甘氨酸燃烧法合成纳米ZnO-MgO及其紫外光发射

利用甘氨酸燃烧法制备了ZnOMgO纳米复合材料,并在不同温度进行热处理.通过X射线衍射、扫描电子显微镜和傅里叶变换红外吸收谱,对其升温过程中的结构变化进行了表征,研究了热处理温度对样品室温光致发光行为的影响.结果表明,复合材料的发光性能与纯ZnO相比有很大改善,经900℃热处理的纳米复合材料,其发射谱由一个强紫外发射带(峰值385nm)构成;当热处理温度低于900℃时,发光强度随热处理温度的升高而增强,进一步将热处理温度升至1000℃时发光强度又明显降低.发光强度主要受ZnO、MgO纳米晶的粒子尺寸、结晶完善程度,尤其是受两相纳米粒子之间相互作用的影响.同时发现选择合适的甘氨酸与硝酸根离子的摩尔比,对改善样品紫外发光特性也很重要.     

柔性透明导电氧化物薄膜的制备及其应用

柔性透明导电氧化物薄膜以其重量轻、不易碎、成本低等独特的优点而备受青睐,在塑料液晶显示、可折叠太阳能电池等领域得到广泛的应用.文章介绍了目前制备柔性透明导电氧化物薄膜的主要技术及其优缺点,总结了近年来对柔性衬底的处理方法,最后对柔性透明导电氧化物薄膜在各个领域的开发应用和未来的重点研究方向进行了展望.     

硫化亚铜对电极在量子点敏化太阳电池中的应用

报道了一种基于硫族金属复合物N₄H₉Cu₇S₄前驱体溶液制备硫化亚铜对电极的新方法. 分别制备了TiO₂纳米颗粒多孔薄膜和TiO₂纳米棒阵列结构的光阳极, 并在此基础上研究了基于硫化亚铜对电极的CdS/CdSe量子点敏化太阳电池的光电性能, 同时结合电化学阻抗技术考察了硫化亚铜对电极的催化性能. 结果表明: 与铂电极相比, 本方法制备的硫化亚铜电极对多硫电解质具有更高的催化活性, 所组装的CdS/CdSe量子点敏化太阳电池具有更优的光伏性能.     

准分子激光在液芯光纤中传输特性的实验研究?

液芯光纤作为一种新型的光能量传输媒介,有诸多显著的优点,着重介绍了液芯光纤相对于传统固体传光光纤束的优势。为了液芯光纤在紫外波段激光传输上的应用,对波长为308nm和248nm两种准分子紫外激光在液芯光纤中传输的能量透过率进行了实验研究,分析了单脉冲能量（1-5mJ）、光波长(248nm/308nm)、平均功率(2-20mW)等激光参数变化对准分子激光在液芯光纤中传输特性的影响,为液芯光纤应用于准分子激光传输提供了实验依据。     

两种形貌FeS2的合成及其在染料敏化太阳能电池上的应用

通过对比FeS2颗粒两种形貌的催化活性及在染料敏化太阳能电池(DSSCs)上的表现,选择出性能更高的FeS2颗粒.通过水热法和热注入法合成了立方体和球状高纯度FeS2,将FeS2制备成对电极(CEs)并组装在DSSCs上.通过测试电池的光电转化效率及对电极的催化活性,发现球状FeS2颗粒有更高的催化活性,基于球状FeS2 CEs的电池也获得了更高的光电转化效率.在100 mW/cm2 (AM 1.5)强度的模拟光源下,基于立方体和球状高纯度FeS2 CEs的DSSCs分别获得了高达4.55％和5.69％的光电转化效率.     

铜铁矿基p-TCO材料的制备与物性研究

采用溶胶-凝胶法和高温固相反应法进行了铜铁矿结构单相CuBO2(B=Al,Cr,La)多晶陶瓷的制备,并采用脉冲激光沉积法(Pulsed laser deposition,PLD)制备了CuCrO2薄膜。结果表明:溶胶-凝胶法可以成功制备高纯CuAlO2和CuCrO2多晶材料。该方法还可以显著降低烧结温度且使烧结时间显著缩短;所制备的名义组分CuAlO2和CuCrO2样品均呈p型半导体导电行为,CuBO2的电导率随着B位离子半径的增大而明显减小;PLD法制备的CuCrO2薄膜呈高度c轴取向,厚度～200nm的薄膜在可见光区的平均透射率～80%。     

铜铁矿CuCrO2空穴传输材料增强反式钙钛矿太阳能电池的光电压(英文)

聚3,4-亚乙基二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸具有良好的透光性和柔韧性以及较好的热稳定性,是反式钙钛矿太阳能电池常用的空穴传输材料,但聚3,4-亚乙基二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸的酸性和吸湿性不可避免地会影响钙钛矿太阳能电池的长期稳定性,其能级与钙钛矿材料能级的不完全匹配会造成钙钛矿太阳能电池的开路电压较低.本文应用水热法合成的p型铜铁矿CuCrO₂纳米颗粒作为反式结构[(FA PbI₃)_0.87(MAPbBr₃)_0.13]_0.92(CsPbI₃)_0.08基底钙钛矿太阳能电池的空穴传输材料.结果表明,反式结构钙钛矿太阳能电池的开路电压以聚3,4-亚乙基二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸为空穴传输材料时的908 mV提升至以CuCrO₂为空穴传输材料时的1020 mV.紫外光电子能谱测试表明CuCrO₂与钙钛矿材料之间的能级匹配优于聚3,4-亚乙基二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸与钙钛矿之间的能级匹配,电化...     

应用于极紫外光刻系统多层膜的研究进展

极紫外光刻是采用波长为13.5nm的极紫外光作为光源,实现半导体集成电路工艺22纳米以及更窄线宽节点的主要候选光刻技术。性能优越稳定的多层膜技术是构建整个极紫外光刻系统的重要技术之一。从高反射率,波长匹配,控制面形以及稳定性和寿命方面总结了极紫外光刻系统中多层膜的性能要求和最新的研究进展,叙述了制备高性能多层膜的方法和沉积设备,讨论了多层膜制备技术还存在的问题和发展的方向。     

p-CuAlO2/(n-, p-)Si异质结的制备与电学性质

采用化学溶液法在n型和p型Si衬底上成功制备了单相CuAlO2薄膜。薄膜的电导率-温度曲线显示,薄膜在200K-300K温度范围内呈热激活导电模式,激活能约为0.3eV。电流-电压特性测试显示,p-CuAlO2/n-Si异质结具有明显的整流特性,开启电压约为1.6V,在±3V处的整流率约为35,而p-CuAlO2/p-Si同型异质结表现出类似肖特基结的电学性质,由于p-CuAlO2导电性远低于p-Si衬底,正向电流受空间电荷限制。     

溶胶凝胶法制备钼掺杂氧化锌薄膜及性质研究

利用溶胶凝胶法在Al₂O ₃衬底上制备出了c轴择优取向的钼掺杂氧化锌（MZO）透明导电薄膜,研究了钼的掺杂量(0~1 at%)对钼掺杂氧化锌薄膜光电性能的影响。研究结果表明：所制备的薄膜为六方纤锌矿型结构且表面平整、致密,通过高温真空退火,MZO薄膜的电阻率明显降低,且随着钼含量的增加,MZO薄膜的电阻率呈现出先减小后增大的趋势,当钼含量为0.4at.%时,获得最小电阻率为0.13 Ωcm。薄膜在近红外区域(800~2000 nm)的平均透过率大于85%,这可以有效地拓宽光电器件的光谱范围。