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采用GaAs pin二极管,完成了15~40GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作.GaAs pin二极管SPST开关单片具有低插损、高隔离、高功率的特点,在15~20GHz带内插损0.6dB,驻波优于1.5,隔离度大于40dB;在20~40GHz带内插损小于1.1dB,驻波优于1.35,隔离度大于35dB.pin二极管SPST开关单片的1dB功率压缩点P-1大于2W.GaAs pin二极管开关单片采用MOCVD生长的GaAs 纵向pin二极管材料结构,76mm GaAs圆片工艺加工制作. 相似文献
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1~26.5GHz GaAs PIN单刀单掷开关单片 总被引:1,自引:0,他引:1
采用GaAs PIN二极管,完成1~26.5 GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作。SPST开关单片带内插损小于0.5 dB,驻波优于1.1,隔离度大于27 dB,在10~26.5 GHz,隔离度大于37 dB。开关单片采用MOCVD生长的GaAs纵向PIN二极管材料结构,76 mm GaAs圆片工艺加工制作。 相似文献
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功率GaAs PIN限幅器已广泛地应用于微波系统中,以保护接收支路中的低噪声放大器. 相似文献
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采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端,它包括金属-半导体-金属(MSM)光探测器和分布放大器.探测器光敏面积为50μm×50μm,电容为0.17pF,4V偏压下的暗电流小于17nA.分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz~16GHz范围内,输入、输出电压驻波比均小于2;噪声系数在3.03~6.5 dB之间.光接收机前端在输入2.5和5Gb/s非归零伪随机二进制序列调制的光信号下,得到较为清晰的输出眼图. 相似文献
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采用砷化镓 76mm 0 .7μm离子注入 MESFET工艺技术研制出手机用砷化镓 DPDT单片射频开关(以下简称单片开关 )。该单片开关面积 1 3 1 0 μm× 1 2 5 0 μm,总栅宽 3 6mm,工作频率 DC~ 2 GHz,1 GHz下插入损耗 IL小于 0 .5 2 d B,隔离度 ISO大于 1 7d B,驻波 VSWR≤ 1 .3 ,2 GHz下 IL小于 0 .7d B,ISO大于 1 1 d B,驻波≤ 1 .3 ,反向三阶交调 PTOI优于 64 d Bm,1 W射频信号下的栅漏电小于 2 0 μA。连续五批共 60片的统计结果表明 ,该单片开关圆片上芯片的直流成品率最低 84 % ,最高 96% ;微波参数成品率在 75 %~ 86%之间 ,代表着国内 Ga As单片电路成品率的最高水平 相似文献
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宽带 Ga AS MMIC功率放大器是雷达及微波宽带测试中的关键部件 ,在有关电子系统和微波通信中得到广泛应用。南京电子器件研究所最近研制成功的 7~ 1 8GHz宽带大功率放大器 ,具有比较优异的性能。该宽带单片功率放大器采用 76mm、0 .5 μmPHEMT MMIC工艺线完成。放大器的拓扑结构采用两级有耗匹配方式 ,双路信号在片内用 Lang桥直接合成 ,体积较小 ,从而实现高增益、大功率。宽频带大信号模型的建立是其中的关键 ,利用微波在片测试系统结合模型提取软件进行非线性模型的提取 ,并利用负载牵引系统对提取的模型进行验证、优化。利用… 相似文献