性,给出研究色散型慢光干涉仪的一般性方法,并证明使用慢光介质GaAs在近红外区域可以提高光谱灵敏度2倍左右。     

基于Ⅲ-V与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料色散特性的高灵敏度慢光干涉仪

分析了Ⅲ-V与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的光学特性,证明半导体慢光介质不但可以提高干涉仪的光谱灵敏度,而且可以获得远大于气体慢光介质的工作光谱范围.实验证明,基于慢光介质GaAs的干涉仪光谱灵敏度相对于传统的干涉仪提高约3.2倍.     

基于Ⅲ-Ⅴ与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料色散特性的高灵敏度慢光干涉仪

分析了Ⅲ-Ⅴ与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的光学特性,证明半导体慢光介质不但可以提高干涉仪的光谱灵敏度,而且可以获得远大于气体慢光介质的工作光谱范围.实验证明,基于慢光介质GaAs的干涉仪光谱灵敏度相对于传统的干涉仪提高约3.2倍. 关键词： 干涉仪 非线性光学 Ⅲ-Ⅴ与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料     

电子散斑干涉条纹处理偏微分方程方法的回顾与展望

介绍了偏微分方程(PDE)图像处理的基本原理,构造偏微分方程模型的变分法和常见的滤波模型,并给出常见滤波模型的能量泛函。回顾了近几年偏微分方程图像处理技术在电子散斑干涉(ESPI)条纹处理中的应用成果,包括应用偏微分方程图像处理方法同时实现电子散斑干涉条纹图和相位图的滤波和增强处理,提出用于密集电子散斑干涉条纹处理的方向偏微分方程模型及提取电子散斑干涉条纹骨架线的偏微分方程方法。介绍了这些方法与传统方法相比的优势,并进一步展望了偏微分方程图像处理在光测技术中的发展趋势。     

Slow light Mach-Zehnder fiber interferometer

A slow light structure Mach-Zehnder fiber interferometer is theoretically demonstrated. The sensitivity of the interferometer is significantly enhanced by the dispersion of the slow light structure. The numerical results show that the sensitivity enhancement factor varies with the coupling coefficient and reaches its maximum under critical coupling conditions.