超导场效应器件的统一Y参数信号等效电路

本文基于超导场效应的小信号传输线模型电流电压方程，建立了各种电路组态的本征的统一Ｙ参数和小信号等效电路，提出了频变电阻，频变电感和频变电容的概念，为研究各类超导场效应器件和电路的高频特性和动力学提供了有力的基础。     

一种亚微米垂直硅墙的刻蚀方法

亚微米垂直硅墙的制备是垂直硅薄膜耦合约瑟夫逊结的关键工艺.本文作者在普通光刻设备基础上,开发了一种在〈100〉硅片上制备亚微米硅墙的刻蚀方法:首先用普通光刻手段刻出较宽的墙区;其次,对非墙区进行迭加注入掺杂;第三,杂质高温横向扩散,第四,掺杂选择性刻蚀;第五,高温氧化减薄.实验结果表明,这种方法可以获得墙宽为0.29μm,墙高为1μm左右的硅墙,而且还有一定的改进潜力.     

CMOS-双极管单片相容器件研究

本文报告了CMOS-双极管单片相容器件的初步研究结果。给出了这种相容器件的优值特性、结构设计和电路应用实例。指出CMOS-双极管单片相容器件技术对发展高性能模拟集成电路(HAIC)、大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)有积极意义。     

高Tc氧化物颗粒超导体的B型电流注入型三端器件实验研究

本文用实验方法研究了B型高T_c氧化物颗拉超导体电流注入三端器件(B-HOGSCITTD)及其颈缩型(NB-HOGSCITTD)的特性,预示了以此构成开关器件和放大器件的可能性。实验表明,B-HOGSCITTD和NB-HOGSCITTD具有类似特性,进一步说明该氧化物超导体的颗粒性和弱连接网络性。     

半导体中非平衡载流子的输运过程(Ⅰ)

在描述载流子输运过程的玻尔兹曼方程的碰撞项中考虑了带间跃迁的贡献,从而将它推广到存在非平衡载流子的情况。由此导出了非平衡载流子寿命,复合几率的统计表达式,以及包括产生-复合过程的电荷连续性方程和稳态输运过程的电流方程。     

基于非线性受控电压源的单电子晶体管宏模型

提出了一种新颖的基于非线性受控电压源的单电子晶体管宏模型.该宏模型通过受栅压和温度控制的非线性受控电压源使温度效应和栅控效应的模拟更加方便,并提高了单电子晶体管特性的模拟精度.此外,该宏模型结构简单,可以利用极小的计算机资源得到与传统的蒙特卡罗方法基本一致的模拟结果,并可方便地嵌入SPICE中进行一定规模的单电子晶体管电路的模拟.     

一种制作亚微米间隔的方法

本文研究了利用光刻图形转移过程中,湿法化学刻蚀存在的侧向钻蚀,通过对钻蚀程度的控制获得小于0.5μm的线条间隔.     

电容耦合三结单电子晶体管特性分析

本文基于电容耦合多个纳米隧道结串联结构的半经典模型，研究了三结单电子晶体管的基本方程，分析了其Ｉ－Ｖ特性，并对三结与两结单电子晶体管的特性进行了比较．结果表明，单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别，且三结单电子晶体管与两结单电子晶体管相比较，具有更高的灵敏度和更强的抗电磁干扰能力     

双极晶体管基区宽变效应的分析和计算

本文用两个最基本的参数,即集电极交流开路时的电压反馈因子η和发射结交流短路时的电流反馈因子σ,描述了双极晶体管基(区)宽(变)效应,导出了各种低频小信号参数。文中给出了基区杂质任意分布时的η和σ,表示式,并针对高斯分布的具体情况,计算了平面晶体管或集成晶体管的η和σ,给出了有关曲线和图表。文末讨论了通常用来描述基宽效应的Early电压与η和σ的关系。     

基于非线性受控电压源的单电子晶体管宏模型

提出了一种新颖的基于非线性受控电压源的单电子晶体管宏模型.该宏模型通过受栅压和温度控制的非线性受控电压源使温度效应和栅控效应的模拟更加方便,并提高了单电子晶体管特性的模拟精度.此外,该宏模型结构简单,可以利用极小的计算机资源得到与传统的蒙特卡罗方法基本一致的模拟结果,并可方便地嵌入SPICE中进行一定规模的单电子晶体管电路的模拟