HfOxNy的场发射特性

用直流溅射和高温退火相结合的方法制备了HfOxNy薄膜并测试了其场发射性能,发现其具有较低的开启电场、较大的发射电流密度以及很好的发射稳定性.高压"锻炼"对提高HfOxNy场发射性能起着关键作用,这与高压"锻炼"下薄膜内部结构和表面性质的改变有关.对场发射机理的研究表明,HfOxNy的场发射符合经典的FN隧穿理论.     

一种Ku频段波导双工器的小型化设计

本文提出了一种工作于Ku频段的紧凑型全带宽高隔离度波导双工器,该双工器由正交模耦合器OMT(Ortho-Mode Transducer)和消失模波导滤波器组成,OMT采用非对称无隔膜形式,结构紧凑的同时实现了正交模极化隔离度大于50dB。滤波器采用了结构紧凑的消失模滤波器,带外抑制好,用于上行链路信号的分离,下行链路信号的分离则用一段截止波导来实现。该双工器接收频段为10.7～12.75GHz,发射频段为13.75～14.5 GHz,最终实现工作频段内反射系数均小于-15dB,驻波小于1.5,收发端口间隔离度大于95dB,且整体结构高度小于50mm,长度小于103mm,实现了双工器小型化且高隔离度的要求。     

Ferroelectricity-modulated resistive switching in Pt/Si:HfO2/HfO2-x/Pt memory

It is investigated for the effect of a ferroelectric Si:HfO₂ thin film on the resistive switching in a stacked Pt/Si:HfO₂/highly-oxygen-deficient HfO_2-x/Pt structure. Improved resistance performance was observed. It was concluded that the observed resistive switching behavior was related to the modulation of the width and height of a depletion barrier in the HfO_2-x layer, which was caused by the Si:HfO₂ ferroelectric polarization field effect. Reliable switching reproducibility and long data retention were observed in these memory cells, suggesting their great potential in non-volatile memories applications with full compatibility and simplicity.     

顶空气相色谱法快速测定污水中氨氮含量

研究了一种基于化学反应型顶空气相色谱的快速检测污水氨氮含量新方法。首先在顶空瓶中用过量的甲醛与NH₄⁺反应产生等物质的量的强酸，再用NaHCO₃与新生成的酸反应产生CO₂，最后经过气相色谱定量CO₂，间接得出样品中氨氮的含量。结果表明，氨氮含量与气相色谱信号值之间存在良好的线性相关性，相关系数为0.999，定量限为0.786 mg/L（以N的质量浓度计），相对标准偏差小于2%，加标回收率在95%~105%之间。与国标纳氏试剂法相比，该方法测定结果的相对偏差在±5%以内。该方法检测效率高，适用于快速批量检测污水中氨氮的含量。     

Ti/HfO2/Pt阻变存储单元中的氧空位聚簇分布

为了研究阻变存储器导电细丝的形成位置和分布规律, 使用X射线光电子能谱研究了Ti/HfO₂/Pt阻变存储器件单元中Hf 4f的空间分布, 得到了阻变层的微结构信息. 通过I-V测试, 得到该器件单元具有典型的阻变特性; 通过针对Hf 4f的不同深度测试, 发现处于低阻态时, 随着深度的增加, Hf⁴⁺化学组分单调地减小; 而处于高阻态和未施加电压前, 该组分呈现波动分布; 通过Hf⁴⁺在高阻态和低阻态下组分含量以及电子能损失谱分析, 得到高阻态下Hf⁴⁺组分的平均含量要高于低阻态; 另外, 高阻态和低阻态下的O 1s谱随深度的演变也验证了Hf⁴⁺的变化规律. 根据实验结果, 提出了局域分布的氧空位聚簇可能是造成这一现象的原因. 空位簇间的链接和断裂决定了导电细丝的形成和消失. 由于导电细丝容易在氧空位缺陷聚簇的地方首先形成, 这一研究为导电细丝的发生位置提供了参考.     

溅射沉积HfON:Tb薄膜的光致发光

用直流溅射法沉积了HfON:Tb薄膜.对样品在空气中进行了不同温度的退火处理.用荧光光谱仪测试了样品的光致发光,在可见光区域观测到了强的发光峰.发现随着样品退火温度的变化,不同位置发光峰的强度有明显不同变化,并有微弱的蓝移.分析了发光机理,得出可见光区的发光是由于Tb离子产生的.发光峰的强度和Tb离子的浓度有关系,在达到一定值以后会发生浓度淬灭效应.     

Effect of annealing on characteristics of a HfO_xN_y-HfO_2-HfO_xN_y sandwich stack compared with HfO_2 film

HfOxNy-HfO2-HfOxNy sandwich-stack (SS) film was investigated in comparison with HfO2 film of the same thickness. Higher thermal stability and better surface morphology can be observed for the SS film. This structure also shows stronger immunity to interfacial oxidation compared with HfO2 film. Meanwhile, unlike the HfOxNy dielectric, the capacitance performance of SS film was not worse (but was even better) than a pure HfO2 film of the same thickness. The SS structure appears to be a promising high-k gate d...     

HfOxNy的场发射特性

用直流溅射和高温退火相结合的方法制备了HfOxNy薄膜并测试了其场发射性能，发现其具有较低的开启电场、较大的发射电流密度以及很好的发射稳定性. 高压“锻炼”对提高HfOxNy场发射性能起着关键作用，这与高压“锻炼”下薄膜内部结构和表面性质的改变有关. 对场发射机理的研究表明，HfOxNy的场发射符合经典的FN隧穿理论.     

电子束辐照下的石墨烯上的原子层沉积Al2O3介质层

为了研究石墨烯与高k介质的结合,使用原子层沉积氧化铝在石墨衬底上。沉积前使用电子束辐照,观测到了氧化铝明显改善的形貌。归因于电子束辐照过程中的石墨层的无定形变化过程。     

溅射沉积HfON∶Tb薄膜的光致发光

用直流溅射法沉积了HfON∶Tb薄膜. 对样品在空气中进行了不同温度的退火处理. 用荧光光谱仪测试了样品的光致发光,在可见光区域观测到了强的发光峰. 发现随着样品退火温度的变化,不同位置发光峰的强度有明显不同变化，并有微弱的蓝移. 分析了发光机理,得出可见光区的发光是由于Tb离子产生的. 发光峰的强度和Tb离子的浓度有关系，在达到一定值以后会发生浓度淬灭效应.